2512 0,00075 Ω (0,75 mΩ) 6 W 1 % Metall-Shunt-Chipwiderstand für Hochstrommessung mit MnCu-Legierung
0.75mΩ-Metall-Shunt-Chipschutz
,6W-Metall-Shunt-Chipschutz
In der modernen elektronischen Schaltkreisgestaltung sind Stromerkennung und Strommanagement unentbehrliche Kernfunktionen.und hochleistungsfähige Präzisionsprobenwiderstände sind die wichtigsten Komponenten, um diese Ziele zu erreichen. Die2512 0,00075R ((0,75m Ohm) 6W 1% ESR25F6W0M75M04G Metall-Shunt-Chip-Widerstandist dank seiner hervorragenden elektrischen Leistung, seiner hervorragenden Temperaturstabilität und seiner starken Überspannungsfähigkeit eine ideale Wahl für Anwendungen der Hochstromdetektion.Hergestellt aus MnCu (Mangan-Kupferlegierung), dieses Produkt entspricht vollständig den Anforderungen von RoHS, REACH und bleifreien Umweltvorschriften und wird weit verbreitet in Strommanagementmodulen, Batteriemanagementsystemen (BMS), Antriebsschaltkreisen von Motoren,und industrielle Leistungselektronik.
Die2512 0,00075R ((0,75m Ohm) 6W 1% ESR25F6W0M75M04G Metall-Shunt-Chip-Widerstandverfügt über eine Verpackungsgröße von 2512 (metrisch 6432), einen Nennwiderstand von nur 0,00075Ω (0,75mΩ), eine Nennleistung von bis zu 6W und eine Toleranz von ± 1%. Such an ultra-low resistance combined with a 6W power rating means the resistor can generate minimal voltage drop under high current while withstanding significant power dissipation without thermal damageDies macht sie besonders geeignet für Stromempfindungs-Szenarien mit Zehn- oder sogar Hunderten von Ampere.
Der Temperaturwiderstandskoeffizient (TCR) dieses Modells ist extrem niedrig, typischerweise innerhalb von ± 20 ppm/°C, d.h. der Widerstandswert des2512 0,00075R ((0,75m Ohm) 6W 1% ESR25F6W0M75M04G Metall-Shunt-Chip-WiderstandIm Vergleich zu gewöhnlichen Dickplattenwiderständen ist die Leistungsfähigkeit der Widerstände in der Wärme nur gering, wenn die Umgebungstemperatur stark schwankt.MnCu-Metall-Shuntwiderstände leiden nicht unter Widerstandsverschiebung bei längerer Verwendung .
Dieses Produkt verwendet MnCu (Mangan-Kupferlegierung) als Widerstandselementmaterial, das der Goldstandard für leistungsstarke Shuntwiderstände ist.Die bemerkenswerteste Eigenschaft der MnCu-Legierung ist ihr extrem niedriger Widerstandstemperaturkoeffizient und ihre ausgezeichnete LangzeitstabilitätIn der Praxis wird die2512 0,00075R ((0,75m Ohm) 6W 1% ESR25F6W0M75M04G Metall-Shunt-Chip-Widerstandkann die Abweichung des Widerstands von ± 1% des Nennwerts auch bei einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis +170 °C oder sogar besser halten.
Darüber hinaus verleiht das MnCu-Material dem Widerstand hervorragende elektromagnetische Kraft (EMF) -Eigenschaften.thermoelektrische Effekte an verschiedenen Metallkontaktpunkten können Messfehler verursachenDer Seebeck-Koeffizient der MnCu-Legierung ist jedoch extrem niedrig und unterdrückt so effektiv die Erzeugung thermoelektrischer Potenziale und sorgt dafür, daß die2512 0,00075R ((0,75m Ohm) 6W 1% ESR25F6W0M75M04G Metall-Shunt-Chip-WiderstandBei gleichbleibender Probenahme beibehält sie unabhängig von den Temperaturgradienten die Messgenauigkeit.
Bei Schaltnetzversorgungen, Motorstarts, Batterieladungs-/Entladungszyklen und ähnlichen Anwendungen erleben Schaltkreise häufig vorübergehende Hochstromspannungen.Normalwiderstände sind unter solchen Bedingungen sehr anfällig für Erschöpfung oder irreversible Widerstandsveränderungen. Die2512 0,00075R ((0,75m Ohm) 6W 1% ESR25F6W0M75M04G Metall-Shunt-Chip-Widerstand, mit seiner hohen Leistung von 6 W und der hervorragenden Wärmeleitfähigkeit des MnCu-Materials, kann Überspannungsströmen, die mehrmals höher als der Nennstrom sind, für kurze Zeit ohne Schaden widerstehen.
Insbesondere kann dieser Widerstand Pulsüberlastungen von bis zu 5 mal oder mehr des Nennstroms verarbeiten, wobei die Pulsdauer mehrere Sekunden dauert.2512 0,00075R ((0,75m Ohm) 6W 1% ESR25F6W0M75M04G Metall-Shunt-Chip-Widerstanddie bevorzugte Wahl für Anwendungen mit den höchsten Ansprüchen an Zuverlässigkeit, wie z. B. Automobilelektronik, industrielle Wechselrichter und Hochleistungs-UPS-Systeme.
Im Rahmen der zunehmend strengen globalen Umweltvorschriften für elektronische Produkte2512 0,00075R ((0,75m Ohm) 6W 1% ESR25F6W0M75M04G Metall-Shunt-Chip-Widerstandvollständig mit der RoHS-Richtlinie (Einschränkung gefährlicher Stoffe) und der REACH-Verordnung (Registrierung, Bewertung, Zulassung und Einschränkung von Chemikalien) übereinstimmt,und bleifreie UmweltanforderungenDas Produkt enthält kein Blei, Quecksilber, Cadmium, sechswertiges Chrom oder andere gefährliche Stoffe und entspricht vollständig den Umweltnormen der EU und der wichtigsten Weltmärkte.Dies spiegelt nicht nur das Engagement des Herstellers für den Umweltschutz wider, sondern erleichtert auch die Ausfuhr und Zertifizierung der Produkte für die Endkunden.
Typische Anwendungen der2512 0,00075R ((0,75m Ohm) 6W 1% ESR25F6W0M75M04G Metall-Shunt-Chip-WiderstandDies umfasst, aber ist nicht beschränkt auf: Ausgangsstromsensung in Leistungs-Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlern, Ladungs-/Entladungsstrommessung in Lithiumbatterien-BMS, Stromrückkopplungsschleifen in Servomotorantrieben,Gleichstromprobenahme in Solarumrichtern, und die präzise Stromsteuerung in Hochspannungsbatteriesystemen für Elektrofahrzeuge.Dieser Widerstand liefert das genaueste aktuelle Rückkopplungssignal und minimiert den Stromverlust.
Die2512 0,00075R ((0,75m Ohm) 6W 1% ESR25F6W0M75M04G Metall-Shunt-Chip-WiderstandSie kombiniert MnCu-Material, niedrige Temperaturentwicklung, hohe Präzision, starke Überspannungswiderstandsfähigkeit und Umweltkonformität in einem erstklassigen Produkt.Fahrzeuge mit neuer EnergieDer Schaltungswiderstand für die elektrischen Geräte, die in der elektronischen Industrie verwendet werden, bietet Ingenieuren eine zuverlässige, genaue und dauerhafte Lösung für die Stromsensung.2512 0,00075R ((0,75m Ohm) 6W 1% ESR25F6W0M75M04G Metall-Shunt-Chip-Widerstandbedeutet, eine außergewöhnliche Qualität und langfristige Stabilität zu wählen.