Ellon ESR25F4W2M50K04G 2512-Gehäuse, 0,0025 Ω (2,5 m Ohm), 4 W Nennleistung, Shunt-Chip-Widerstand für präzise Strommessung

Im Kontext der boomenden neuen Energiebranche stellen Präzisionstechnologien zur Stromerfassung und Leistungserkennung äußerst strenge Anforderungen an die Leistung elektronischer Komponenten.Ellon, ein weltweit bekannter Hersteller passiver Komponenten, hat das vorgestelltMetall-Shunt-Chip-Widerstände der ESR-Serie, die aufgrund ihrer herausragenden elektrischen Leistung und Zuverlässigkeit weit verbreitete Anwendung in der industriellen Steuerung, in Fahrzeugen mit neuer Energie, in Energiespeichersystemen und in anderen Bereichen gefunden haben. Unter ihnen sind dieESR25F4W2M50K04GModell, a2512 0,002,5R (2,5m Ohm) 4W 1%Der Shunt-Chip-Widerstand ist das Starprodukt dieser Serie und vereint hohe Präzision, hohe Leistung und hervorragende Temperaturstabilität.

DerESR25F4W2M50K04GDie Teilenummer folgt der vollständigen Namenskonvention der Ellon ESR-Serie, wobei jedes Feld eine spezifische technische Bedeutung hat:

• ESR: Produktseriencode, der den Metall-Shunt-Chip-Widerstand darstellt

• 25: Gehäusegröße 2512 (metrische Abmessung 6,4 mm × 3,2 mm), ein Standardgehäuse für Hochleistungs-Chip-Widerstände

• F: Widerstandstoleranzgrad von ±1 %, erfüllt die Anforderungen an die präzise Stromerfassung

• 4W: Nennleistung von 4 Watt (bei P70℃), mit herausragender Belastbarkeit im Vergleich zu Produkten gleicher Größe

• 2M50: Widerstandswert von 2,50 Milliohm (0,0025 Ω), also 2,5 mR, ein typischer niedriger Widerstand für Stromerkennungsschaltungen

• K: Temperaturkoeffizient des Widerstands (TCR) von ±50 PPM/℃, was eine minimale Widerstandsdrift über den gesamten Temperaturbereich gewährleistet

• 04: Betriebstemperaturbereich von -55℃ bis +170℃

• G: Verpackungsmethode von Tape & Reel, die die automatisierte SMT-Produktion erleichtert

Die Kernparameter dieses Produkts können wie folgt zusammengefasst werden:2512-Gehäuse, 0,002,5 R (2,5 m Ohm) Widerstand, 4 W Nennleistung, ±1 % Toleranz, ±50 PPM/℃ TCR, was es zu einem machtShunt-Chipwiderstandspeziell für hochpräzise Stromerfassungsanwendungen entwickelt.

Der ESR25F4W2M50K04G nutztKarma-Legierung(eine Nickel-Chrom-modifizierte Legierung) als Kernmaterial des Widerstandselements. Karma-Legierung ist eine speziell optimierte Nickel-Chrom-Aluminium-Eisen-Präzisionswiderstandslegierung. Im Vergleich zu herkömmlichen Mangan-Kupfer- (MnCu) oder Eisen-Chrom-Aluminium-Materialien (FeCrAl) bietet die Karma-Legierung die folgenden wesentlichen Vorteile:

1. Extrem niedriger Temperaturwiderstandskoeffizient: Der TCR der Karma-Legierung kann nur ±20 PPM/℃ oder sogar weniger betragen; Dieses Modell wird innerhalb von ±50 PPM/℃ gesteuert, was bedeutet, dass über den gesamten Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +170 °C die Widerstandsschwankung vernachlässigbar ist und sichergestellt wird, dass die Stromerfassungsgenauigkeit nicht durch Umgebungstemperaturschwankungen beeinträchtigt wird.

2. Hervorragende Langzeitstabilität: Die Karma-Legierung zeichnet sich durch hervorragende Oxidationsbeständigkeit und Kriechschutzeigenschaften mit minimaler Widerstandsdrift unter längeren Hochtemperatur-Belastungsbedingungen aus und erfüllt die strengen langfristigen Zuverlässigkeitsanforderungen von Industrie- und Automobilanwendungen.

3. Geringe thermische EMF-Eigenschaften: Dieses Modell weist eine thermische EMF von weniger als 1 µV/℃ im Bereich von 0–100 °C auf, wodurch Messfehler durch Temperaturgradienten effektiv eliminiert werden, was für eine präzise Stromerkennung von entscheidender Bedeutung ist.

4. Gute Verarbeitungsleistung: Die Karma-Legierung lässt sich leicht präzise schneiden und schweißen und gewährleistet so einen geringen Kontaktwiderstand zwischen dem Widerstandselement und den Kupferanschlüssen sowie eine hervorragende Lötzuverlässigkeit.

Der2512 Paket(6,4 mm × 3,2 mm) ist eine der am häufigsten verwendeten Größenspezifikationen für Shunt-Chip-Widerstände. Ellon hat mit einem einen Design-Durchbruch erzielt4W Nennleistunginnerhalb dieser Packungsgröße dank folgender technologischer Innovationen:

1. Optimierte Wärmeableitungsstruktur: Das Widerstandselement verfügt über ein großflächiges Metalllegierungsdesign in Kombination mit einem Keramiksubstrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit, wodurch die Wärmeableitungsfläche effektiv erweitert und der Wärmewiderstand verringert wird.

2. Design mit niedriger Induktivität: Dieses Modell hat einen Induktivitätswert von weniger als 2 nH und unterdrückt effektiv induzierte Spannungsstörungen mit Abtastgenauigkeit in Hochfrequenz-Schaltnetzteilen und Motorantriebsanwendungen, bei denen schnelle Stromänderungen auftreten.

3. Stromerfassungsstruktur mit vier Anschlüssen: Obwohl ein standardmäßiges 2512-Dual-Pad-Gehäuse verwendet wird, berücksichtigt das Design des Innenwiderstandselements vollständig die Gleichmäßigkeit der Stromverteilung und gewährleistet einen kontrollierbaren Temperaturanstieg unter 4 W Volllast.

Die Nennleistung von 4 W ermöglicht, dass dieses Modell Dauerbetriebsströmen von bis zu 40 A standhält (berechnet als I = √(4 W/0,0025 Ω) = 40 A) und die Hochstromerkennungsanforderungen in Anwendungen wie Batteriemanagementsystemen (BMS) für neue Energiefahrzeuge, Hochleistungs-DC/DC-Wandlern und Motorsteuerungen vollständig erfüllt.

Der ESR25F4W2M50K04G hält sich strikt an die internationalen Umweltvorschriften:

• RoHS-konform: Das Produkt entspricht vollständig der EU-Richtlinie zur Beschränkung der Verwendung bestimmter gefährlicher Stoffe in Elektro- und Elektronikgeräten (2011/65/EU) und ist frei von Blei, Quecksilber, Cadmium, sechswertigem Chrom, polybromierten Biphenylen und polybromierten Diphenylethern.

• REACH-konform: Erfüllt die Anforderungen der EU-Verordnung zur Registrierung, Bewertung, Zulassung und Beschränkung chemischer Stoffe, wobei der Gehalt an besonders besorgniserregenden Stoffen (SVHC) unter den Schwellenwerten liegt.

• Bleifreier Prozess: Verwendet bleifreie Lötanschlüsse und entspricht den Anforderungen einer umweltfreundlichen Fertigung der modernen Elektronikproduktion.

• AEC-Q200-qualifiziert: Diese Serie hat den vom Automotive Electronics Council festgelegten Zuverlässigkeitsteststandard AEC-Q200 bestanden und bietet Qualitätssicherung auf Automobilniveau.

Die zentrale Wettbewerbsfähigkeit dieses Modells liegt in der perfekten Balance zwischengeringe TemperaturdriftUndhohe präzision:

• Drift bei niedriger Temperatur: Ein TCR von ±50 PPM/℃ bedeutet, dass über einen Temperaturschwankungsbereich von 100 °C die maximale Widerstandsänderung nur 0,5 % beträgt. Bei einem nominalen Widerstandswert von 2,5 mΩ wird die Widerstandsabweichung über den gesamten Temperaturbereich auf 12,5 µΩ geregelt, wodurch sichergestellt wird, dass die Genauigkeit der Stromerfassung auf einem extrem hohen Niveau bleibt.

• Hohe Präzision: Die Widerstandstoleranz von ±1 % bedeutet, dass der tatsächliche Widerstand zwischen 2,475 mΩ und 2,525 mΩ liegt. In Kombination mit präzisen Operationsverstärkerschaltungen kann eine Stromerkennungsgenauigkeit auf Systemebene von besser als 1 % erreicht werden.

• Fähigkeit zur Überspannungsfestigkeit: Die Metall-Shunt-Struktur bietet von Natur aus eine hervorragende Widerstandsfähigkeit gegen Stromstöße und ist in der Lage, kurzzeitigen Überlastungen um ein Vielfaches des Nennstroms standzuhalten, wodurch nachgeschaltete Sensorschaltkreise vor Schäden geschützt werden.

Nutzung der herausragenden Leistungsparameter von2512 0,002,5R (2,5 m Ohm) 4 WDer ESR25F4W2M50K04G wird häufig in den folgenden Bereichen eingesetzt:

1. Batteriemanagementsysteme (BMS) für neue Energiefahrzeuge: Wird zur präzisen Lade-/Entladestromerkennung von Akkupacks verwendet und dient als kritische Komponente für die SOC-Schätzung (State of Charge) und das Ausgleichsmanagement.

2. Energiespeichersysteme (ESS): Übernimmt Hochleistungsstromerfassungsaufgaben in Energiespeichergeräten für den Außenbereich und Energiespeichersystemen für Privathaushalte und gewährleistet so einen sicheren Systembetrieb.

3. Industrielle Stromversorgungen und Wechselrichter: Wird in Schaltnetzteilen, unterbrechungsfreien USV-Stromversorgungen und Wechselrichtern für Stromrückkopplungsregelkreise verwendet.

4. Motorantriebsregler: Ermöglicht eine präzise Phasenstromerkennung in Servomotoren und Schrittmotortreibern.

5. Photovoltaik-Wechselrichter: Wird zur Strommessung in MPPT-Schaltkreisen (Maximum Power Point Tracking) verwendet.

Im Vergleich zu Ähnlichem2512 0,002,5R (2,5 m Ohm) 4 WEllon ESR25F4W2M50K04G ist einer der besten Shunt-Chip-Widerstände auf dem Markt und bietet die folgenden herausragenden Vorteile:

1. Markenzuverlässigkeit: Als professioneller Widerstandshersteller verfügt Ellon über ein umfassendes Qualitätsmanagementsystem und ein globales technisches Supportnetzwerk.

2. Fortgeschrittenes Material: Karma-Legierungsmaterial bietet im Vergleich zu herkömmlichen Mangan-Kupfer-Materialien eine überlegene Temperaturstabilität.

3. Hohe Leistungsdichte: Erreichen einer Nennleistung von 4 W in einem Standard-2512-Gehäuse, branchenweit führend in der Leistungsdichte.

4. Leistung im gesamten Temperaturbereich: Großer Betriebstemperaturbereich von -55℃ bis +170℃, Anpassung an verschiedene raue Umgebungen.

5. Stabile Lieferkette: Standardisierte Band- und Rollenverpackungen unterstützen die automatisierte Produktion großer Mengen mit stabilen Durchlaufzeiten.

Abschließend ist dieEllon ESR25F4W2M50K04G 2512 0,002,5R (2,5m Ohm) 4W 1%Der Shunt-Chip-Widerstand ist eine leistungsstarke Stromerfassungskomponente, die hohe Präzision, hohe Leistung, geringe Temperaturdrift und Umweltverträglichkeit vereint, was ihn zur idealen Wahl für Stromabtastanwendungen in den Bereichen neue Energie, industrielle Steuerung und Automobilelektronik macht.