CRH2512F27K0E04Z 2512 27kΩ 2W Hochleistungs-Dünnschicht-Chipwiderstand mit ±1% Toleranz
27 kΩ Hochleistungs-Dickschicht-Chipwiderstand
,Widerstand der CRH-Serie mit 2 W Nennleistung
,±1 % Toleranz 2512 Chipwiderstand
Der CRH2512F27K0E04Z ist ein Hochleistungs-Dünnschicht-Chipwiderstand aus der CRH-Serie von EVER OHMS mit einem Standardgehäuse der Größe 2512, einem Nennwiderstand von 27kΩ, einer Nennleistung von 2W und einer Toleranz von ±1%. Diese Komponente ist eine weit verbreitete Wahl in der Industrie, bei Telekommunikationsnetzteilen und in der neuen Energietechnik, wo ihre hohe Leistungsdichte und stabilen Widerstandseigenschaften die Anforderungen von Schaltungsdesigns mit mittlerer Leistung erfüllen.
EVER OHMS hat das Keramiksubstrat und die Widerstandspastenformulierung in der CRH-Serie optimiert, um erhöhte Nennleistungen bei Standardgehäuseabmessungen zu erzielen. Das 2512-Gehäuse entspricht einer metrischen Größe von 6,4 mm × 3,2 mm und bietet eine ausreichende Wärmeableitungsfläche für eine Nennleistung von 2W, während die volle Kompatibilität mit Oberflächenmontageprozessen erhalten bleibt.
Die Teile-Nummer CRH2512F27K0E04Z vermittelt vollständige Produktinformationen:
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CRH: Hochleistungs-Dünnschicht-Chipwiderstands-Serie
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2512: Imperialer Gehäusecode, äquivalent zu metrisch 6432 (6,4 mm × 3,2 mm)
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F: Toleranzcode, der ±1% angibt
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27K0: Widerstandscode, der 27kΩ (27.000Ω) darstellt, wobei "K" für Kilo-Ohm steht und "0" keine signifikante Nachkommastelle bestätigt
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E04: Verpackungs- und Prozesscode
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Z: RoHS-Umweltkonformitätskennzeichnung
Im Vergleich zu herkömmlichen 2512er Dünnschichtwiderständen erhöht die CRH-Serie die Leistung von 1W auf 2W durch strukturelle Optimierung und verbesserte thermische Leistung.
| Parameter | Wert |
|---|---|
| Nennwiderstand | 27kΩ |
| Toleranz | ±1% |
| Nennleistung | 2W |
| Temperaturkoeffizient | ±100ppm/°C |
| Max. Betriebsspannung | 200V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ +155°C |
| Gehäusegröße | 2512 (6,4 mm × 3,2 mm) |
| Montagetyp | Oberflächenmontage (SMD) |
Der TCR von ±100ppm/°C hält die Widerstandsdrift über den Nenn-Temperaturbereich innerhalb akzeptabler Grenzen und erfüllt die Stabilitätsanforderungen der meisten Industrieschaltungen. Die Nennleistung von 2W ermöglicht es diesem Gerät, bestimmte herkömmliche bedrahtete Widerstände zu ersetzen und unterstützt Miniaturisierungsbemühungen.
Hohe Leistungsdichte: Mit 2W in einem 2512er Gehäuse bietet dieser Widerstand eine überlegene Leistungsdichte im Vergleich zu Standard-Dünnschichtalternativen und reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte in dicht gepackten Layouts.
Breiter Betriebstemperaturbereich: Der Bereich von -55°C bis +155°C ist für industrielle Umgebungen geeignet, einschließlich externer Telekommunikationsgeräte, peripherer Automobilkreise und industrieller Automatisierungssysteme.
SMT-Kompatibilität: Das 2512er Gehäuse eignet sich für gängige Pick-and-Place- und Reflow-Prozesse. Die dreilagige Anschlusskappe (Ag/Ni/Sn) wurde für Lötzuverlässigkeit in der Massenproduktion validiert.
Widerstands-Stabilität: Die Dünnschichtverarbeitung in Kombination mit Lasertrimmen stellt sicher, dass der Nennwert von 27kΩ über Produktionschargen hinweg innerhalb einer Toleranz von ±1% bleibt, was den Abgleichaufwand während der Schaltungskalibrierung minimiert.
Industrielle Leistungsmodule: In Rückkopplungs-Teilernetzwerken von Schaltnetzteilen ermöglichen der Wert von 27kΩ und die Nennleistung von 2W den direkten Einsatz für die primäre oder sekundäre Spannungserfassung, ohne mehrere Geräte parallel schalten zu müssen.
Motorsteuerkreise: Innerhalb von Snubber- und RC-Absorptionsnetzwerken von Wechselrichtern und Servoantrieben hält der 2512 27K 2W Widerstand periodischen Pulsleistungen stand und unterdrückt Schaltgeräusche.
Neue Energietechnik: Photovoltaik-Wechselrichter, BMS-Balancierkreise in Energiespeichersystemen und EV-Ladegerät-Steuerplatinen erfordern breite Temperaturbereiche und Leistungsreserven, Anforderungen, die der CRH2512F27K0E04Z erfüllt.
Telekommunikationsinfrastruktur: Basisstations-Netzteile und PoE-Geräte verlassen sich auf Langzeitstabilität für Strombegrenzungs- und Spannungsteilerknoten, wo die TCR-Leistung dieser Komponente den Designzielen entspricht.
Bei der Anwendung des CRH2512F27K0E04Z in Schaltungsdesigns sollten Ingenieure eine entsprechende Leistungsreduzierung anwenden – typischerweise 60% bis 70% des Nennwerts –, um die Langzeitzuverlässigkeit zu erhöhen. Das Leiterplattenlayout sollte die Kupferpadfläche maximieren, um den thermischen Widerstand zu reduzieren.
Für die Massenbeschaffung und technischen Support ist Shenzhen Shunhai Technology Co., Ltd. ein etablierter Distributor von EVER OHMS-Produkten, der Spot-Lagerbestände und BOM-Konsolidierungsdienste für die CRH-Serie anbietet. Ihr technisches Team unterstützt bei der Teileverifizierung und Parameterbestätigung.
Ein weiterer empfohlener Beschaffungskanal ist Hua Nian Mall , der mehrere EVER OHMS-Widerstandslinien, einschließlich der CRH-Hochleistungsreihe, abdeckt. Die Plattform unterstützt flexible Bestellmengen vom Prototyping bis zur Massenproduktion mit transparenten Preisen und stabilen Lieferzeiten. Ingenieure können über diese Kanäle Muster und Datenblätter für den CRH2512F27K0E04Z erhalten, um die Projektentwicklungspläne zu beschleunigen.
Der CRH2512F27K0E04Z ist ein repräsentatives Modell innerhalb der CRH-Serie von EVER OHMS, das einen Widerstand von 27kΩ und eine Leistung von 2W in einem 2512er Gehäuse für zuverlässige industrielle und Telekommunikationsanwendungen kombiniert. Seine Toleranz von ±1%, sein TCR von ±100ppm/°C und sein breiter Betriebstemperaturbereich bieten eine ausgewogene Lösung zwischen Leistung und Kosten. Die Beschaffung über autorisierte Distributoren gewährleistet die Lieferung echter Produkte sowie reaktionsschnellen technischen Support und Kundendienst.
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