CRH2512F249RE04Z 2512 249Ω 2W उच्च शक्ति मोटी फिल्म चिप प्रतिरोधक ± 1% सहिष्णुता के साथ
249 Ω उच्च शक्ति मोटी फिल्म चिप प्रतिरोधक
,2W रेटेड पावर 2512 चिप प्रतिरोधक
,± 1% सहिष्णुता CRH श्रृंखला प्रतिरोधक
CRH2512F249RE04Z एवर ओम्स इलेक्ट्रॉनिक्स की थिक-फिल्म हाई-पावर चिप रेसिस्टर श्रृंखला के लिए एक मानक पार्ट नंबर है। प्रत्येक फ़ील्ड की व्याख्या इस प्रकार की जाती है:
| फ़ील्ड | अर्थ |
|---|---|
| CRH | थिक फिल्म हाई पावर चिप रेसिस्टर श्रृंखला |
| 2512 | इंपीरियल पैकेज आकार, मीट्रिक समतुल्य 6332 (6.40 मिमी * 3.20 मिमी) |
| F | प्रतिरोध सहनशीलता ±1% |
| 249R | नाममात्र प्रतिरोध 249 Ω; "R" दशमलव बिंदु को दर्शाता है |
| E04 | मानक टेप-और-रील पैकेजिंग कोड |
| Z | लीड-फ्री (Pb-Free) और RoHS अनुपालन |
यह पार्ट औद्योगिक हाई-पावर-डेंसिटी अनुप्रयोगों को लक्षित करता है, जो 2512 फुटप्रिंट के भीतर 2 W रेटेड पावर प्रदान करता है - जो समान आकार के पारंपरिक थिक-फिल्म रेसिस्टर्स की तुलना में लगभग 60% से 100% अधिक है। यह उन सर्किट डिज़ाइनों के लिए उपयुक्त है जहाँ बोर्ड स्पेस सीमित है और थर्मल लोड महत्वपूर्ण है।
| पैरामीटर | विनिर्देशन | नोट्स |
|---|---|---|
| नाममात्र प्रतिरोध | 249 Ω | सहनशीलता ±1% |
| रेटेड पावर | 2 W | 70 °C परिवेश पर |
| सीमित तत्व वोल्टेज | 200 V | या √P*R, जो भी कम हो |
| ओवरलोड वोल्टेज | 400 V | अल्प अवधि 5 सेकंड |
| तापमान गुणांक (TCR) | ±100 ppm/°C | विशिष्ट; लॉट-विशिष्ट मानों के लिए डेटाशीट देखें |
| ऑपरेटिंग तापमान | −55 °C से +155 °C | 70 °C से ऊपर पावर डीरेटिंग कर्व लागू होता है |
| पैकेज आयाम | 6.40 मिमी * 3.20 मिमी * 0.55 मिमी | मानक 2512 मोटाई |
| टर्मिनेशन | निकेल पर लीड-फ्री टिन (Sn over Ni) | RoHS/REACH अनुपालन |
249 Ω E24 और E96 दोनों श्रृंखलाओं में एक मानक मान है। ±1% परिशुद्धता वर्तमान संवेदन, वोल्टेज विभाजन और प्रतिबाधा-मिलान नोड्स का समर्थन करती है जिन्हें उच्च स्थिरता की आवश्यकता होती है।
पारंपरिक 2512 थिक-फिल्म चिप रेसिस्टर्स आमतौर पर 1 W या 1.5 W प्रदान करते हैं। CRH श्रृंखला सिरेमिक सब्सट्रेट हीट-कंडक्शन पथ को अनुकूलित करके, बैक-साइड इलेक्ट्रोड क्षेत्र को बढ़ाकर, और प्रतिरोधी पेस्ट फॉर्मूलेशन को परिष्कृत करके 2 W प्राप्त करती है। डिजाइनर समान पावर हैंडलिंग के लिए समानांतर उपकरणों को समाप्त कर सकते हैं या पैकेज का आकार छोटा कर सकते हैं।
−55 °C से +155 °C के ऑपरेटिंग स्पैन और ±100 ppm/°C के आसपास TCR के साथ, 249 Ω प्रतिरोध औद्योगिक तापमान उतार-चढ़ाव के तहत स्थिर रहता है। परिशुद्धता वर्तमान-संवेदन सर्किट के लिए, यह विशेषता सीधे दीर्घकालिक नमूनाकरण सटीकता निर्धारित करती है।
प्रतिरोधी तत्व को ग्लास पैसिवेशन के साथ एनकैप्सुलेट किया गया है, जो उत्कृष्ट नमी प्रतिरोध और पल्स-लोड क्षमता प्रदान करता है। क्षणिक स्थितियों जैसे स्विचिंग-सप्लाई इनरश या मोटर-ड्राइव बैक-ईएमएफ के तहत, CRH2512F249RE04Z सामान्य-उद्देश्य वाले वाणिज्यिक-ग्रेड चिप रेसिस्टर्स से बेहतर प्रदर्शन करता है।
लीड-फ्री टिन-ओवर-निकेल प्लेटिंग Sn-Pb और लीड-फ्री रीफ्लो प्रोफाइल दोनों के साथ संगत है। 260 °C के शिखर तापमान पर तीन रीफ्लो पास के बाद सोल्डेरेबिलिटी बनी रहती है, जिससे मिश्रित-लाइन उत्पादन में प्रक्रिया-स्विचिंग लागत कम हो जाती है।
AC-DC और DC-DC कन्वर्टर्स के प्राथमिक या द्वितीयक-साइड करंट-डिटेक्शन लूप में, एक 249 Ω सेंस रेसिस्टर डिफरेंशियल कॉन्फ़िगरेशन में एक ऑपरेशनल एम्पलीफायर के साथ जोड़ा जाता है। 2 W रेटिंग 50 mA–90 mA रेंज में निरंतर सेंस करंट को समायोजित करती है, जबकि 2512 पैकेज क्षेत्र कॉम्पैक्ट पावर मॉड्यूल में केल्विन कनेक्शन की सुविधा प्रदान करता है।
हाई-पावर LED ड्राइवर IC अक्सर करंट प्रोग्रामिंग के लिए ग्राउंड से एक बाहरी परिशुद्धता रेसिस्टर का उपयोग करते हैं। 249 Ω रेसिस्टर को आंतरिक संदर्भ के साथ मिलाकर सौ-मिलीएम्पी रेंज में ड्राइव करंट सेट किया जाता है। CRH श्रृंखला की उच्च-तापमान स्थिरता लंबे समय तक LED ऑपरेशन के बाद ल्यूमेन-क्षय बहाव को कम करती है।
इन्वर्टर में बस-वोल्टेज डिवाइडर और IGBT गेट-ड्राइव बायस नेटवर्क को ऐसे रेसिस्टर्स की आवश्यकता होती है जो उच्च पल्स वोल्टेज को सहन कर सकें। CRH2512F249RE04Z, अपने 200 V सीमित वोल्टेज और थिक-फिल्म संरचना के साथ, 380 V-क्लास औद्योगिक ड्राइव सिस्टम में एक सहायक वोल्टेज-डिवीजन तत्व के रूप में कार्य करता है।
फोटोवोल्टिक इन्वर्टर में बैटरी-प्रबंधन-सिस्टम बैलेंसिंग रेसिस्टर्स और सहायक संवेदन नेटवर्क को उच्च-तापमान बाड़ों के अंदर लगातार संचालित होना चाहिए। 2512 249R 2W रेसिस्टर की पावर और तापमान मार्जिन बाहरी सील अलमारियाँ के थर्मल डिजाइन आवश्यकताओं के साथ संरेखित होती है।
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पावर डीरेटिंग: 70 °C परिवेश से ऊपर, डेटाशीट डीरेटिंग कर्व के अनुसार रैखिक रूप से पावर कम करें। अधिकतम सेवा जीवन के लिए स्थिर-अवस्था का क्षय रेटेड पावर के 60%–70% से अधिक नहीं होना चाहिए।
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वोल्टेज सत्यापन: भले ही पावर सीमा के भीतर हो, निरंतर टर्मिनल वोल्टेज 200 V से अधिक नहीं होना चाहिए। उच्च-वोल्टेज डिवाइडर के लिए, प्रत्येक रेसिस्टर पर वोल्टेज ड्रॉप की गणना करें।
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थर्मल प्रबंधन: यद्यपि 2512 पैकेज 2 W का समर्थन करता है, यदि फॉयल क्षेत्र अपर्याप्त है तो कॉपर क्षेत्र बढ़ाएं या थर्मल वाया जोड़ें। व्यक्तिगत तापमान वृद्धि को कम करने के लिए समानांतर संचालन एक विकल्प है।
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परिशुद्धता मिलान: उच्च-सटीकता वर्तमान संवेदन के लिए, एक ही उत्पादन लॉट से खरीदें और सिस्टम ऑफसेट को रोकने के लिए TCR भिन्नता के लिए ±0.5% का बजट बनाएं जो बैच-से-बैच अंतर के कारण होता है।
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