Rezystory dużej mocy o niskim TCR Rezystor ultra niskiej rezystancji 8m Ohm
Specyfikacje
producent:
Waltera
Szereg:
HTE
Rozmiar:
1225 (6,4 mm * 3,2 mm)
Zakres oporu:
8 m omów (0,008 omów)
Tolerancja:
±1%
Moc znamionowa:
3W
zakres temperatur pracy:
-55°C do +155°C
Współczynnik temperaturowy:
±100 ppm/°C
Tworzywo:
Stop MnCu
Na rolkę:
4000
Cechy:
Wysoka precyzja, duża moc, niska temperatura, niska indukcyjność
Aplikacje:
Pomiar prądu, zasilanie, sterowanie silnikiem, zarządzanie baterią, przetwornica częstotliwości, sta
Podkreślić:
Rezystory dużej mocy o niskim TCR
,Rezystor ultra niskiej rezystancji
,Rezystor niskiej rezystancji 8m Ohm
Wprowadzenie
Rezystor szerokopasmowy HTE2512M3W0R008F z rezystancją 0,008Ω (8mΩ) w rozmiarze 1225 do zastosowań w stacjach bazowych 5G
HTE2512M3W0R008F to specjalistyczny komponent zaprojektowany do krytycznego wykrywania prądu i zarządzania energią. Ten wysokowydajny rezystor 1225 0,008Ω (8m Ohm) 3W 1% zapewnia wyjątkową wydajność, precyzję i niezawodność dla zaawansowanych projektów elektronicznych.
Kluczowe specyfikacje
| Parametr | Specyfikacja |
|---|---|
| Numer części | HTE2512M3W0R008F |
| Wartość rezystancji | 0,008Ω (8mΩ) |
| Tolerancja | ±1% |
| Moc znamionowa | 3W |
| Rozmiar obudowy | 1225 (6,4 mm * 3,2 mm) |
| Współczynnik temperaturowy (TCR) | ±100 ppm/°C |
| Materiał rezystancji | Stop miedzi i manganu (MnCu) |
| Temperatura pracy | -55°C do +125°C |
Przegląd produktu i kluczowe zastosowania
Ten rezystor do montażu powierzchniowego (SMD) charakteryzuje się bardzo niską rezystancją 0,008Ω (8 miliomów) i wysoką mocą znamionową 3W z wąską tolerancją 1%, co czyni go idealnym do zastosowań wymagających precyzyjnego pomiaru prądu.
Główne zastosowania:
- Wykrywanie prądu w zasilaczach i przetwornicach: Stosowany w przetwornicach DC-DC, modułach regulatora napięcia (VRM) i zasilaczach impulsowych
- Systemy zarządzania akumulatorami (BMS): Dokładnie mierzy prądy ładowania/rozładowania w pojazdach elektrycznych i magazynach energii odnawialnej
- Sterowanie silnikami i napędy: Służy jako rezystor bocznikowy w obwodach falowników do automatyzacji przemysłowej i robotyki
- Obwody zabezpieczeń nadprądowych: Umożliwia monitorowanie prądu przy minimalnym spadku napięcia
Kluczowe cechy wydajności
Bardzo niska rezystancja 0,008Ω (8mΩ)
Osiąga pomijalny spadek napięcia (tylko 80 mV przy prądzie 10 A), minimalizując straty mocy i generowanie ciepła dla maksymalnej wydajności systemu.
Wysoka moc znamionowa 3W
Solidna konstrukcja obsługuje znaczne prądy udarowe i działa niezawodnie w środowiskach o dużej mocy, zapobiegając ucieczce termicznej.
Wąska tolerancja 1%
Zapewnia rzeczywistą rezystancję w granicach ±0,00008Ω wartości nominalnej, co jest krytyczne dla dokładnego wykrywania prądu w systemach sterowania.
Zaawansowane materiały i konstrukcja
- Stop MnCu: Zapewnia doskonałą stabilność temperaturową z bardzo niskim współczynnikiem temperaturowym rezystancji (TCR)
- Konstrukcja o niskiej indukcyjności: Minimalizuje reaktancję indukcyjną dla dokładnego pomiaru przebiegu prądu
- Solidne zaciski i podłoże: Ceramiczne podłoże zapewnia doskonałą izolację elektryczną i przewodność cieplną
Zgodność i normy środowiskowe
Wyprodukowano w pełnej zgodności z przepisami RoHS i REACH. Komponent bezołowiowy (Pb-free) odpowiedni do zastosowań globalnych zgodnie z surowymi normami środowiskowymi.
Wnioski
HTE2512M3W0R008F to zaawansowane rozwiązanie, które równoważy bardzo niską rezystancję 0,008Ω, solidną moc znamionową 3W i precyzyjną tolerancję 1%. Jego doskonała konstrukcja ze stopu MnCu i konstrukcja o niskiej indukcyjności sprawiają, że jest idealny do precyzyjnego wykrywania prądu w elektronice mocy, systemach motoryzacyjnych i technologiach energii odnawialnej.
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ:
4000
