Resistencia de chip de derivación metálica de 2512 tamaño 0.003Ω (3 mOhm) 4W para detección de corriente de alta potencia
Especificaciones
fabricante:
elon
Serie:
ESR
Tamaño:
2512
Rango de resistencia:
3 mΩ (0,003 ohmios)
Tolerancia:
±1%
Clasificación de potencia:
4W
rango de temperatura de funcionamiento:
-55°C a +175°C
Coeficiente de temperatura:
±50 ppm/°C
Material:
El Karma
Por carrete:
4000
Características:
Alta potencia, baja temperatura
Aplicaciones:
Detección de corriente, fuentes de alimentación, control de motores, gestión de baterías
Resaltar:
Resistencia de chip de derivación metálica tamaño 2512
,Resistencia de detección de corriente de 0.003Ω (3 mOhm)
,Resistencia de terminal ancho con clasificación de potencia de 4W
Introducción
2512 0.003Ω (3 mOhm) 4W 1% Resistencia de Chip Shunt Metálico ESR25F4WR003K04G
En la electrónica moderna, donde la medición y gestión precisas de la corriente son críticas, la resistencia de chip shunt metálico 2512 0.003Ω (3 mOhm) 4W se erige como un componente de alto rendimiento. Ideal para fuentes de alimentación, sistemas de gestión de baterías (BMS) y otras aplicaciones exigentes, esta resistencia ofrece una precisión y fiabilidad excepcionales.
Especificaciones del Modelo (ESR25F4WR003K04G)
| Parámetro | Especificación |
|---|---|
| Valor de Resistencia | 0.003Ω (3 mΩ) |
| Tolerancia | ±1% |
| Potencia Nominal | 4W |
| Tamaño del Paquete | 2512 (6.35mm * 3.15mm) |
| Coeficiente de Temperatura (TCR) | ±50 ppm/°C |
| Material de Resistencia | Aleación de Cobre Manganeso (Karma) |
| Temperatura de Funcionamiento | -55°C a +175°C |
Características Clave
- Tamaño de la Carcasa 2512: Paquete de 6.35mm x 3.18mm optimizado para aplicaciones de potencia con una disipación de calor superior
- 0.003Ω (3 MiliOhmios): Resistencia ultra baja que minimiza la pérdida de potencia y la caída de tensión en las rutas de medición
- Potencia Nominal de 4W: Maneja corrientes de hasta 36.5A de forma continua (P = I²R)
Tecnología Avanzada
- Material de Aleación Karma®: Aleación de níquel-cromo que proporciona una excelente estabilidad a largo plazo y bajo TCR
- Bajo ESR e Inductancia: Ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia como convertidores CC-CC
- Alta Capacidad de Sobretensión: Resiste sobrecargas transitorias en aplicaciones exigentes
Conformidad
Totalmente conforme con las regulaciones RoHS y REACH, construido con materiales sin plomo para una fabricación ambientalmente responsable.
Aplicaciones Clave
- Sistemas de Gestión de Energía: Fuentes de alimentación de servidores, rectificadores de telecomunicaciones y sistemas UPS industriales
- Sistemas Automotrices y EV: Sistemas de Gestión de Baterías (BMS), inversores de tracción, dirección asistida
- Automatización Industrial: Control de motores BLDC, servoaccionamientos
- Inversores Solares y Almacenamiento de Energía: Medición de corriente en paneles solares y sistemas de baterías
Conclusión
La resistencia de chip shunt metálico 2512 0.003Ω (3 mOhm) 4W es una solución de ingeniería de precisión para la electrónica de alta potencia. Con su construcción de aleación Karma, su robusto paquete 2512 y su clasificación de 4W, ofrece una precisión y fiabilidad inigualables en aplicaciones de detección de corriente donde el rendimiento no puede verse comprometido.
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MOQ:
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