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Resistencia de derivación de corriente de baja ESR, 4W, resistencia de derivación de chip, 3 mOhm, ESR25F4WR003F04G

Categoría:
Resistencia de derivación de corriente
Forma de pago:
T/T
ESR_25_Rev11.pdf
Especificaciones
Nombre:
Resistencia de derivación de corriente
fabricante:
elon
Serie:
ESR
Tamaño:
2512
Rango de resistencia:
3 mΩ (0,003 ohmios)
Tolerancia:
±1%
Clasificación de potencia:
4W
rango de temperatura de funcionamiento:
-55°C a +175°C
Coeficiente de temperatura:
±50 ppm/°C
Material:
Fecral
Por carrete:
4000
Características:
Alta potencia, baja temperatura
Aplicaciones:
Detección de corriente, fuentes de alimentación, control de motores, gestión de baterías
Resaltar:

Resistencia de derivación de corriente de baja ESR

,

Resistencia de derivación de corriente de 4W

,

Resistencia de derivación de chip de 3 mOhm

Introducción
Resistencia de chip shunt de metal 2512 de 0.003Ω (3m Ohm) 4W con material FeCrAl, diseño de baja ESR y baja inductancia
Introducción técnica completa
La ESR25F4WR003F04G es una resistencia de chip shunt de metal de alto rendimiento diseñada para la detección precisa de corriente y aplicaciones de gestión de energía. Con su resistencia ultra baja de 0.003Ω y una potencia nominal de 4W, este componente ofrece una fiabilidad excepcional en circuitos electrónicos exigentes.
Especificaciones principales
Parámetro Especificación
Valor de resistencia 0.003Ω (3mΩ)
Tolerancia ±1%
Potencia nominal 4W
Tamaño del paquete 2512 (6.35mm * 3.15mm)
Coeficiente de temperatura (TCR) ±50 ppm/°C
Material de resistencia Aleación de cobre-manganeso (FeCrAl)
Temperatura de funcionamiento -55°C a +175°C
Ventajas del material
La aleación FeCrAl proporciona:
  • Estabilidad superior a altas temperaturas y resistencia a la oxidación
  • Cambio de resistencia mínimo a través de variaciones de temperatura (±50 ppm/°C TCR)
  • Excepcional estabilidad a largo plazo bajo estrés eléctrico/térmico continuo
Características clave de rendimiento
  • Baja ESR: La naturaleza puramente resistiva asegura una pérdida de energía mínima
  • Resistencia a sobretensiones: Maneja picos de corriente de alta energía sin fallas
  • Diseño de baja inductancia: Optimizado para aplicaciones de alta frecuencia
  • Cumplimiento ambiental: Cumple con RoHS y REACH, construcción sin plomo
Aplicaciones principales
  • Unidades de fuente de alimentación (protección contra sobrecorriente y monitorización de corriente)
  • Electrónica automotriz (BMS, inversores, dirección asistida)
  • Accionamientos y controles de motores industriales
  • Inversores solares y sistemas de almacenamiento de energía
  • Cargadores de batería de alta corriente y equipos de prueba
Conclusión
La ESR25F4WR003F04G resistencia de chip shunt de metal combina precisión, manejo de potencia y fiabilidad para aplicaciones exigentes de detección de corriente. Su construcción de aleación FeCrAl, su potencia nominal de 4W y su diseño robusto la hacen ideal para sistemas electrónicos de alto rendimiento que requieren una medición precisa de la corriente y durabilidad.
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Común:
MOQ:
4000