Resistencia de baja inductancia 1206, alta potencia, 1W, resistencias de película metálica, 1.82 Ohm
Resistencia de baja inductancia 1206
,Resistencias de película metálica de alta potencia 1W
,Resistencias de película metálica 1W 1.82 Ohm
En la electrónica moderna, la fiabilidad de los componentes es fundamental. La resistencia de 1206 1,82Ω 1W 1%, ejemplificada por modelos como el EAM16FT1R82DES, ofrece un rendimiento robusto en entornos hostiles. Esta guía explora sus especificaciones, la tecnología anti-sulfuración y aplicaciones vitales.
| Especificación | Valor |
|---|---|
| Modelo | EAM16FT1R82DES |
| Valor de resistencia | 1,82Ω |
| Tolerancia | ±1% |
| Potencia nominal | 1W |
| Tamaño del paquete | 1206 (3,2 mm x 1,6 mm) |
| Coeficiente de temperatura (TCR) | ±50 ppm/°C |
| Material de resistencia | Película metálica |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55°C a +155°C |
Tamaño SMD estándar de la industria (3,2 mm x 1,6 mm) que ofrece un equilibrio óptimo entre tamaño y capacidad de manejo de potencia, adecuado para el montaje automatizado.
Valor preciso ideal para la detección de corriente, la limitación de la corriente de irrupción y los circuitos de retroalimentación de la fuente de alimentación, minimizando la caída de tensión en las rutas de alta corriente.
Capacidad de disipación de alta potencia para un paquete 1206, lo que indica materiales y construcción avanzados de gestión térmica.
Clasificación de precisión que garantiza un rendimiento constante en circuitos analógicos y divisores de tensión donde la precisión es fundamental.
El EAM16FT1R82DES presenta propiedades anti-sulfuración especializadas para evitar la corrosión en entornos hostiles:
- Materiales resistentes al azufre: Utiliza aleaciones de paladio-plata o barreras de níquel en lugar de terminaciones de plata estándar
- Construcción robusta: Protegido por capas de pasivación especiales que evitan la penetración de vapor de azufre
- Fiabilidad mejorada: Extiende drásticamente la vida útil operativa en entornos ricos en azufre
- Tecnología de película metálica: Proporciona una excelente estabilidad, bajo TCR y bajo ruido
- Baja inductancia: Optimizado para aplicaciones de alta frecuencia y escenarios de carga de impulsos
- Cumplimiento medioambiental: Cumple con las regulaciones RoHS y REACH, construcción sin plomo
La resistencia anti-sulfuración EAM16FT1R82DES de 1206 1,82Ω 1W 1% combina una resistencia de precisión con una protección ambiental robusta. Su construcción especializada garantiza un rendimiento fiable en aplicaciones exigentes donde los componentes estándar fallarían, lo que la convierte en una opción esencial para la electrónica de misión crítica.
