1 2 3

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบสับเปลี่ยน

ตัวต้านทานชิปตรวจจับปัจจุบัน

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

ตัวต้านทานต่อต้านซัลเฟอร์

ฟิวส์ติดพื้นผิว

ไมโครฟิวส์

ฟิวส์หลอดเซรามิก

ฟิวส์หลอดแก้ว

ฟิวส์สามขั้ว

ฟิวส์ไฟฟ้า

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะป้องกันซัลเฟอร์

ยืนยันชิปผนังโลหะต้านต่อการกระแทก

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะ

MELF โลหะฟิล์มต่อรอง

ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูง

ตัวต้านทานชิปแบบฟิล์มบางที่มีความแม่นยำ

compact resistor

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบสับเปลี่ยน

ตัวต้านทานชิปตรวจจับปัจจุบัน

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

ตัวต้านทานต่อต้านซัลเฟอร์

ฟิวส์ติดพื้นผิว

ไมโครฟิวส์

ฟิวส์หลอดเซรามิก

ฟิวส์หลอดแก้ว

ฟิวส์สามขั้ว

ฟิวส์ไฟฟ้า

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะป้องกันซัลเฟอร์

ยืนยันชิปผนังโลหะต้านต่อการกระแทก

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะ

MELF โลหะฟิล์มต่อรอง

ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูง

ตัวต้านทานฟิล์มโลหะขนาดกะทัดรัด 1.5 โอห์ม ความคลาดเคลื่อน 1% ตัวต้านทานกำลังสูง

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าร่วม 0.0003R 6W SMD 2512 ตัวต้านทานค่าความเหนี่ยวนำต่ำ

ตัวต้านทานชิปตรวจจับกระแสไฟฟ้า 25m โอห์ม ความเหนี่ยวนำต่ำ ตัวต้านทาน 0603 สำหรับแอปพลิเคชันสถานีฐาน 5G

ตัวต้านทานแบบ Compact Anti Sulfurated 1.69 โอห์ม ค่าความคลาดเคลื่อน 1 เปอร์เซ็นต์

ตัวต้านทานป้องกันซัลเฟอร์กำลังสูง 1.05 โอห์ม SMD 1206 ตัวต้านทานแบบกะทัดรัด

ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้าความแม่นยำสูง 5W 0.0025 โอห์ม ตัวต้านทานตรวจจับกระแสไฟฟ้า อุณหภูมิต่ำ

ตัวต้านทานชิปตรวจจับกระแสไฟ 0603 0.5W ตัวต้านทาน 20m โอห์ม สำหรับการวัดกระแสไฟที่มีความแม่นยำสูง

ตัวต้านทานชิปตรวจจับกระแสขนาดกะทัดรัด 20 มิลลิโอห์ม กำลังไฟสูง

ตัวต้านทาน SMD MnCu Alloy 1W กำลังสูง 4m โอห์ม สำหรับสถานีฐาน 5G

Ever Ohms CRH2512J15R0E04Z ต้านทานชิปแผ่นหนาที่มีประสิทธิภาพ 2W ความต้านทาน 15 Ohm ในแพ็คเกจ 2512

CRH2512J160RE04Z เครื่องกันแผ่นหนาพลังงานสูง มีประสิทธิภาพ 2W, TCR ± 100ppm/°C และสอดคล้องกับ RoHS

ESR59F7W0M75M02G 5930 โลหะ Shunt Chip resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าความแม่นยําสูง 0.00075Ω (0.75m Ohm) และระดับประสิทธิภาพ 7W

2512 0.0002Ω โลหะ Shunt Chip Resistor ด้วยพลังงานสูง 7W และ MnCu สับสนธิสําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา

Ellon ESR25F5WR002F04G 2512 โลหะ Shunt ชิปกันด้วย 0.002R (2mOhm) ความต้านทานต่ําสุด 5W พลังงานสูงและ 1% ความแม่นยําสูง

CRH2512J16R0E04Z 2512 แพ็คเกจ16Ω 2W ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูงสำหรับงานอุตสาหกรรม

CRH2512F75R0E04Z 2512 ตัวต้านทาน 75R 2W พร้อมอัตรากำลัง 2W และความต้านทาน 75 โอห์มในแพ็คเกจ 2512

CRH2512F680RE04Z พลังงานสูง ชิปผนังหนา พลังงานระดับ 2W ความต้านทาน 680 โอห์ม และขนาดแพ็คเกจ 2512

3920 0.0002R 12W 0.5% โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง

CRH2512J150RE04Z 2512 150R 2W ชิปอัตราต่อรองที่มีความหนาแน่นของพลังงานสูงและ RoHS Compliance

ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้า 0.4m โอห์ม 9W ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้ากำลังสูง สำหรับการใช้งานในอุณหภูมิต่ำ

CRH2512F750RE04Z 2512 เครื่องต่อรองชิปผนังหนาที่มีความต้านทาน 750Ω ชื่อเสียง ปริมาณการทํางาน 2W และความอดทน ± 1%

ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้าโลหะ 2512 0.2mΩ 7W ค่าความคลาดเคลื่อน ±1% แบบ SMD

ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นงานโลหะขนาด 2512 0.001Ω (1 มิลลิโอห์ม) 6W สำหรับแหล่งจ่ายไฟและการควบคุมมอเตอร์

CRH2512J120RE04Z 2512 120Ω 2W พลังงานสูง พื้นผิวผิวหนาสําหรับการใช้งานอุตสาหกรรม

ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นโลหะ 6W ขนาด 2512 0.0015Ω (1.5m โอห์ม) สำหรับตรวจจับกระแส

ตัวต้านทาน 0508 5 M โอห์ม SMD Low TCR 1W ความแม่นยำสูง

CRH2512J150KE04Z 2512 150K 2W เครื่องต่อรองชิปผนังหนาแรงสูง สําหรับอุตสาหกรรมและอุตสาหกรรมรถยนต์

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบสับเปลี่ยน

ตัวต้านทานชิปตรวจจับปัจจุบัน

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

ตัวต้านทานต่อต้านซัลเฟอร์

ฟิวส์ติดพื้นผิว

ไมโครฟิวส์

ฟิวส์หลอดเซรามิก

ฟิวส์หลอดแก้ว

ฟิวส์สามขั้ว

ฟิวส์ไฟฟ้า