ประเทศจีน thin film fuse โรงงาน

กรุณาฝากอีเมลที่ถูกต้อง และข้อบังคับรายละเอียด (20-3,000 ตัวอักษร)

ตกลง

ภาพ

ส่วนหนึ่ง #

คําอธิบาย

ผู้ผลิต

สต็อค

RFQ

ฟิวส์ขนาดเล็กกะทัดรัด 250V / 300V ฟิวส์ฟิล์มบางพร้อมพิกัดกระแสไฟสูงสุด 50A

5930 โลหะ ชิปชันท์ พลังต่อรอง 0.001Ω (1m Ohm) 9W ความสามารถการจัดอันดับด้วยความอดทน 1% สําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา

ESR59F8W0M75M02G 0.00075Ω 8W โลหะความละเอียดสูง Shunt resistor สําหรับการตรวจจับกระแสปัจจุบัน

ESR59F7W2M50F02G 5930 โรคขัดขวางโลหะที่มีประสิทธิภาพ 7W FeCrAl alloy และความต้านทานต่ําสุด 0.0025Ω

ESR59F7W2M50F02G 0.0025Ω(2.5m Ohm) 7W โลหะ Shunt Resistor กับ FeCrAl สังกะสีสําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา

5930 0.0002Ω (0.2m Ohm) 15W MnCu โลหะ Shunt resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าความแม่นยําสูง

3920 0.003R (3m Ohm) 5W ± 1% ESR39F5WR003F02G โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง

ติดต่อเรา

ที่อยู่: ชั้น 7, บล็อก B, อาคาร 9, สวนวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี Baoneng, ถนน Qingxiang, เขตใหม่ Longhua, เซินเจิ้น

อีเมล: sales.cn@uxingroup.com

โทรศัพท์: 86-0755-28100016

ผลิตภัณฑ์

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบสับเปลี่ยน

ตัวต้านทานชิปตรวจจับปัจจุบัน

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

ตัวต้านทานต่อต้านซัลเฟอร์

ฟิวส์ติดพื้นผิว

ไมโครฟิวส์

ฟิวส์หลอดเซรามิก

ฟิวส์หลอดแก้ว

ฟิวส์สามขั้ว

ฟิวส์ไฟฟ้า

เกี่ยวกับเรา

เกี่ยวกับเรา ใบรับรอง ISO การควบคุมคุณภาพ นโยบายความเป็นส่วนตัว ศูนย์ช่วยเหลือ

นโยบายความเป็นส่วนตัว | จีน คุณภาพดี ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบสับเปลี่ยน ผู้จัดจําหน่าย.ลิขสิทธิ์ 2025-2026 Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd. สิทธิทั้งหมดถูกเก็บไว้

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบสับเปลี่ยน

ตัวต้านทานชิปตรวจจับปัจจุบัน

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

ตัวต้านทานต่อต้านซัลเฟอร์

ฟิวส์ติดพื้นผิว

ไมโครฟิวส์

ฟิวส์หลอดเซรามิก

ฟิวส์หลอดแก้ว

ฟิวส์สามขั้ว

ฟิวส์ไฟฟ้า

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะป้องกันซัลเฟอร์

ยืนยันชิปผนังโลหะต้านต่อการกระแทก

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะ

MELF โลหะฟิล์มต่อรอง

ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูง

ตัวต้านทานชิปแบบฟิล์มบางที่มีความแม่นยำ

thin film fuse

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบสับเปลี่ยน

ตัวต้านทานชิปตรวจจับปัจจุบัน

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

ตัวต้านทานต่อต้านซัลเฟอร์

ฟิวส์ติดพื้นผิว

ไมโครฟิวส์

ฟิวส์หลอดเซรามิก

ฟิวส์หลอดแก้ว

ฟิวส์สามขั้ว

ฟิวส์ไฟฟ้า

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะป้องกันซัลเฟอร์

ยืนยันชิปผนังโลหะต้านต่อการกระแทก

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะ

MELF โลหะฟิล์มต่อรอง

ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูง

ฟิวส์ขนาดเล็กกะทัดรัด 250V / 300V ฟิวส์ฟิล์มบางพร้อมพิกัดกระแสไฟสูงสุด 50A

5930 โลหะ ชิปชันท์ พลังต่อรอง 0.001Ω (1m Ohm) 9W ความสามารถการจัดอันดับด้วยความอดทน 1% สําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา

ESR59F8W0M75M02G 0.00075Ω 8W โลหะความละเอียดสูง Shunt resistor สําหรับการตรวจจับกระแสปัจจุบัน

ESR59F7W2M50F02G 5930 โรคขัดขวางโลหะที่มีประสิทธิภาพ 7W FeCrAl alloy และความต้านทานต่ําสุด 0.0025Ω

ESR59F7W2M50F02G 0.0025Ω(2.5m Ohm) 7W โลหะ Shunt Resistor กับ FeCrAl สังกะสีสําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา

5930 0.0002Ω (0.2m Ohm) 15W MnCu โลหะ Shunt resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าความแม่นยําสูง

3920 0.003R (3m Ohm) 5W ± 1% ESR39F5WR003F02G โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง

ฟิวส์ขนาดเล็กกะทัดรัด 250V / 300V ฟิวส์ฟิล์มบางพร้อมพิกัดกระแสไฟสูงสุด 50A

5930 โลหะ ชิปชันท์ พลังต่อรอง 0.001Ω (1m Ohm) 9W ความสามารถการจัดอันดับด้วยความอดทน 1% สําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา

ESR59F8W0M75M02G 0.00075Ω 8W โลหะความละเอียดสูง Shunt resistor สําหรับการตรวจจับกระแสปัจจุบัน

ESR59F7W2M50F02G 5930 โรคขัดขวางโลหะที่มีประสิทธิภาพ 7W FeCrAl alloy และความต้านทานต่ําสุด 0.0025Ω

ESR59F7W2M50F02G 0.0025Ω(2.5m Ohm) 7W โลหะ Shunt Resistor กับ FeCrAl สังกะสีสําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา

5930 0.0002Ω (0.2m Ohm) 15W MnCu โลหะ Shunt resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าความแม่นยําสูง

3920 0.003R (3m Ohm) 5W ± 1% ESR39F5WR003F02G โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบสับเปลี่ยน

ตัวต้านทานชิปตรวจจับปัจจุบัน

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

ตัวต้านทานต่อต้านซัลเฟอร์

ฟิวส์ติดพื้นผิว

ไมโครฟิวส์

ฟิวส์หลอดเซรามิก

ฟิวส์หลอดแก้ว

ฟิวส์สามขั้ว

ฟิวส์ไฟฟ้า