คุณภาพ ตัวต้านทานเทอร์มินอลกว้าง 1mR แบบฟอยล์โลหะ SMD Chip Resistors ความต้านทานต่ำ โรงงาน

ตัวต้านทานเทอร์มินอลกว้าง 1mR แบบฟอยล์โลหะ SMD Chip Resistors ความต้านทานต่ำ

Name: ตัวต้านทานเทอร์มินอลกว้าง 1mR แบบฟอยล์โลหะ SMD Chip Resistors ความต้านทานต่ำ
Brand: Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.
SKU: HTE2512M3W0R001FS
Price: Negotiable USD
Availability: InStock

สถานที่ผลิต: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Walter

หมายเลขรุ่น: HTE2512M3W0R001FS

รายละเอียดสินค้า

สถานที่ผลิต:

ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์:

Walter

หมายเลขรุ่น:

HTE2512M3W0R001FS

ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:

4000

เวลาการส่งมอบ:

5-8 วันทำการ

เงื่อนไขการชำระเงิน:

ที/ที

รายละเอียด

Name:

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

Manufacturer:

วอลเตอร์

Serise:

HTE

Size:

1225

Resistance Range:

1 ม. โอห์ม (0.001 โอห์ม)

Tolerance:

±1%

Power Rating:

Operating Temperature Range:

-55°ซ ถึง +155°ซ

Temperature Coefficient:

±100 ppm/°C

Material:

โลหะผสม MnCu

Termination Style:

เอสเอ็มดี

Per Reel:

4000

Type:

ที่ตายตัว

Features:

กำลังสูง, ตัวเหนี่ยวนำต่ำ

Mounting Type:

ติดพื้นผิว

Package:

ถาดแพ็ค

Applications:

การตรวจจับกระแสไฟฟ้า แหล่งจ่ายไฟ การควบคุมมอเตอร์ การจัดการแบตเตอรี่

เน้น:

ตัวต้านทานเทอร์มินอลกว้าง 1mR

ตัวต้านทานชิป SMD แบบฟอยล์โลหะ

ตัวต้านทานชิป SMD ความต้านทานต่ำ

คําอธิบายสินค้า

ตัวต้านทานชิปฟอยล์โลหะ 1225 1mΩ 3W ±1% Tolerance

ตัวต้านทานชิปฟอยล์โลหะประสิทธิภาพสูงนี้ได้รับการออกแบบมาสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ที่ต้องการความต้านทานต่ำเป็นพิเศษ การจัดการพลังงานสูง และความเสถียรที่โดดเด่น แพ็คเกจ 2512 (6.35 มม. x 3.18 มม.) เป็นโซลูชันที่เหมาะสมที่สุดสำหรับการตรวจจับและจัดการกระแสไฟอย่างแม่นยำโดยมีการสูญเสียพลังงานน้อยที่สุด

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

ข้อมูลจำเพาะ	ค่า
รุ่น	HTE2512M3W0R001FS
ค่าความต้านทาน	0.001Ω (1mΩ)
ความคลาดเคลื่อน	±1%
พิกัดกำลังไฟ	3W
ขนาดแพ็คเกจ	1225 (3264 metric) (6.35 มม. x 3.15 มม.)
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ (TCR)	±100 ppm/°C
วัสดุความต้านทาน	โลหะผสม MnCu
โครงสร้าง	โครงสร้างเชื่อมแบบโลหะเต็มรูปแบบ
ค่าเหนี่ยวนำ	โดยทั่วไปน้อยกว่า 2 nH
Thermal EMF	น้อยกว่า 3 µV/°C
ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ถึง +155°C

เทคโนโลยีฟอยล์โลหะขั้นสูง

โครงสร้างฟอยล์โลหะของตัวต้านทานนี้ให้ลักษณะการทำงานที่เหนือกว่า:

ค่าความต้านทานต่ำเป็นพิเศษ: สามารถต้านทานได้เสถียรและเชื่อถือได้ในช่วงมิลลิโอห์ม
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิที่ดีเยี่ยม: การเปลี่ยนแปลงความต้านทานน้อยที่สุดในช่วงอุณหภูมิกว้าง
ค่าเหนี่ยวนำต่ำ: โดยทั่วไปน้อยกว่า 0.1µH สำหรับการใช้งานความถี่สูง
ความน่าเชื่อถือสูง: ความเสถียรในระยะยาวเป็นพิเศษภายใต้ความเครียดในการปฏิบัติงาน
ทนต่อการกระชาก: จัดการกระแสไฟกระชากในระยะสั้นเกินพิกัดต่อเนื่อง

โดเมนการใช้งาน