ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะ 1206 1W 1 โอห์ม ความคลาดเคลื่อน ±1%
สถานที่ผลิต:
ผลิตในประเทศจีน
ชื่อแบรนด์:
Ellon
หมายเลขรุ่น:
EAM16FT1R00DES
รายละเอียดสินค้า
สถานที่ผลิต:
ผลิตในประเทศจีน
ชื่อแบรนด์:
Ellon
หมายเลขรุ่น:
EAM16FT1R00DES
ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:
5,000
เวลาการส่งมอบ:
3-5 วันทำการ
เงื่อนไขการชำระเงิน:
ที/ที
รายละเอียด
Manufacturer:
เอลลอน
Series:
เอม
Size:
1206
Resistance Range:
1 โอห์ม
Tolerance:
±1%
Power Rating:
1W
Operating Temperature Range:
-55°ซ ถึง +155°ซ
Temperature Coefficient:
±50 แผ่นต่อนาที/°C
Material:
มาตัลฟิล์ม
Termination Style:
เอสเอ็มดี
Per Reel:
5,000
Type:
ที่ตายตัว
Features:
พลังงานสูง, ความเหนี่ยวนำต่ำ, ป้องกันซัลเฟอร์
Mounting Type:
ติดพื้นผิว
Package:
ถาดแพ็ค
เน้น:
ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ 1 โอห์ม
,ตัวต้านทานชิป 1206 1W
,ตัวต้านทานตรวจจับกระแส EAM16FT1R00DES
คําอธิบายสินค้า
1206 1R 1W 1% EAM16FT1R00DES ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะ
ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะประสิทธิภาพสูงและเชื่อถือได้ ออกแบบมาเพื่อการใช้งานอิเล็กทรอนิกส์ที่มีความต้องการสูง รุ่น EAM16FT1R00DES นำเสนอเสถียรภาพ ความแม่นยำ และสภาพแวดล้อมที่ยอดเยี่ยมสำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรมและผู้บริโภคที่หลากหลาย
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
| ข้อมูลจำเพาะ | ค่า |
|---|---|
| แบบอย่าง | EAM16FT1R00DES |
| ค่าความต้านทาน | 1Ω |
| ความอดทน | ±1% |
| ระดับพลังงาน | 1W |
| ขนาดบรรจุภัณฑ์ | 1206 (3.2 มม. x 1.6 มม.) |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ (TCR) | ±50 ppm/°C |
| วัสดุต้านทาน | ฟิล์มโลหะ |
| ตัวเหนี่ยวนำ | โดยทั่วไปจะน้อยกว่า 2 nH |
| ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน | -55°ซ ถึง +155°ซ |
คุณสมบัติที่สำคัญ
- ความต้านทานต่ำ / TCR / ตัวเหนี่ยวนำ (≤5nH)
- การตรวจจับกระแสไฟฟ้าที่มีความแม่นยำสูง
- ความสามารถด้านพลังงานสูง
- โครงสร้างที่ทนต่อซัลเฟอร์
- ปราศจากฮาโลเจนและไร้สารตะกั่ว
- เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
การใช้งาน
เครื่องใช้ไฟฟ้า
ผลิตภัณฑ์คอมพิวเตอร์
อุปกรณ์สื่อสาร
เครื่องมือวัด
แหล่งจ่ายไฟอุตสาหกรรม
ระบบการจัดการแบตเตอรี่
ข้อดีด้านประสิทธิภาพ
แพ็คเกจ 1206 มอบความสมดุลที่เหมาะสมที่สุดระหว่างประสิทธิภาพพื้นที่บอร์ดและความสามารถในการจัดการพลังงาน ด้วยความต้านทาน 1Ω และอัตรากำลัง 1W ตัวต้านทานนี้จึงเหมาะอย่างยิ่งสำหรับการตรวจจับในปัจจุบันและแอปพลิเคชันการจัดการพลังงาน
เทคโนโลยีฟิล์มโลหะขั้นสูงให้ประสิทธิภาพที่เหนือกว่าเมื่อเทียบกับตัวต้านทานแบบฟิล์มหนา โดยมีเสถียรภาพด้านอุณหภูมิที่ดีเยี่ยม (±50 ppm/°C) และมีการเหนี่ยวนำน้อยที่สุดสำหรับการใช้งานความถี่สูง
การปฏิบัติตามข้อกำหนดด้านสิ่งแวดล้อม
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และ REACH โดยสมบูรณ์ สร้างขึ้นด้วยวัสดุไร้สารตะกั่วและกระบวนการผลิตเพื่อการใช้งานอย่างปลอดภัยในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค อุตสาหกรรม และทางการแพทย์ทั่วโลก
ความน่าเชื่อถือในสภาวะที่ไม่เอื้ออำนวย
เทคโนโลยีกั้นการสิ้นสุดแบบพิเศษให้ความต้านทานเป็นพิเศษต่อการย่อยสลายที่เกิดจากซัลเฟอร์ ทำให้ตัวต้านทานนี้เหมาะสำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรมและยานยนต์ที่มีสารปนเปื้อนในสิ่งแวดล้อม
ส่งข้อสอบของคุณตรงมาหาเรา