ตัวต้านทาน SMD 2512 แบบเหนี่ยวนำต่ำ 0.4m โอห์ม ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้าความแม่นยำสูง 6W สำหรับการตรวจจับกระแส
รายละเอียด
ชื่อ:
ตัวต้านทาน SMD 2512
ผู้ผลิต:
เอลลอน
ชุด:
ESR
ขนาด:
2512
ช่วงต้านทาน:
0.4mΩ(0.0004 โอห์ม)
ความอดทน:
±1%
ระดับพลังงาน:
6W
ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน:
-55°ซ ถึง +175°ซ
ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ:
±100 ppm/°C
วัสดุ:
เอ็มเอ็นซียู
รูปแบบการสิ้นสุด:
เอสเอ็มดี
ต่อรีล:
4000
คุณสมบัติ:
กำลังสูง, ตัวเหนี่ยวนำต่ำ
การใช้งาน:
การตรวจจับกระแสไฟฟ้า แหล่งจ่ายไฟ การควบคุมมอเตอร์ การจัดการแบตเตอรี่
เน้น:
ตัวต้านทาน SMD 2512 แบบเหนี่ยวนำต่ำ
,ตัวต้านทาน SMD 2512 0.4m โอห์ม
,ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้าความแม่นยำสูง 6W
คําแนะนํา
ตัวต้านทานชิปแบบ Shunt โลหะขนาด 2512 0.0004Ω (0.4m Ohm) 6W ความคลาดเคลื่อน 1% สำหรับการตรวจจับกระแส
ตัวต้านทานชิปแบบ Shunt โลหะ ESR25F6W0M40M04G มอบประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยมในการจัดการพลังงานและการใช้งานการตรวจจับกระแสไฟฟ้าที่แม่นยำ ออกแบบด้วยความต้านทานต่ำพิเศษ การจัดการพลังงานสูง และความทนทานที่โดดเด่น ส่วนประกอบนี้เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และ REACH ซึ่งตอบสนองความต้องการที่เข้มงวดในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
| รุ่น | ESR25F6W0M40M04G |
|---|---|
| ค่าความต้านทาน | 0.0004Ω (0.4mΩ) |
| ความคลาดเคลื่อน | ±1% |
| พิกัดกำลังไฟ | 6W |
| ขนาดแพ็คเกจ | 2512 (6.35 มม. x 3.15 มม.) |
| สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ (TCR) | ±100 ppm/°C |
| วัสดุความต้านทาน | โลหะผสมแมงกานีสทองแดง (MnCu) |
| ค่าเหนี่ยวนำ | <2 nH |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ถึง +175°C |
คุณสมบัติหลัก
- ความต้านทานต่ำพิเศษ: 0.0004Ω (0.4m Ohm) ลดแรงดันไฟฟ้าตกในวงจรตรวจจับกระแสไฟฟ้า
- การจัดการพลังงานสูง: พิกัด 6W สำหรับการใช้งานที่ต้องการ
- ความคลาดเคลื่อนแม่นยำ: ±1% ช่วยให้มั่นใจได้ถึงการวัดกระแสไฟฟ้าที่แม่นยำ
- ค่าเหนี่ยวนำต่ำ: <2 nH สำหรับการใช้งานความถี่สูง
- โครงสร้างที่แข็งแกร่ง: โลหะผสม MnCu บนพื้นผิวเซรามิกเพื่อความทนทาน
- การปฏิบัติตามข้อกำหนดด้านสิ่งแวดล้อม: ได้รับการรับรอง RoHS และ REACH วัสดุปลอดสารตะกั่ว
การใช้งาน
การตรวจจับกระแสไฟฟ้าในแหล่งจ่ายไฟ
ระบบจัดการแบตเตอรี่
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์
วงจรควบคุมมอเตอร์
อุปกรณ์อุตสาหกรรม
ระบบพลังงานหมุนเวียน
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภคระดับไฮเอนด์
รายละเอียดการก่อสร้าง
ตัวต้านทานมีองค์ประกอบความต้านทานโลหะผสมแมงกานีสทองแดง (MnCu) ติดตั้งบนพื้นผิวเซรามิก ซึ่งให้การนำความร้อนและความแข็งแรงทางกลที่ดีเยี่ยม โครงสร้างนี้ช่วยให้การกระจายความร้อนมีประสิทธิภาพและประสิทธิภาพที่เชื่อถือได้ในสภาพแวดล้อมที่ต้องการ
ลักษณะการทำงาน
ด้วย TCR ต่ำที่ ±100 ppm/°C ตัวต้านทานยังคงรักษาประสิทธิภาพที่เสถียรตลอดการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิ การออกแบบค่าเหนี่ยวนำต่ำพิเศษทำให้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานสวิตชิ่งความถี่สูง ซึ่งจำเป็นต้องมีรีแอกแตนซ์น้อยที่สุด
การประกันคุณภาพ
ผลิตภายใต้มาตรฐานการควบคุมคุณภาพที่เข้มงวด ส่วนประกอบแต่ละชิ้นได้รับการทดสอบเพื่อให้แน่ใจว่าเป็นไปตามพารามิเตอร์ที่ระบุ ผลิตภัณฑ์เป็นไปตามข้อกำหนดด้านสิ่งแวดล้อมระหว่างประเทศ รวมถึงคำสั่ง RoHS และ REACH
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ:
4000
