ตัวต้านทาน SMD 2512 แบบเหนี่ยวนำต่ำ 0.4m โอห์ม ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้าความแม่นยำสูง 6W สำหรับการตรวจจับกระแส

Name: ตัวต้านทาน SMD 2512 แบบเหนี่ยวนำต่ำ 0.4m โอห์ม ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้าความแม่นยำสูง 6W สำหรับการตรวจจับกระแส
Brand: Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.
SKU: ESR25F6W0M40M04G
Price: Negotiable USD
Availability: InStock

สถานที่ผลิต: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Ellon

หมายเลขรุ่น: ESR25F6W0M40M04G

รายละเอียดสินค้า

สถานที่ผลิต:

ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์:

Ellon

หมายเลขรุ่น:

ESR25F6W0M40M04G

ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:

4000

เวลาการส่งมอบ:

3-5 วันทำการ

เงื่อนไขการชำระเงิน:

ที/ที

รายละเอียด

Name:

ตัวต้านทาน SMD 2512

Manufacturer:

เอลลอน

Series:

ESR

Size:

2512

Resistance Range:

0.4mΩ(0.0004 โอห์ม)

Tolerance:

±1%

Power Rating:

Operating Temperature Range:

-55°ซ ถึง +175°ซ

Temperature Coefficient:

±100 ppm/°C

Material:

เอ็มเอ็นซียู

Termination Style:

เอสเอ็มดี

Per Reel:

4000

Features:

กำลังสูง, ตัวเหนี่ยวนำต่ำ

Applications:

การตรวจจับกระแสไฟฟ้า แหล่งจ่ายไฟ การควบคุมมอเตอร์ การจัดการแบตเตอรี่

เน้น:

ตัวต้านทาน SMD 2512 แบบเหนี่ยวนำต่ำ

ตัวต้านทาน SMD 2512 0.4m โอห์ม

ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้าความแม่นยำสูง 6W

คําอธิบายสินค้า

ตัวต้านทานชิปแบบ Shunt โลหะขนาด 2512 0.0004Ω (0.4m Ohm) 6W ความคลาดเคลื่อน 1% สำหรับการตรวจจับกระแส

ตัวต้านทานชิปแบบ Shunt โลหะ ESR25F6W0M40M04G มอบประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยมในการจัดการพลังงานและการใช้งานการตรวจจับกระแสไฟฟ้าที่แม่นยำ ออกแบบด้วยความต้านทานต่ำพิเศษ การจัดการพลังงานสูง และความทนทานที่โดดเด่น ส่วนประกอบนี้เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และ REACH ซึ่งตอบสนองความต้องการที่เข้มงวดในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

รุ่น	ESR25F6W0M40M04G
ค่าความต้านทาน	0.0004Ω (0.4mΩ)
ความคลาดเคลื่อน	±1%
พิกัดกำลังไฟ	6W
ขนาดแพ็คเกจ	2512 (6.35 มม. x 3.15 มม.)
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ (TCR)	±100 ppm/°C
วัสดุความต้านทาน	โลหะผสมแมงกานีสทองแดง (MnCu)
ค่าเหนี่ยวนำ	<2 nH
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ถึง +175°C

คุณสมบัติหลัก

ความต้านทานต่ำพิเศษ: 0.0004Ω (0.4m Ohm) ลดแรงดันไฟฟ้าตกในวงจรตรวจจับกระแสไฟฟ้า
การจัดการพลังงานสูง: พิกัด 6W สำหรับการใช้งานที่ต้องการ
ความคลาดเคลื่อนแม่นยำ: ±1% ช่วยให้มั่นใจได้ถึงการวัดกระแสไฟฟ้าที่แม่นยำ
ค่าเหนี่ยวนำต่ำ: <2 nH สำหรับการใช้งานความถี่สูง
โครงสร้างที่แข็งแกร่ง: โลหะผสม MnCu บนพื้นผิวเซรามิกเพื่อความทนทาน
การปฏิบัติตามข้อกำหนดด้านสิ่งแวดล้อม: ได้รับการรับรอง RoHS และ REACH วัสดุปลอดสารตะกั่ว

การใช้งาน

การตรวจจับกระแสไฟฟ้าในแหล่งจ่ายไฟ

ระบบจัดการแบตเตอรี่

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์

วงจรควบคุมมอเตอร์

อุปกรณ์อุตสาหกรรม

ระบบพลังงานหมุนเวียน

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภคระดับไฮเอนด์

รายละเอียดการก่อสร้าง

ตัวต้านทานมีองค์ประกอบความต้านทานโลหะผสมแมงกานีสทองแดง (MnCu) ติดตั้งบนพื้นผิวเซรามิก ซึ่งให้การนำความร้อนและความแข็งแรงทางกลที่ดีเยี่ยม โครงสร้างนี้ช่วยให้การกระจายความร้อนมีประสิทธิภาพและประสิทธิภาพที่เชื่อถือได้ในสภาพแวดล้อมที่ต้องการ

ลักษณะการทำงาน

ด้วย TCR ต่ำที่ ±100 ppm/°C ตัวต้านทานยังคงรักษาประสิทธิภาพที่เสถียรตลอดการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิ การออกแบบค่าเหนี่ยวนำต่ำพิเศษทำให้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานสวิตชิ่งความถี่สูง ซึ่งจำเป็นต้องมีรีแอกแตนซ์น้อยที่สุด

การประกันคุณภาพ

ผลิตภายใต้มาตรฐานการควบคุมคุณภาพที่เข้มงวด ส่วนประกอบแต่ละชิ้นได้รับการทดสอบเพื่อให้แน่ใจว่าเป็นไปตามพารามิเตอร์ที่ระบุ ผลิตภัณฑ์เป็นไปตามข้อกำหนดด้านสิ่งแวดล้อมระหว่างประเทศ รวมถึงคำสั่ง RoHS และ REACH

แท็ก :