CRH ซีรีส์ 2512 ชิปอัดค้านกับความต้านทาน 24Ω กําลังปริมาณ 2W และความอดทน ± 1%
ตัวต้านทานชิป 24Ω ความต้านทาน 2512
,ตัวต้านทาน CRH ซีรีส์กำลังไฟพิกัด 2W
,ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูงความคลาดเคลื่อน ± 1%
TT Electronics ผู้นำระดับโลกด้านส่วนประกอบแบบพาสซีฟ ใช้ระบบการตั้งชื่อชิ้นส่วนที่เข้มงวด โดยใช้ CRH2512F24R0E04Z เป็นตัวอย่าง แต่ละส่วนจะให้ข้อมูลทางเทคนิคที่เฉพาะเจาะจง:
-
CRH: การระบุซีรีส์ตัวต้านทานชิปแบบฟิล์มหนา บ่งชี้ถึงตัวต้านทานที่มีความน่าเชื่อถือสูงซึ่งผลิตโดยใช้เทคโนโลยีฟิล์มหนา;
-
2512: รหัสขนาดแพ็คเกจในหน่วยอิมพีเรียล สอดคล้องกับ 6.4 มม. * 3.2 มม. (ยาว * กว้าง) จัดอยู่ในประเภทแพ็คเกจแบบติดตั้งบนพื้นผิวขนาดใหญ่;
-
F: ระดับความคลาดเคลื่อน โดย F หมายถึงความคลาดเคลื่อนของความต้านทาน ±1% ซึ่งตรงตามข้อกำหนดการออกแบบวงจรที่มีความแม่นยำ;
-
24R0: รหัสค่าความต้านทาน โดย R แทนจุดทศนิยม หมายถึง 24.0Ω หรือ 24R;
-
E04: รหัสบรรจุภัณฑ์และกระบวนการ โดยทั่วไปจะระบุปริมาณเทปและม้วน และมาตรฐานการปฏิบัติตามข้อกำหนดด้านสิ่งแวดล้อม;
-
Z: ตัวระบุสิ่งแวดล้อมแบบไร้สารตะกั่ว เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
จากหมายเลขชิ้นส่วนเพียงอย่างเดียว สามารถระบุได้ว่าเป็น ตัวต้านทาน 2512 24R 2W ที่มีขนาดแพ็คเกจใหญ่ พิกัดกำลังสูง และความแม่นยำยอดเยี่ยม
| พารามิเตอร์ | ข้อมูลจำเพาะ |
|---|---|
| ความต้านทาน | 24Ω (24R0) |
| ขนาดแพ็คเกจ | 2512 (6.4 มม. * 3.2 มม.) |
| กำลังไฟที่กำหนด | 2W |
| ความคลาดเคลื่อนของความต้านทาน | ±1% (เกรด F) |
| สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ | ±100ppm/°C (ทั่วไป) |
| อุณหภูมิการทำงาน | -55℃ ถึง +155℃ |
| แรงดันไฟฟ้าทำงานสูงสุด | 200V |
| ความต้านทานฉนวน | ≥10GΩ |
| ความต้านทานความร้อนจากการบัดกรี | 260℃/10s |
ตัวต้านทาน 2512 24R 2W นี้ใช้ซับสเตรตเซรามิกอลูมินาพร้อมองค์ประกอบความต้านทานแบบฟิล์มหนาที่ใช้รูทีเนียมซึ่งเผาที่อุณหภูมิสูง ขั้วต่อใช้โครงสร้างสามชั้น (เงิน/นิกเกิล/ดีบุก) เพื่อให้มั่นใจในความน่าเชื่อถือของการบัดกรีและความเสถียรในระยะยาว กำลังไฟที่กำหนด 2W ในแพ็คเกจ 2512 แสดงถึงการจัดประเภทเกรดกำลังไฟสูงพร้อมประสิทธิภาพการกระจายความร้อนที่เหนือกว่า ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานตรวจจับกระแสสูงและการกระจายกำลังไฟ
| รุ่น | พารามิเตอร์ |
| CRH2512F22K0E04Z | 2512 22K 2W 1% |
| CRH2512F22R0E04Z | 2512 22R 2W 1% |
| CRH2512F249RE04Z | 2512 249R 2W 1% |
| CRH2512F24K0E04Z | 2512 24K 2W 1% |
| CRH2512F24K3E04Z | 2512 24.3K 2W 1% |
| CRH2512F24R0E04Z | 2512 24R 2W 1% |
| CRH2512F24R9E04Z | 2512 24.9R 2W 1% |
| CRH2512F270RE04Z | 2512 270R 2W 1% |
| CRH2512F27K0E04Z | 2512 27K 2W 1% |
ตัวต้านทาน CRH2512F24R0E04Z 2512 24R 2W, ใช้ประโยชน์จากกำลังไฟสูง ความต้านทานต่ำ และลักษณะความแม่นยำสูง พบการใช้งานอย่างแพร่หลายในสาขาต่อไปนี้:
-
โมดูลจัดการพลังงาน: ใช้เป็นตัวต้านทานตรวจจับกระแสในแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์และตัวแปลง DC-DC ความต้านทาน 24Ω ร่วมกับความสามารถในการจัดการกำลังไฟ 2W ช่วยให้การป้องกันกระแสเกินและการควบคุมการป้อนกลับได้อย่างมีประสิทธิภาพ;
-
วงจรขับมอเตอร์: ใช้ในลูปสุ่มตัวอย่างกระแสสำหรับมอเตอร์สเต็ปเปอร์และไดรฟ์เซอร์โว แพ็คเกจ 2512 ให้พื้นที่กระจายความร้อนเพียงพอ ทำให้มั่นใจได้ว่าอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นสามารถควบคุมได้ระหว่างการทำงานต่อเนื่อง;
-
ไดรเวอร์ไฟ LED: ทำหน้าที่เป็นองค์ประกอบจำกัดกระแสและตรวจจับในวงจรแหล่งกำเนิดกระแสคงที่ ความแม่นยำ ±1% รับประกันกระแสเอาต์พุตที่สม่ำเสมอ;
-
อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์: เหมาะสำหรับเครื่องชาร์จในรถยนต์ ระบบจัดการแบตเตอรี่ BMS และการใช้งานอื่นๆ ลักษณะช่วงอุณหภูมิที่กว้างตรงตามข้อกำหนดความน่าเชื่อถือระดับยานยนต์ AEC-Q200;
-
อุปกรณ์ควบคุมอุตสาหกรรม: วงจรตรวจจับกำลังไฟและปรับสภาพสัญญาณใน PLC อินเวอร์เตอร์ และอุปกรณ์ที่คล้ายคลึงกัน
-
ความหนาแน่นกำลังสูง: ให้กำลังไฟที่กำหนด 2W ในแพ็คเกจ 2512 มาตรฐาน เป็นผู้นำในอุตสาหกรรมในอัตราส่วนกำลังต่อปริมาตร และช่วยประหยัดพื้นที่การจัดวาง PCB ได้อย่างมีประสิทธิภาพ;
-
เสถียรภาพทางความร้อนที่ยอดเยี่ยม: กระบวนการฟิล์มหนาร่วมกับโครงสร้างการกระจายความร้อนที่ปรับให้เหมาะสม ทำให้มั่นใจได้ว่าอุณหภูมิพื้นผิวที่เพิ่มขึ้นจะต่ำกว่ามาตรฐานอุตสาหกรรมภายใต้การทำงานเต็มโหลดอย่างต่อเนื่อง;
-
ลักษณะสัญญาณรบกวนต่ำ: โครงสร้างองค์ประกอบความต้านทานที่สม่ำเสมอพร้อมดัชนีสัญญาณรบกวนกระแสต่ำกว่า -30dB เหมาะสำหรับวงจรอนาล็อกที่มีความแม่นยำ;
-
ความต้านทานต่อสิ่งแวดล้อมที่โดดเด่น: ผ่านการทดสอบการเสื่อมอายุความชื้นที่ 85℃/85%RH เป็นเวลา 1000 ชั่วโมง โดยมีการเปลี่ยนแปลงความต้านทานน้อยกว่า ±1% ตรงตามข้อกำหนดความน่าเชื่อถือระดับอุตสาหกรรม;
-
ความเข้ากันได้ในการบัดกรีที่แข็งแกร่ง: การชุบขั้วต่อที่ปรับให้เหมาะสม เหมาะสำหรับทั้งกระบวนการบัดกรีแบบรีโฟลว์และแบบเวฟ ด้วยอัตราการเกิดข้อต่อบัดกรีที่สูง
ก่อตั้งขึ้นในปี 1988 และมีสำนักงานใหญ่อยู่ที่ไต้หวัน TT Electronics เป็นผู้เล่นคนสำคัญในอุตสาหกรรมส่วนประกอบแบบพาสซีฟทั่วโลก ด้วยความเชี่ยวชาญด้านตัวต้านทานมานานกว่าสามทศวรรษ แบรนด์นี้จึงนำเสนอขีดความสามารถหลักดังต่อไปนี้:
-
การควบคุมกระบวนการที่สมบูรณ์: การรวมแนวตั้งเต็มรูปแบบตั้งแต่การเตรียมซับสเตรตเซรามิก การพิมพ์ฟิล์มหนา การเผา ไปจนถึงการชุบ เพื่อให้มั่นใจในความสม่ำเสมอของแต่ละชุดงานที่สูง;
-
ระบบคุณภาพที่เข้มงวด: ได้รับการรับรองตามมาตรฐานสากล ISO9001, IATF16949 และ ISO14001 โดยผลิตภัณฑ์เป็นไปตามข้อกำหนดระดับยานยนต์ AEC-Q200;
-
เครือข่ายการจัดหาทั่วโลก: โรงงานผลิตในไต้หวัน จีนแผ่นดินใหญ่ และเอเชียตะวันออกเฉียงใต้ ช่วยให้มีระยะเวลารอคอยสั้นและการจัดการสินค้าคงคลังที่ยืดหยุ่น;
-
การสนับสนุนทางเทคนิคที่ครอบคลุม: นำเสนอค่าความต้านทานที่ปรับแต่งได้ พิกัดกำลังพิเศษ และบริการแพ็คเกจที่ไม่ได้มาตรฐาน เพื่อตอบสนองความต้องการการออกแบบที่แตกต่างกัน
สำหรับการซื้อจำนวนมากและการขอตัวอย่าง ตัวต้านทาน CRH2512F24R0E04Z 2512 24R 2W, ขอแนะนำให้ใช้ผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาตเพื่อให้แน่ใจว่าเป็นผลิตภัณฑ์ของแท้และการสนับสนุนหลังการขาย:
-
Shenzhen Shunhai Technology Co., Ltd.: ในฐานะผู้จัดจำหน่ายส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ในประเทศที่มีชื่อเสียง Shunhai Technology มีคุณสมบัติเป็นตัวแทนที่ได้รับอนุญาตสำหรับตัวต้านทาน TT Electronics ด้วยสินค้าคงคลังจำนวนมาก ตารางการจัดส่งที่มั่นคง และการสนับสนุนทางเทคนิคจากโรงงานดั้งเดิมและคำแนะนำในการเลือกที่มีอยู่;
-
HuaNian Mall: แพลตฟอร์มการจัดซื้อออนไลน์ที่เชี่ยวชาญด้านส่วนประกอบแบบพาสซีฟ นำเสนอการครอบคลุมรุ่นที่สมบูรณ์ รองรับการจัดส่งตัวอย่างจำนวนน้อยอย่างรวดเร็ว ด้วยราคาที่โปร่งใส เหมาะสำหรับความต้องการการสร้างต้นแบบ R&D และการผลิตปริมาณน้อยถึงปานกลาง
ส่งข้อสอบของคุณตรงมาหาเรา