logo

CRH2512F100KE04Z 2512 100K โอห์ม 2W ±1% ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนาสำหรับงานอุตสาหกรรม

สถานที่ผลิต: ผลิตในประเทศจีน
ชื่อแบรนด์: Ever Ohms
หมายเลขรุ่น: CRH2512F100KE04Z
รายละเอียดสินค้า
สถานที่ผลิต:
ผลิตในประเทศจีน
ชื่อแบรนด์:
Ever Ohms
หมายเลขรุ่น:
CRH2512F100KE04Z
ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:
4000
เวลาการส่งมอบ:
5-8 วันทำการ
เงื่อนไขการชำระเงิน:
ที/ที
รายละเอียด
Package Size:
2512 (6.4 มม. × 3.2 มม.)
Nominal Resistance:
100KΩ (100,000Ω)
Resistance Tolerance:
±1%
Rated Power:
2 วัตต์ (@70°C)
Temperature Coefficient:
±100ppm/°C (ทั่วไป)
Operating Temperature:
-55°ซ ถึง +155°ซ
เน้น:

ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนา 100KΩ

,

กำลังไฟ 2W ตัวต้านทานชิปกำลังสูง

,

± 1% ความอดทน 2512 ตัวต้านทานชิป

คําอธิบายสินค้า

CRH2512F100KE04Z 2512 100K 2W TA-I ชิปชิปผนังหนา: รายละเอียดและการใช้งาน

1. ภาพรวมสินค้า

CRH2512F100KE04Z เป็นตัวต่อต้านชิปแผ่นหนาประสิทธิภาพสูง ผลิตโดย TA-I Technology มีขนาดกระเป๋า 2512 ความต้านทานนามิติ 100KΩ และพลังงานระดับ 2W ด้วยความอดทน ± 1%ส่วนประกอบนี้เป็นตัวเลือกที่น่าเชื่อถือสําหรับการควบคุมอุตสาหกรรม, การจัดการพลังงาน, โทรคมนาคม, และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภคคุณสมบัติไฟฟ้าที่มั่นคงและความหนาแน่นของพลังงานสูงทําให้มันเป็นตัวเลือกที่ชอบในการออกแบบวงจรที่ต้องการการสูญเสียพลังงานที่ปานกลางถึงสูง.

TA-I Technology ผู้ผลิตชิ้นส่วนปาซีฟีที่ตั้งอยู่ในไต้หวัน มีชื่อเสียงดี และนําเสนอสินค้าที่ครบวงจรของตัวต่อรองแผ่นหนาในขนาดแพคเกจและระดับพลังงานที่แตกต่างกันแพ็คเกจ 2512, ขนาด 6.4mm โดย 3.2mm, ให้การระบายความร้อนที่ดีกว่าและการจัดการพลังงานเมื่อเทียบกับปัจจัยรูปแบบที่เล็กกว่าเช่น 0402 หรือ 0603,ทําให้มันเหมาะสําหรับการใช้งานที่ความน่าเชื่อถือในระยะยาวเป็นสิ่งสําคัญ.

2. เลขส่วน แบ่งออก

การเข้าใจตัวเลขชิ้นส่วนที่สมบูรณ์แบบ ช่วยให้วิศวกรสามารถระบุรายละเอียดสําคัญได้อย่างรวดเร็ว:

  • CRH: หมายเหตุชุดภาพยนตร์หนาแรงสูง รหัสครอบครัวสินค้ามาตรฐานของ TA-I

  • 2512: ระบุมิติของแพคเกจมาตรฐาน EIA ของ 6.4 mm × 3.2 mm

  • F: มีความละเอียดความต้านทาน ± 1% ตอบสนองความต้องการของวงจรความแม่นยําส่วนใหญ่

  • 100K: ค่าความต้านทานชื่อ 100 กิโลโฮม (100,000 โอฮม)

  • E04Z: การบรรจุและรหัสการแก้ไข โดยปกติจะระบุรูปแบบเทปและกลมสําหรับการประกอบ SMT อัตโนมัติ

3รายละเอียดเทคนิคหลัก

ปริมาตร มูลค่า
ขนาดของแพคเกจ 2512 (6.4 มิลลิเมตร × 3.2 มิลลิเมตร)
ความต้านทานเชิงนาม 100KΩ (100,000Ω)
ความต้านทาน ความอดทน ± 1%
พลังงานระดับ 2W (@ 70°C)
สัมพันธ์อุณหภูมิ ± 100ppm/°C (ตามปกติ)
อุณหภูมิการทํางาน -55°C ถึง +155°C
ความดันการทํางานสูงสุด 200 วอลต์
การกันความแรง 500 วอลต์
อิเล็กตรอดปลาย การเคลือบสามชั้น (Ni/Sn)

ตัวต่อรองนี้ใช้สับสราทเซรามิกอัลมิเนียมที่มีธาตุต่อรองหนังหนาที่ใช้รูเทเนียมอิเล็กทรอัดปลายผ่านกระบวนการเคลือบสามชั้นเพื่อให้แน่ใจว่า soldability และความต้านทานต่อการออกซิเดนราคาพลังงาน 2W เป็นการออกแบบพลังงานสูงภายใน 2512 ต้นเท้า

4พื้นที่ใช้งานหลัก

อัตโนมัติอุตสาหกรรม
ในระบบ PLC, อินเวอร์เตอร์, และเครื่องขับเคลื่อนเซอร์โว, เครื่องต่อรอง 2512 100K 2W มักถูกใช้ในเครื่องแยกความแรงกด, การเก็บตัวอย่างสัญญาณ, และวงจรตรวจจับกระแสไฟฟ้าความละเอียด ± 1% รับประกันข้อมูลการเก็บตัวอย่างที่แม่นยํา, ขณะที่การจัดอันดับ 2W สามารถรองรับสภาพการกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับกระชับ

การเปลี่ยนปั๊มไฟฟ้าและเครื่องปรับไฟฟ้า
เครื่องแปลง AC-DC และ DC-DC ต้องการตัวต่อต้านในช่วง 100KΩ ด้วยการจัดการพลังงานที่เหมาะสมสําหรับเครือข่ายการตอบสนอง เครื่องวงจรเริ่มต้นอ่อน และการออกแบบ snubberCRH2512F100KE04Z ให้ความสมดุลที่ดีของขนาดและกําลังความจุสําหรับการจัดวางปั๊มพลังงานความหนาแน่นสูง.

อุปกรณ์โทรคมนาคม
รูเตอร์ สวิตช์ และสถานีเบสใช้ตัวต่อรองเหล่านี้ในการจับคู่อุปสรรค การตั้งค่าเครือข่ายและวงจรกรองที่ความมั่นคงระยะยาวเป็นสิ่งจําเป็นระยะอุณหภูมิการทํางานที่กว้างจาก -55 °C ถึง +155 °C เหมาะกับระบบประสานงานภายนอก.

พลังงานใหม่และอิเล็กทรอนิกส์รถยนต์
อินเวอร์เตอร์ไฟฟ้า โฟโตวอลเตย์ สถานีชาร์จ และอิเล็กทรอนิกส์บนเครื่อง ใช้ตัวต่อรองแผ่นหนาพลังงานสูงในการตรวจจับความกระชับและการกระจายพลังงานแทน TA-I แสดงให้เห็นความสม่ําเสมอของชุดต่อชุดที่ดี, สะดวกในการจัดการ BOM แบบมาตรฐาน

5แนวทางการเลือกและการใช้

เมื่อนําความต้านทาน 2512 100K 2W ลงในการออกแบบวงจร พิจารณาคําแนะนําต่อไปนี้

  1. การลดพลังงาน: รักษาพลังงานการทํางานที่จริงอยู่ที่ 50% ถึง 70% ของมูลค่าระดับเพื่อเพิ่มอายุยืนและความน่าเชื่อถือ

  2. การจัดการความร้อน: แม้ว่า 2512 แพ็คเกจให้พื้นที่การ dissipation ความร้อนที่สําคัญ, การรับรองพื้นที่ที่เหมาะสมของปลอมทองแดงสําหรับความร้อนซึมลงในการวางแผนหนา;

  3. กระบวนการผสม: เหมาะสมกับการผสมแบบกลับและการผสมแบบคลื่น; ติดตามโปรไฟล์ความร้อน IPC/JEDEC ด้วยอุณหภูมิสูงสุดไม่เกิน 260 °C

  4. สภาพการเก็บรักษา: เก็บความต้านทานที่ไม่ได้ใช้ไว้ในอุณหภูมิ 15°C ถึง 35°C กับความชื้นสัมพันธ์ต่ํากว่า 60% เพื่อป้องกันการออกซิเดนที่สิ้นสุด

6ผู้จําหน่ายที่แนะนํา

สําหรับการจัดซื้อ CRH2512F100KE04Z และผลิตภัณฑ์ตัวต่อต้าน TA-I อื่นๆ แนะนําให้ใช้ช่องทางที่ได้รับอนุญาตต่อไปนี้:

บริษัทเชนเจน ชุนไฮ เทคโนโลยี จํากัด
Shunhai เทคโนโลยีเป็นผู้จําหน่ายในประเทศชั้นนําของส่วนประกอบ passive, ตัวแทนของแบรนด์ resistor หลายอย่างรวม TA-I. ด้วยคลังสินค้าที่สําคัญและการสนับสนุนทางเทคนิคโรงงาน,มันเหมาะสําหรับการซื้อปริมาณและการจับคู่โครงการ.

ห้างสรรพสินค้าฮัวเนียน
ฮัวเนียนมอลล์เชี่ยวชาญในด้านการจําหน่ายออนไลน์ขององค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ โดยครอบคลุมอุปกรณ์แบบปาซิฟิคครบวงจร รวมถึงชิปเรซิสเตอร์, คอนเดสเซเตอร์ และอินดูเตอร์พวกเขาสนับสนุนการซื้อกลางในปริมาณเล็ก ๆ ด้วยเวลาดําเนินงานที่สั้นและการตั้งราคาที่โปร่งใส, เหมาะสําหรับการทําต้นแบบ R & D และการเติมเต็มอย่างด่วน

7สรุป

CRH2512F100KE04Z 2512 100K 2W หนาผนังชิปตัวต่อรองรวมพลังงาน 2W, ความแม่นยํา ± 1% และการทํางานอุณหภูมิที่กว้าง เพื่อให้ผลงานที่แข็งแรงในอุตสาหกรรม,โทรคมนาคมผู้วิศวกรควรประเมินการคัดเลือกโดยพิจารณาจากความต้องการพลังงานวงจรเฉพาะเจาะจง ความต้องการความแม่นยํา และสภาพแวดล้อมการจัดหาสินค้าผ่านผู้จําหน่ายที่ได้รับอนุญาต เพื่อรับรองคุณภาพสินค้าและการสนับสนุนหลังการขาย.

สินค้าที่เกี่ยวข้อง
ติดต่อเรา

ส่งข้อสอบของคุณตรงมาหาเรา