logo

CRH1206J1R50P05Z พลังงานสูง ชิปชิปหนังหนากับความต้านทาน 1.5Ω และพลังงาน 0.5W ที่ความอดทน ± 5%

สถานที่ผลิต: ผลิตในประเทศจีน
ชื่อแบรนด์: Ever Ohms
หมายเลขรุ่น: CRH1206J1R50P05Z
รายละเอียดสินค้า
สถานที่ผลิต:
ผลิตในประเทศจีน
ชื่อแบรนด์:
Ever Ohms
หมายเลขรุ่น:
CRH1206J1R50P05Z
ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:
5,000
เวลาการส่งมอบ:
5-8 วันทำการ
เงื่อนไขการชำระเงิน:
ที/ที
รายละเอียด
Nominal Resistance:
1.5โอห์ม
Tolerance:
±5%
Rated Power:
0.5W
Max Working Voltage:
200V
Temperature Coefficient:
±400 PPM/°C
Dimensions:
3.05 × 1.60 × 0.55 มม
เน้น:

ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูง 1.5Ω

,

ตัวต้านทานชิป 0.5W 1206

,

ความอดทน ±5% CRH1206J1R50P05Z

คําอธิบายสินค้า

การวิเคราะห์ทางเทคนิคของ EVEROHMS CRH1206J1R50P05Z พลังงานสูง ชิปผนังหนา

1. ภาพรวมสินค้า

CRH1206J1R50P05Z เป็นตัวต่อรองชิปหนังหนาประสิทธิภาพสูงจาก EVEROHMS Technology (Chilisin) ประเทศไต้หวัน สร้างขึ้นในแพคเกจ 1206 ด้วยความต้านทานนามinali 1.5 ohm และกําลังการตั้งค่า 0.5W กับความละเอียด ± 5%, ส่วนประกอบนี้ให้ความสามารถในการจัดการพลังงานสองเท่าของตัวต่อต้านแบบมาตรฐาน 1206 ในระยะที่เหมือนกันมันเหมาะสําหรับการออกแบบวงจรที่พื้นที่พานมีขีดจํากัด แต่ความต้องการความหนาแน่นของพลังงานยังคงสูง.

ซีรีส์ CRH ใช้การประกอบพาสต้าที่มีความต้านทานและโครงสร้างอิเล็กทรอนด์ที่ปรับปรุงขึ้นบนสับสราทเซรามิกอัลลูมิเนียม เพื่อสร้างชั้นความต้านทานผนังหนาที่มั่นคงสูงอิเล็กทรอัดปลายสามชั้น (Ag/Ni/Sn) รับประกันความน่าเชื่อถือในระยะยาวภายใต้การใช้งานภาระสูงอุปกรณ์นี้เป็น RoHS ที่สอดคล้องและเข้ากันได้กับกระบวนการผสมแบบฟรีเชือกและลื่น

2. เลขส่วนการถอดรหัส

表格

ภาค ความหมาย
CRH เครื่องต่อรองชิปผนังหนาแรงสูง
1206 ขนาดบรรจุสาร (0.125" × 0.063" / 3.2 × 1.6 มม.)
J ความละเอียดความต้านทาน ± 5%
1R50 ค่านาม 1.5Ω (R แสดงจุดหลักสิบ)
P05 พลังงานระดับ 0.5W
Z รูปแบบปลายทาง / รหัสบรรจุ

3รายละเอียดไฟฟ้าหลัก

表格

ปริมาตร มูลค่า
ความต้านทานเชิงนาม 1.5Ω
ความอดทน ± 5%
พลังประเมินที่ 70°C 0.5W
ความดันการทํางานสูงสุด 200 วอลต์
ความแรงกดเกินสูงสุด 400 วอลต์
คออฟเฟกชั่นอุณหภูมิ (TCR) ± 400 PPM/°C (สําหรับ 1Ω ≤ R < 10Ω)
อุณหภูมิการทํางาน -55°C ~ +155°C
ระยะความแรงดัน 0.07 ~ 0.71V
ขนาด 1206 (3.05 × 1.60 × 0.55 มม.)

สําหรับส่วนความต้านทานต่ํา 1.5Ω, TCR ได้กําหนดไว้ที่ ± 400 PPM/°C. ตลอดช่วง -55 °C ถึง +155 °C ทั้งหมด, ความเคลื่อนไหวความต้านทานสูงสุดประมาณ ± 0.126Ω.ผู้ออกแบบที่เกี่ยวข้องกับการตรวจจับกระแสปัจจุบันหรือการใช้งานที่สอดคล้องกับภาระ ควรนํางบประมาณการเคลื่อนไหวทางความร้อนนี้เข้าสู่ช่วงต้นของวงจรการออกแบบ.

4. ลักษณะการสร้างและกระบวนการ

อลูมิเนียเซรามิก สับสราทรากเบสอะลูมิเนีย 96% ที่มีประสิทธิภาพในการนําความร้อนประมาณ 25 W/mK ให้ความมั่นคงทางกลและเส้นทางการระบายความร้อนที่มีประสิทธิภาพความหนาของพื้นฐาน 55 มิลลิเมตรสมดุลความแข็งแรงทางกลกับความต้านทานทางความร้อน.

ผนังหนาชั้นต่อรองผงกันแบบรูเทเนียมถูกพิมพ์บนพื้นฐานและซินเตอร์ในอุณหภูมิสูงเพื่อสร้างฟิล์มกระจกหนาการประกันการกระจายความต้านทานที่สม่ําเสมอระหว่างชุดการผลิต.

อิเล็กตรอดปลาย 3 ชั้น✅ชั้นเงินภายในสร้างการสัมผัสโอฮมกับฟิล์มต่อต้าน; ป้องกันนิกเกิ้ลป้องกันการล้าง solder ระหว่างการไหลกลับ; การทําปลายดินบริสุทธิ์ภายนอกให้ความน่าเชื่อถือ soldererabilityโครงสร้างนี้กําจัดการเคลื่อนไหวความต้านทานและความล้มเหลวร่วมที่เกิดจากการบดของอิเล็กทรอนด์.

เสื้อ ผ้า ป้องกัน✅ ผิวเคลือบกระจกที่มีอุณหภูมิสูงปกคลุมฟิล์มกันหนา ป้องกันความชื้นและความเสียหายทางเครื่องจักร โดยยังคงรักษาความสมบูรณ์แบบของอุณหภูมิในสภาพความชื้น

5การลดพลังงานและการออกแบบความร้อน

ความแรง 0.5W ได้กําหนดไว้ในอุณหภูมิแวดล้อม 70 °C. มากกว่าขั้นต่ํานี้, พลังภาระต้องลดลงแบบเส้นตรง, ถึงศูนย์ที่ 155 °C.แปลงพลังงานอย่างน้อย 30% แนะนํา แปลว่าการทํางานต่อเนื่องไม่ควรเกิน 0.35W เพื่อชะลอการเก่าของฟิล์มแบบมีความต้านทาน และขยายอายุการใช้งาน

สําหรับการวางแผน PCB รูปแบบที่ดิน 1206 ควรเป็น symmetrical หลีกเลี่ยงหลั่งทองแดงขนาดใหญ่ใต้แผ่นหนึ่งที่สร้างมวลความร้อนไม่เท่าเทียมกันเนื่องจากสิ่งนี้อาจทําให้เกิดอาการแมนฮัตตัน (Tombstoning) ระหว่างการไหลกลับในการออกแบบความหนาแน่นของพลังงานสูง, การจัดตั้งของทางทางความร้อนภายใต้ตัวต้านทานสามารถนําความร้อนไปยังชั้นภายในหรือระนาบทองแดงด้านหลัง

6การใช้งานทั่วไป

  • การจัดการพลังงาน: เครื่องกันแรงแรงกระแสที่ตรวจจับกระแสและแรงผลิตในเครื่องแปลง DC-DC
  • อิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภค: ลุ้นจํากัดและตรวจจับกระแสในเครื่องชาร์จที่สมาร์ทและแบงค์พลังงาน
  • การควบคุมอุตสาหกรรม: การปรับสัญลักษณ์และการระงับระยะพลังงานใน servo drive และ inverters
  • อิเล็กทรอนิกส์รถยนต์: เครื่องชาร์จบนเครื่องและ BMS (แบบประเภทรถยนต์ต้องมีคุณสมบัติ AEC-Q200)
  • การโทรคมนาคม: สายวงจรเบี้ยวและสายปลายในโมดูลพลังงานของสถานีฐานและเครื่องรับแสง

ในระบบการตรวจจับกระแสไฟฟ้า 1.5Ω ที่ 0.5W สนับสนุนกระแสไฟฟ้าต่อเนื่องสูงสุดประมาณ 0.577A (P = I2R)ทําให้มันเหมาะสําหรับการตรวจจับอัตราการกระแสไฟฟ้าเกินและการแบ่งปันอัตราการกระแสไฟฟ้าในแหล่งพลังงานต่ําถึงกลาง.

7การจัดหาและจําหน่าย

EVEROHMS มีเครือข่ายจําหน่ายที่ได้รับอนุญาตอย่างครบถ้วนในประเทศจีนบริษัทเชนเจน ชุนไฮ เทคโนโลยี จํากัด, ผู้จําหน่าย EVEROHMS ที่ได้รับอนุญาต มีสินค้าครบวงจร CRH และให้การสนับสนุนทางเทคนิคในระดับโรงงาน พร้อมกับการดําเนินงาน BOM ที่เดียวตอบสนองความต้องการทั้งการสร้างต้นแบบและการผลิตปริมาณ.

สําหรับการจัดซื้อออนไลน์ห้างสรรพสินค้าฮัวเนียนเปิดให้บริการคัดกรอง EVEROHMS ครบถ้วน พร้อมการค้นหาคลังสินค้าในเวลาจริง และการจัดส่งชุดเล็กที่รวดเร็ว

เมื่อเลือกตัวแทน พบว่า CRH1206J1R50P05Z และ CRH1206F1R50P05S มีความแตกต่างในความอดทน (J = ± 5% vs F = ± 1%) และรหัสการบรรจุ พวกเขาไม่ใช่ตัวแทนที่ลงตรงเกรดที่เหมาะสมควรถูกเลือกขึ้นอยู่กับงบประมาณความอดทนของวงจร.

8สรุป

CRH1206J1R50P05Z ประสบความสําเร็จการสูญเสียพลังงาน 0.5W ใน 1206 ต้นเท้า, ให้บริการที่ประหยัดและยังสามารถแก้ไขในส่วนของความต้านทานต่ํา.กระบวนการผนังหนาที่成熟และโซ่การจําหน่ายที่มั่นคงทําให้มันเป็นทางเลือกทั่วไปสําหรับการจํากัดกระแสการตรวจจับและการจับคู่ภาระในพลังงาน อุตสาหกรรมและอิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภคผู้ออกแบบควรให้ความสนใจอย่างใกล้ชิดกับผลกระทบของ TCR ต่อความแม่นยําที่มีค่าต่ํา และนําการกําหนดพลังงานที่เหมาะสมและการจัดการความร้อนของ PCB มาใช้เพื่อทําประโยชน์จากศักยภาพการทํางานขององค์ประกอบอย่างเต็มที่.

ส่งข้อสอบของคุณตรงมาหาเรา