คุณภาพ 3 ม. โอห์ม (0.003 โอห์ม) 1225 (6.4 มม. * 3.2 มม.) ตัวต้านทานชิปเทอร์มินัลแบบกว้าง 3W ± 1% HTE วอลเตอร์ โรงงาน

3 ม. โอห์ม (0.003 โอห์ม) 1225 (6.4 มม. * 3.2 มม.) ตัวต้านทานชิปเทอร์มินัลแบบกว้าง 3W ± 1% HTE วอลเตอร์

Name: 3 ม. โอห์ม (0.003 โอห์ม) 1225 (6.4 มม. * 3.2 มม.) ตัวต้านทานชิปเทอร์มินัลแบบกว้าง 3W ± 1% HTE วอลเตอร์
Brand: Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.
SKU: HTE2512M3W0R003F
Price: negotiable USD
Availability: InStock

สถานที่ผลิต: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Walter

การรับรอง: RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น: HTE2512M3W0R003F

รายละเอียดสินค้า

สถานที่ผลิต:

ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์:

Walter

การรับรอง:

RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น:

HTE2512M3W0R003F

ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:

4000

ราคา:

negotiable

บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน:

4000

เวลาการส่งมอบ:

3-5 วันทำการ

เงื่อนไขการชำระเงิน:

ที/ที

Supply Ability:

มีปริมาณมาก

รายละเอียด

Name:

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

Manufacturer:

วอลเตอร์

Series:

HTE

Size:

1225(6.4มม.*3.2มม.)

Resistance Range:

3 ม. โอห์ม (0.003 โอห์ม)

Tolerance:

±1%

Power Rating:

3ว

Operating Temperature Range:

-55°ซ ถึง +155°ซ

Temperature Coefficient:

±100 ppm/°C

Material:

โลหะผสม MnCu

Per Reel:

4000

Features:

ความแม่นยำสูง พลังงานสูง ตั๋วอุณหภูมิต่ำ ความเหนี่ยวนำต่ำ

Applications:

การตรวจจับกระแสไฟฟ้า, แหล่งจ่ายไฟ, การควบคุมมอเตอร์, การจัดการแบตเตอรี่, ตัวแปลงความถี่, สถานีฐาน 5G

เน้น:

ตัวต้านทานขั้วกว้าง 3m โอห์ม

6เครื่องต่อรองชิปขนาด.4 มิลลิเมตร 3.2 มิลลิเมตร

ความต้านทาน 3W ± 1% HTE วอลเตอร์

คําอธิบายสินค้า

3m โอห์ม (0.003 โอห์ม) 1225 (6.4มม. × 3.2มม.) ตัวต้านทานชิปแบบเทอร์มินัลกว้าง 3W ±1% HTE Walter

ตัวต้านทานเทอร์มินัลกว้าง 3m โอห์ม โลหะผสม MnCu ตัวต้านทาน SMD 3W ค่าความเหนี่ยวนำต่ำ ตัวต้านทานชิปแบบเทอร์มินัลกว้าง 1225 (6.4มม. × 3.2มม.) จากซีรีส์ HTE ของ Walter ให้ค่าความต้านทาน 3m โอห์ม (0.003 โอห์ม) พร้อมความคลาดเคลื่อน ±1% และกำลังไฟ 3W ทำให้ผู้ออกแบบมีชิ้นส่วนแบบติดตั้งบนพื้นผิวขนาดกะทัดรัดที่รักษาประสิทธิภาพให้คงที่ภายใต้ภาระและอุณหภูมิ

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

ชื่อ	ตัวต้านทานเทอร์มินัลกว้าง
ผู้ผลิต	Walter
ซีรีส์	HTE
ขนาด	1225 (6.4มม. × 3.2มม.)
ช่วงความต้านทาน	3m โอห์ม (0.003 โอห์ม)
ความคลาดเคลื่อน	±1%
กำลังไฟที่กำหนด	3W
ช่วงอุณหภูมิการทำงาน	-55°C ถึง +155°C
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ	±100 ppm/°C

คุณสมบัติหลัก

การจัดการกำลังไฟ 3W ที่เสถียรสำหรับวงจรที่ต้องการ
ความคลาดเคลื่อน ±1% เพื่อความแม่นยำในการวัดที่เชื่อถือได้
ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิที่ต่ำ ±100 ppm/°C ซึ่งช่วยรักษาค่าให้คงที่เมื่อบอร์ดร้อนขึ้น
วัสดุองค์ประกอบโลหะผสม MnCu เพื่อประสิทธิภาพที่สม่ำเสมอและทำซ้ำได้
ขนาดกะทัดรัด 1225 (6.4มม. × 3.2มม.) แบบ SMD เหมาะสำหรับการประกอบแบบรีโฟลว์ความหนาแน่นสูง
โครงสร้างที่สอดคล้องกับ RoHS / REACH สำหรับการผลิตแบบไร้สารตะกั่ว

การใช้งาน

การตรวจจับกระแส
แหล่งจ่ายไฟ
การควบคุมมอเตอร์
การจัดการแบตเตอรี่
ตัวแปลงความถี่
สถานีฐาน 5G
ไฟ LED

ตัวต้านทานชิปแบบเทอร์มินัลกว้างนี้เหมาะสำหรับการใช้งานในการตรวจจับกระแส, แหล่งจ่ายไฟ, การควบคุมมอเตอร์, การจัดการแบตเตอรี่, ตัวแปลงความถี่, สถานีฐาน 5G และไฟ LED โครงสร้างโลหะผสม MnCu และพฤติกรรมทางไฟฟ้าที่เสถียรช่วยให้ผู้ออกแบบเป็นไปตามความคลาดเคลื่อนที่เข้มงวดในการตรวจจับกระแส, การแปลงพลังงานและวงจรป้องกัน ในขณะที่ตัวเครื่องขนาด 1225 (6.4มม. × 3.2มม.) ช่วยให้การจัดวางมีขนาดกะทัดรัด

ทำไมต้องเลือกชิ้นส่วนนี้

การซื้อโดยตรงจากผู้ผลิตทำให้ซีรีส์ HTE มีราคาที่แข่งขันได้พร้อมระยะเวลารอคอยสั้น ทุกชุดจะได้รับการทดสอบทางไฟฟ้าก่อนบรรจุ ดังนั้นค่าความต้านทานและความคลาดเคลื่อนที่คุณระบุคือค่าที่คุณได้รับ

การบรรจุภัณฑ์และการประกันคุณภาพ

จัดส่งบนเทปและม้วนสำหรับการประกอบแบบ pick-and-place อัตโนมัติ ในปริมาณม้วนมาตรฐานสำหรับสาย SMT ทุกการจัดส่งเป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และ REACH และสามารถมาพร้อมกับใบรับรองการปฏิบัติตามคำขอ ติดต่อเราเพื่อขอตัวอย่าง, เอกสารข้อมูล และราคาปริมาณที่ปรับให้เหมาะกับโครงการของคุณ