คุณภาพ 4m ohm (0.004 ohm) 1225 ตัวต้านทานชิป 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD เป็นไปตาม RoHS โรงงาน

4m ohm (0.004 ohm) 1225 ตัวต้านทานชิป 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD เป็นไปตาม RoHS

Name: 4m ohm (0.004 ohm) 1225 ตัวต้านทานชิป 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD เป็นไปตาม RoHS
Brand: Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.
SKU: HTE2512M3W0R004F
Price: negotiable USD
Availability: InStock

สถานที่ผลิต: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Walter

การรับรอง: RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น: HTE2512M3W0R004F

รายละเอียดสินค้า

สถานที่ผลิต:

ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์:

Walter

การรับรอง:

RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น:

HTE2512M3W0R004F

ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:

4000

ราคา:

negotiable

บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน:

4000

เวลาการส่งมอบ:

3-5 วันทำการ

เงื่อนไขการชำระเงิน:

ที/ที

Supply Ability:

มีปริมาณมาก

รายละเอียด

Name:

ตัวต้านทานพิกัดกำลังไฟฟ้า

Manufacturer:

วอลเตอร์

Series:

HTE

Size:

1225(6.4มม.*3.2มม.)

Resistance Range:

4 ม. โอห์ม (0.004 โอห์ม)

Tolerance:

±1%

Power Rating:

3ว

Operating Temperature Range:

-55°ซ ถึง +155°ซ

Temperature Coefficient:

±100 ppm/°C

Material:

โลหะผสม MnCu

Per Reel:

4000

Features:

ความแม่นยำสูง พลังงานสูง ตั๋วอุณหภูมิต่ำ ความเหนี่ยวนำต่ำ

Applications:

การตรวจจับกระแสไฟฟ้า, แหล่งจ่ายไฟ, การควบคุมมอเตอร์, การจัดการแบตเตอรี่, ตัวแปลงความถี่, สถานีฐาน 5G

เน้น:

ตัวต้านทานชิป 4 โอห์ม 1225

ตัวต้านทาน SMD ความแม่นยำสูง 3W

HTE วอลเตอร์ ทอมมิเนลความต้านทานกว้าง

คําอธิบายสินค้า

4m Ohm (0.004 Ohm) 1225 ชิปต่อรอง - 3W ± 1% HTE Walter SMD ความแม่นยําสูง

ชิปต่อรองขนาด 1225 จาก Walter HTE Series ส่งความต้านทาน 4m ohm (0.004 ohm) ด้วยความอดทน ± 1% และพลังงานระดับ 3Wให้ผู้ออกแบบมีส่วนประกอบที่ติดตั้งบนพื้นผิวที่คอมพัคต์ เพื่อรักษาผลงานที่คงที่ ภายใต้ความแตกต่างของภาระและอุณหภูมิ.

รายละเอียดเทคนิค

ชื่อ	พลังงานเรตติ้ง
ผู้ผลิต	วอลเตอร์
ซีรี่ย์	HTE
ขนาด	1225 (6.4 มิลลิเมตร × 3.2 มิลลิเมตร)
ระยะความต้านทาน	4m ohm (0.004 ohm)
ความอดทน	± 1%
การจัดอันดับพลังงาน	3W
ระยะอุณหภูมิการทํางาน	-55°C ถึง +155°C
สัมพันธ์อุณหภูมิ	± 100 ppm/°C

ลักษณะสําคัญ

การจัดการพลังงานระดับ 3W ที่มั่นคงสําหรับวงจรที่ต้องการ
± 1% ความละเอียดในการวัดที่น่าเชื่อถือ
คณิตอุณหภูมิต่ํา ± 100 ppm/°C ที่รักษาความมั่นคงของค่าระหว่างอัตราอุณหภูมิเปลี่ยนแปลง
วัสดุส่วนประกอบจากสแตนเคียร์ MnCu เพื่อผลประกอบที่คงที่และซ้ําได้
สะสม 1225 SMD footprint เหมาะสําหรับการประกอบการระบายความหนาแน่นสูง
การก่อสร้างที่สอดคล้องกับ RoHS / REACH สําหรับการผลิตที่ไม่มีหมู

การใช้งาน

ชิปต่อรองนี้เหมาะสําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้า ระบบไฟฟ้า การควบคุมมอเตอร์ การจัดการแบตเตอรี่ เครื่องแปลงความถี่ สถานีฐาน 5G และการใช้งานไฟ LEDการ สร้าง สารสกัด MnCu และพฤติกรรมไฟฟ้าที่มั่นคง ช่วยให้นักออกแบบตอบสนองความอดทนที่เข้มงวดในการตรวจจับกระแสไฟฟ้า, การแปลงพลังงานและวงจรป้องกัน ขณะที่แพคเกจ 1225 ยังคงวางแผนการพานที่คอมพักทัด

ข้อดีของผู้ผลิต

การจัดซื้อโดยตรงจากผู้ผลิตทําให้การจัดซื้อ HTE มีราคาที่แข่งขันได้ และมีเวลาในการนําเสนอที่สั้นการรับประกันว่าค่าความต้านทานและความอดทนที่กําหนดไว้จะถูกต้อง.

บรรจุภัณฑ์และการประกันคุณภาพ

จําหน่ายบนเทปและม้วนสําหรับการประกอบแบบอัตโนมัติในการเลือกและวางในปริมาณม้วนมาตรฐานสําหรับสายการผลิต SMTส่งทั้งหมดสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS และ REACH และมีใบรับรองการสอดคล้องตามคําขอติดต่อเราเพื่อตัวอย่าง, แผ่นข้อมูล, และราคาปริมาณที่ปรับปรุงตามความต้องการของโครงการของคุณ