คุณภาพ 9m ohm (0.009 ohm) 1225 ตัวต้านทานชิปเทอร์มินัลแบบกว้าง 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD โรงงาน

9m ohm (0.009 ohm) 1225 ตัวต้านทานชิปเทอร์มินัลแบบกว้าง 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD

Name: 9m ohm (0.009 ohm) 1225 ตัวต้านทานชิปเทอร์มินัลแบบกว้าง 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD
Brand: Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.
SKU: HTE2512M3W0R009F
Price: negotiable USD
Availability: InStock

สถานที่ผลิต: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Walter

การรับรอง: RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น: HTE2512M3W0R009F

รายละเอียดสินค้า

สถานที่ผลิต:

ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์:

Walter

การรับรอง:

RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น:

HTE2512M3W0R009F

ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:

4000

ราคา:

negotiable

บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน:

4000

เวลาการส่งมอบ:

3-5 วันทำการ

เงื่อนไขการชำระเงิน:

ที/ที

Supply Ability:

มีปริมาณมาก

รายละเอียด

Manufacturer:

วอลเตอร์

Series:

HTE

Size:

1225(6.4มม.*3.2มม.)

Resistance Range:

9 ม. โอห์ม (0.009 โอห์ม)

Tolerance:

±1%

Power Rating:

3ว

Operating Temperature Range:

-55°ซ ถึง +155°ซ

Temperature Coefficient:

±100 ppm/°C

Material:

โลหะผสม MnCu

Per Reel:

4000

Features:

ความแม่นยำสูง พลังงานสูง ตั๋วอุณหภูมิต่ำ ความเหนี่ยวนำต่ำ

Applications:

การตรวจจับกระแสไฟฟ้า, แหล่งจ่ายไฟ, การควบคุมมอเตอร์, การจัดการแบตเตอรี่, ตัวแปลงความถี่, สถานีฐาน 5G

เน้น:

ตัวต้านทานชิปแบบเทอร์มินัลกว้าง 3W

ตัวต้านทาน SMD ความแม่นยำสูง 1225

เครื่องต่อรองปลายทางความกว้าง 9m ohm

คําอธิบายสินค้า

9mΩ (0.009Ω) ตัวต้านทานชิปแบบเทอร์มินัลกว้าง 1225 ขนาด 3W ±1%

ตัวต้านทานแบบเทอร์มินัลกว้างที่มีค่าโอห์มต่ำมาก ออกแบบมาสำหรับการใช้งานตรวจจับกระแสในสถานีฐาน 5G ตัวต้านทานชิปแบบเทอร์มินัลกว้าง 1225 จากซีรีส์ HTE ของ Walter ให้ค่าความต้านทาน 9mΩ (0.009Ω) ด้วยความคลาดเคลื่อน ±1% และกำลังไฟ 3W ทำให้ผู้ออกแบบมีส่วนประกอบแบบติดตั้งบนพื้นผิวขนาดกะทัดรัดที่รักษาประสิทธิภาพที่เสถียรภายใต้ภาระและการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิ

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

ผู้ผลิต	Walter
ซีรีส์	HTE
ขนาด	1225 (6.4 มม. × 3.2 มม.)
ช่วงความต้านทาน	9mΩ (0.009Ω)
ความคลาดเคลื่อน	±1%
กำลังไฟที่กำหนด	3W
ช่วงอุณหภูมิการทำงาน	-55°C ถึง +155°C
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ	±100 ppm/°C
วัสดุ	โลหะผสม MnCu

คุณสมบัติหลัก

การจัดการกำลังไฟ 3W ที่เสถียรสำหรับวงจรที่ต้องการ
ความคลาดเคลื่อน ±1% เพื่อความแม่นยำในการวัดที่เชื่อถือได้
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ ±100 ppm/°C ต่ำ เพื่อประสิทธิภาพที่เสถียรตลอดการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิ
วัสดุองค์ประกอบโลหะผสม MnCu เพื่อประสิทธิภาพที่สม่ำเสมอและทำซ้ำได้
ขนาดกะทัดรัด 1225 SMD เหมาะสำหรับการประกอบแบบ Reflow ความหนาแน่นสูง
โครงสร้างที่สอดคล้องกับ RoHS / REACH สำหรับการผลิตแบบไร้สารตะกั่ว

การใช้งาน

ตัวต้านทานชิปแบบเทอร์มินัลกว้างนี้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการตรวจจับกระแส ระบบจ่ายไฟ การควบคุมมอเตอร์ การจัดการแบตเตอรี่ ตัวแปลงความถี่ สถานีฐาน 5G และการใช้งานไฟ LED โครงสร้างโลหะผสม MnCu และคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่เสถียรช่วยให้ผู้ออกแบบเป็นไปตามความคลาดเคลื่อนที่เข้มงวดในการตรวจจับกระแส การแปลงกำลังไฟ และวงจรป้องกัน ในขณะที่ตัวเครื่อง 1225 ขนาดกะทัดรัดช่วยให้การจัดวางที่ประหยัดพื้นที่

ข้อได้เปรียบของผู้ผลิต

การจัดหาโดยตรงจากผู้ผลิตทำให้มั่นใจได้ว่าซีรีส์ HTE มีราคาที่แข่งขันได้พร้อมระยะเวลารอคอยสั้นๆ ทุกชุดจะผ่านการทดสอบทางไฟฟ้าอย่างครอบคลุมก่อนบรรจุภัณฑ์ เพื่อรับประกันว่าค่าความต้านทานและความคลาดเคลื่อนที่ระบุจะถูกส่งมอบอย่างแม่นยำ

การบรรจุภัณฑ์และการประกันคุณภาพ

จัดส่งบนเทปและม้วนสำหรับการประกอบแบบ Pick-and-Place อัตโนมัติในปริมาณม้วนมาตรฐานสำหรับสายการผลิต SMT การจัดส่งทั้งหมดเป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และ REACH และรวมใบรับรองการปฏิบัติตามเมื่อร้องขอ ติดต่อเราเพื่อขอตัวอย่าง เอกสารข้อมูล และราคาขายส่งที่ปรับให้เหมาะกับความต้องการของโครงการของคุณ