คุณภาพ 10 ม. โอห์ม (0.01 โอห์ม) 1225 (6.4 มม. * 3.2 มม.) ตัวต้านทานชิป 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD โรงงาน

10 ม. โอห์ม (0.01 โอห์ม) 1225 (6.4 มม. * 3.2 มม.) ตัวต้านทานชิป 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD

Name: 10 ม. โอห์ม (0.01 โอห์ม) 1225 (6.4 มม. * 3.2 มม.) ตัวต้านทานชิป 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD
Brand: Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.
SKU: HTE2512M3W0R010F
Price: negotiable USD
Availability: InStock

สถานที่ผลิต: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Walter

การรับรอง: RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น: HTE2512M3W0R010F

รายละเอียดสินค้า

สถานที่ผลิต:

ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์:

Walter

การรับรอง:

RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น:

HTE2512M3W0R010F

ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:

4000

ราคา:

negotiable

บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน:

4000

เวลาการส่งมอบ:

3-5 วันทำการ

เงื่อนไขการชำระเงิน:

ที/ที

Supply Ability:

มีปริมาณมาก

รายละเอียด

Name:

ตัวต้านทาน 10 โอห์ม 3 วัตต์

Manufacturer:

วอลเตอร์

Series:

HTE

Size:

1225(6.4มม.*3.2มม.)

Resistance Range:

10 ม. โอห์ม (0.01 โอห์ม)

Tolerance:

±1%

Power Rating:

3ว

Operating Temperature Range:

-55°ซ ถึง +155°ซ

Temperature Coefficient:

±50 แผ่นต่อนาที/°C

Material:

โลหะผสม MnCu

Per Reel:

4000

Features:

ความแม่นยำสูง พลังงานสูง ตั๋วอุณหภูมิต่ำ ความเหนี่ยวนำต่ำ

Applications:

การตรวจจับกระแสไฟฟ้า, แหล่งจ่ายไฟ, การควบคุมมอเตอร์, การจัดการแบตเตอรี่, ตัวแปลงความถี่, สถานีฐาน 5G

เน้น:

เครื่องต่อรองชิป 10m Ohm 3W

1225 SMD resistor ความแม่นยําสูง

HTE วอลเตอร์ ทอมมิเนลความต้านทานกว้าง

คําอธิบายสินค้า

10m โอห์ม (0.01 โอห์ม) ตัวต้านทานชิป 3W ±1%

ตัวต้านทาน 10 โอห์ม 3W ที่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS พร้อมโครงสร้างอัลลอยด์ MnCu และ TCR ต่ำสำหรับการใช้งานตรวจจับกระแสที่มีความแม่นยำสูง ตัวต้านทานชิปขนาด 1225 (6.4 มม. × 3.2 มม.) จากซีรีส์ HTE ของ Walter ให้ประสิทธิภาพที่เชื่อถือได้ด้วยความต้านทานที่เสถียรภายใต้สภาวะโหลดและอุณหภูมิที่แตกต่างกัน

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

ชื่อผลิตภัณฑ์	ตัวต้านทาน 10 โอห์ม 3W
ผู้ผลิต	Walter
ซีรีส์	HTE
ขนาด	1225 (6.4 มม. × 3.2 มม.)
ความต้านทาน	10m โอห์ม (0.01 โอห์ม)
ความคลาดเคลื่อน	±1%
กำลังไฟพิกัด	3W
อุณหภูมิใช้งาน	-55°C ถึง +155°C
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ	±50 ppm/°C

คุณสมบัติหลัก

การจัดการกำลังไฟพิกัด 3W ที่เสถียรสำหรับวงจรที่ต้องการ
ความคลาดเคลื่อน ±1% เพื่อความแม่นยำในการวัดที่เชื่อถือได้
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิต่ำ ±50 ppm/°C รักษาความเสถียรระหว่างการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิ
วัสดุองค์ประกอบอัลลอยด์ MnCu รับประกันประสิทธิภาพที่สม่ำเสมอและทำซ้ำได้
พื้นที่ผิว SMD ขนาดกะทัดรัด 1225 (6.4 มม. × 3.2 มม.) เหมาะสำหรับการประกอบแบบรีโฟลว์ที่มีความหนาแน่นสูง
โครงสร้างที่สอดคล้องกับ RoHS และ REACH สำหรับการผลิตแบบไร้สารตะกั่ว

การใช้งาน

ตัวต้านทานชิปนี้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการตรวจจับกระแส ระบบจ่ายไฟ การควบคุมมอเตอร์ การจัดการแบตเตอรี่ ตัวแปลงความถี่ สถานีฐาน 5G และการใช้งานไฟ LED โครงสร้างอัลลอยด์ MnCu และคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่เสถียรช่วยให้นักออกแบบบรรลุความคลาดเคลื่อนที่เข้มงวดในการตรวจจับกระแส การแปลงพลังงาน และวงจรป้องกัน ในขณะที่ยังคงรักษาเลย์เอาต์ที่กะทัดรัด

คุณภาพและการบรรจุภัณฑ์

จัดส่งบนเทปและม้วนสำหรับการประกอบแบบหยิบและวางอัตโนมัติในปริมาณม้วนมาตรฐาน ทุกชุดจะผ่านการทดสอบทางไฟฟ้าก่อนบรรจุภัณฑ์เพื่อให้แน่ใจว่าค่าความต้านทานและความคลาดเคลื่อนที่ระบุไว้ การจัดส่งทั้งหมดเป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และ REACH พร้อมใบรับรองการปฏิบัติตามที่สามารถขอได้