คุณภาพ 12m ohm (0.012 ohm) 1225 ตัวต้านทานชิปเทอร์มินัลแบบกว้าง 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD โรงงาน

12m ohm (0.012 ohm) 1225 ตัวต้านทานชิปเทอร์มินัลแบบกว้าง 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD

Name: 12m ohm (0.012 ohm) 1225 ตัวต้านทานชิปเทอร์มินัลแบบกว้าง 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD
Brand: Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.
SKU: HTE2512M3W0R012F
Price: negotiable USD
Availability: InStock

สถานที่ผลิต: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Walter

การรับรอง: RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น: HTE2512M3W0R012F

รายละเอียดสินค้า

สถานที่ผลิต:

ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์:

Walter

การรับรอง:

RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น:

HTE2512M3W0R012F

ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:

4000

ราคา:

negotiable

บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน:

4000

เวลาการส่งมอบ:

3-5 วันทำการ

เงื่อนไขการชำระเงิน:

ที/ที

Supply Ability:

มีปริมาณมาก

รายละเอียด

Name:

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

Manufacturer:

วอลเตอร์

Series:

HTE

Size:

1225(6.4มม.*3.2มม.)

Resistance Range:

12 ม. โอห์ม (0.012 โอห์ม)

Tolerance:

±1%

Power Rating:

3ว

Operating Temperature Range:

-55°ซ ถึง +155°ซ

Temperature Coefficient:

±50 แผ่นต่อนาที/°C

Material:

โลหะผสม MnCu

Per Reel:

4000

Features:

ความแม่นยำสูง พลังงานสูง ตั๋วอุณหภูมิต่ำ ความเหนี่ยวนำต่ำ

Applications:

การตรวจจับกระแสไฟฟ้า, แหล่งจ่ายไฟ, การควบคุมมอเตอร์, การจัดการแบตเตอรี่, ตัวแปลงความถี่, สถานีฐาน 5G

เน้น:

อุปทานชิปปลายทางขนาด 12m ohm

ตัวต้านทาน SMD ความแม่นยำสูง 1225

3W HTE วอลเตอร์ชิปต่อรอง

คําอธิบายสินค้า

12m โอห์ม (0.012 โอห์ม) ตัวต้านทานชิปแบบเทอร์มินัลกว้าง 1225 กำลังไฟ 3W ±1%

ตัวต้านทานชิปแบบเทอร์มินัลกว้าง 1225 จากซีรีส์ HTE ของ Walter ให้ค่าความต้านทาน 12m โอห์ม (0.012 โอห์ม) ด้วยความคลาดเคลื่อน ±1% และกำลังไฟ 3W ทำให้ผู้ออกแบบมีชิ้นส่วนแบบ surface-mount ขนาดกะทัดรัดที่รักษาประสิทธิภาพที่เสถียรภายใต้ภาระและอุณหภูมิที่เปลี่ยนแปลง

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

ชื่อ	ตัวต้านทานเทอร์มินัลกว้าง
ผู้ผลิต	Walter
ซีรีส์	HTE
ขนาด	1225 (6.4 มม. × 3.2 มม.)
ช่วงความต้านทาน	12m โอห์ม (0.012 โอห์ม)
ความคลาดเคลื่อน	±1%
กำลังไฟ	3W
ช่วงอุณหภูมิการทำงาน	-55°C ถึง +155°C
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ	±50 ppm/°C

คุณสมบัติหลัก

การจัดการกำลังไฟ 3W ที่เสถียรสำหรับวงจรที่ต้องการ
ความคลาดเคลื่อน ±1% เพื่อความแม่นยำในการวัดที่เชื่อถือได้
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ ±50 ppm/°C ต่ำที่รักษาความเสถียรของค่าระหว่างการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิ
วัสดุองค์ประกอบอัลลอยด์ MnCu เพื่อประสิทธิภาพที่สม่ำเสมอและทำซ้ำได้
ขนาดกะทัดรัด 1225 SMD เหมาะสำหรับการประกอบแบบ reflow ความหนาแน่นสูง
โครงสร้างที่สอดคล้องกับ RoHS / REACH สำหรับการผลิตแบบไร้สารตะกั่ว

การใช้งาน

ตัวต้านทานชิปแบบเทอร์มินัลกว้างนี้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการตรวจจับกระแส, ระบบจ่ายไฟ, การควบคุมมอเตอร์, การจัดการแบตเตอรี่, ตัวแปลงความถี่, สถานีฐาน 5G และการใช้งานไฟ LED โครงสร้างอัลลอยด์ MnCu และพฤติกรรมทางไฟฟ้าที่เสถียรช่วยให้ผู้ออกแบบเป็นไปตามความคลาดเคลื่อนที่เข้มงวดในวงจรตรวจจับกระแส, การแปลงกำลังไฟ และการป้องกัน ในขณะที่ตัวเครื่อง 1225 ขนาดกะทัดรัดช่วยให้การจัดวางที่ประหยัดพื้นที่

ทำไมต้องเลือกชิ้นส่วนนี้

การซื้อโดยตรงจากผู้ผลิตทำให้มั่นใจได้ว่าซีรีส์ HTE มีราคาที่แข่งขันได้พร้อมระยะเวลารอคอยสั้นๆ ทุกชุดจะผ่านการทดสอบทางไฟฟ้าก่อนบรรจุภัณฑ์ เพื่อรับประกันว่าค่าความต้านทานและความคลาดเคลื่อนที่ระบุจะถูกส่งมอบอย่างแม่นยำ

การบรรจุภัณฑ์และการประกันคุณภาพ

จัดส่งบนเทปและม้วนสำหรับการประกอบแบบ pick-and-place อัตโนมัติในปริมาณม้วนมาตรฐานสำหรับสายการผลิต SMT การจัดส่งทั้งหมดเป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และ REACH และสามารถมาพร้อมกับใบรับรองการปฏิบัติตามคำขอ ติดต่อเราเพื่อขอตัวอย่าง, เอกสารข้อมูล และราคาปริมาณที่ปรับให้เหมาะกับความต้องการของโครงการของคุณ