คุณภาพ 30 ม. โอห์ม (0.03 โอห์ม) 1225 (6.4 มม. * 3.2 มม.) ตัวต้านทานชิป 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD โรงงาน

30 ม. โอห์ม (0.03 โอห์ม) 1225 (6.4 มม. * 3.2 มม.) ตัวต้านทานชิป 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD

Name: 30 ม. โอห์ม (0.03 โอห์ม) 1225 (6.4 มม. * 3.2 มม.) ตัวต้านทานชิป 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD
Brand: Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.
SKU: HTE2512M3W0R030F
Price: negotiable USD
Availability: InStock

สถานที่ผลิต: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Walter

การรับรอง: RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น: HTE2512M3W0R030F

รายละเอียดสินค้า

สถานที่ผลิต:

ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์:

Walter

การรับรอง:

RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น:

HTE2512M3W0R030F

ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:

4000

ราคา:

negotiable

บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน:

4000

เวลาการส่งมอบ:

3-5 วันทำการ

เงื่อนไขการชำระเงิน:

ที/ที

Supply Ability:

มีปริมาณมาก

รายละเอียด

Name:

ตัวต้านทานกระแสไฟ SMD

Manufacturer:

วอลเตอร์

Series:

HTE

Size:

1225(6.4มม.*3.2มม.)

Resistance Range:

30 ม. โอห์ม (0.03 โอห์ม)

Tolerance:

±1%

Power Rating:

3ว

Operating Temperature Range:

-55°ซ ถึง +155°ซ

Temperature Coefficient:

±50 แผ่นต่อนาที/°C

Material:

โลหะผสม MnCu

Per Reel:

4000

Features:

ความแม่นยำสูง พลังงานสูง ตั๋วอุณหภูมิต่ำ ความเหนี่ยวนำต่ำ

Applications:

การตรวจจับกระแสไฟฟ้า, แหล่งจ่ายไฟ, การควบคุมมอเตอร์, การจัดการแบตเตอรี่, ตัวแปลงความถี่, สถานีฐาน 5G

เน้น:

ตัวต้านทานชิปความแม่นยำสูง 3W

ตัวต้านทาน SMD ขนาด 1225

ตัวต้านทานแบบเทอร์มินัลกว้างพร้อมการรับประกัน

คําอธิบายสินค้า

30m โอห์ม (0.03 โอห์ม) ตัวต้านทานชิป 1225 - 3W ±1% ซีรีส์ HTE

ตัวต้านทาน SMD กำลังสูง 30m โอห์ม ความแม่นยำสูง 3 วัตต์ สำหรับการวัดกระแสและแหล่งจ่ายไฟ ตัวต้านทานชิปขนาด 1225 (6.4 มม. × 3.2 มม.) จากซีรีส์ Walter HTE นี้ให้ค่าความต้านทาน 30m โอห์ม (0.03 โอห์ม) ด้วยความคลาดเคลื่อน ±1% และกำลังไฟ 3W ทำให้ผู้ออกแบบมีส่วนประกอบแบบติดตั้งบนพื้นผิวขนาดกะทัดรัดที่คงประสิทธิภาพที่เสถียรภายใต้ภาระและอุณหภูมิที่เปลี่ยนแปลง

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

ชื่อ	ตัวต้านทาน SMD กำลังสูง
ผู้ผลิต	Walter
ซีรีส์	HTE
ขนาด	1225 (6.4 มม. × 3.2 มม.)
ช่วงความต้านทาน	30m โอห์ม (0.03 โอห์ม)
ความคลาดเคลื่อน	±1%
กำลังไฟที่กำหนด	3W
ช่วงอุณหภูมิการทำงาน	-55°C ถึง +155°C
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ	±50 ppm/°C

คุณสมบัติหลัก

การจัดการกำลังไฟ 3W ที่เสถียรสำหรับวงจรที่ต้องการ
ความคลาดเคลื่อน ±1% เพื่อความแม่นยำในการวัดที่เชื่อถือได้
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ ±50 ppm/°C ที่ต่ำ ซึ่งรักษาค่าที่เสถียรระหว่างการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิ
วัสดุแกนอัลลอยด์ MnCu เพื่อประสิทธิภาพที่สม่ำเสมอและทำซ้ำได้
ขนาดกะทัดรัด 1225 (6.4 มม. × 3.2 มม.) แบบ SMD เหมาะสำหรับการประกอบแบบรีโฟลว์ความหนาแน่นสูง
โครงสร้างที่สอดคล้องกับ RoHS / REACH สำหรับการผลิตแบบไร้สารตะกั่ว

การใช้งาน

ตัวต้านทานชิปนี้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการวัดกระแส, ระบบแหล่งจ่ายไฟ, การควบคุมมอเตอร์, การจัดการแบตเตอรี่, ตัวแปลงความถี่, สถานีฐาน 5G และการใช้งานไฟ LED โครงสร้างอัลลอยด์ MnCu และพฤติกรรมทางไฟฟ้าที่เสถียรช่วยให้ผู้ออกแบบบรรลุความคลาดเคลื่อนที่เข้มงวดในการวัดกระแส, การแปลงกำลังไฟ และวงจรป้องกัน ในขณะที่ขนาดตัวถัง 1225 ที่กะทัดรัดช่วยให้การจัดวางที่ประหยัดพื้นที่

ทำไมต้องเลือกชิ้นส่วนนี้

การซื้อโดยตรงจากผู้ผลิตทำให้มั่นใจได้ว่าซีรีส์ HTE มีราคาที่แข่งขันได้พร้อมระยะเวลารอคอยที่สั้น ทุกชุดจะผ่านการทดสอบทางไฟฟ้าอย่างครอบคลุมก่อนบรรจุภัณฑ์ เพื่อรับประกันว่าค่าความต้านทานและความคลาดเคลื่อนที่ระบุจะถูกส่งมอบอย่างแม่นยำ

การบรรจุภัณฑ์และการประกันคุณภาพ

จัดส่งบนเทปและม้วนสำหรับการประกอบแบบ pick-and-place อัตโนมัติ ในปริมาณม้วนมาตรฐานที่ปรับให้เหมาะสมสำหรับสายการผลิต SMT การจัดส่งทั้งหมดเป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และ REACH และสามารถมาพร้อมกับใบรับรองการปฏิบัติตามเมื่อร้องขอ ติดต่อเราเพื่อขอตัวอย่าง, เอกสารข้อมูล และราคาขายส่งที่ปรับให้เหมาะกับความต้องการของโครงการของคุณ