คุณภาพ 100m ohm (0.1 ohm) 1225 ตัวต้านทานชิปเทอร์มินัลแบบกว้าง 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD โรงงาน

100m ohm (0.1 ohm) 1225 ตัวต้านทานชิปเทอร์มินัลแบบกว้าง 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD

Name: 100m ohm (0.1 ohm) 1225 ตัวต้านทานชิปเทอร์มินัลแบบกว้าง 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD
Brand: Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.
SKU: HTE2512M3W0R100F
Price: negotiable USD
Availability: InStock

สถานที่ผลิต: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Walter

การรับรอง: RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น: HTE2512M3W0R100F

รายละเอียดสินค้า

สถานที่ผลิต:

ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์:

Walter

การรับรอง:

RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น:

HTE2512M3W0R100F

ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:

4000

ราคา:

negotiable

บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน:

4000

เวลาการส่งมอบ:

3-5 วันทำการ

เงื่อนไขการชำระเงิน:

ที/ที

Supply Ability:

มีปริมาณมาก

รายละเอียด

Name:

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

Manufacturer:

วอลเตอร์

Series:

HTE

Size:

1225(6.4มม.*3.2มม.)

Resistance Range:

100 ม. โอห์ม (0.1 โอห์ม)

Tolerance:

±1%

Power Rating:

3ว

Operating Temperature Range:

-55°ซ ถึง +155°ซ

Temperature Coefficient:

±50 แผ่นต่อนาที/°C

Material:

โลหะผสม MnCu

Per Reel:

4000

Features:

ความแม่นยำสูง พลังงานสูง ตั๋วอุณหภูมิต่ำ ความเหนี่ยวนำต่ำ

Applications:

การตรวจจับกระแสไฟฟ้า, แหล่งจ่ายไฟ, การควบคุมมอเตอร์, การจัดการแบตเตอรี่, ตัวแปลงความถี่, สถานีฐาน 5G

เน้น:

ตัวต้านทานชิปขั้วกว้าง 100 โอห์ม

ตัวต้านทาน SMD ความแม่นยำสูง 3W

ตัวต้านทานชิป HTE Walter 1225

คําอธิบายสินค้า

100 มิลลิโอห์ม (0.1 โอห์ม) ตัวต้านทานชิปแบบเทอร์มินัลกว้าง 1225 ขนาด 3W ±1%

ตัวต้านทานชิปแบบเทอร์มินัลกว้าง 1225 จากซีรีส์ HTE ของ Walter ให้ค่าความต้านทาน 100 มิลลิโอห์ม (0.1 โอห์ม) ด้วยความคลาดเคลื่อน ±1% และกำลังไฟ 3W ทำให้ผู้ออกแบบมีชิ้นส่วนแบบ Surface-mount ขนาดกะทัดรัดที่รักษาประสิทธิภาพที่เสถียรภายใต้ภาระและอุณหภูมิที่เปลี่ยนแปลง

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

ชื่อ	ตัวต้านทานแบบเทอร์มินัลกว้าง
ผู้ผลิต	Walter
ซีรีส์	HTE
ขนาด	1225 (6.4 มม. × 3.2 มม.)
ช่วงความต้านทาน	100 มิลลิโอห์ม (0.1 โอห์ม)
ความคลาดเคลื่อน	±1%
กำลังไฟ	3W
ช่วงอุณหภูมิการทำงาน	-55°C ถึง +155°C
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ	±50 ppm/°C

คุณสมบัติหลัก

การจัดการกำลังไฟ 3W ที่เสถียรสำหรับวงจรที่ต้องการ
ความคลาดเคลื่อน ±1% เพื่อความแม่นยำในการวัดที่เชื่อถือได้
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิต่ำ ±50 ppm/°C ที่รักษาความเสถียรของค่าระหว่างการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิ
วัสดุแกนอัลลอยด์ MnCu เพื่อประสิทธิภาพที่สม่ำเสมอและทำซ้ำได้
ขนาดกะทัดรัด 1225 SMD เหมาะสำหรับการประกอบแบบ Reflow ความหนาแน่นสูง
โครงสร้างที่สอดคล้องกับ RoHS / REACH สำหรับการผลิตแบบไร้สารตะกั่ว

การใช้งาน

ตัวต้านทานชิปแบบเทอร์มินัลกว้างนี้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการตรวจจับกระแส, ระบบแหล่งจ่ายไฟ, การควบคุมมอเตอร์, การจัดการแบตเตอรี่, ตัวแปลงความถี่, สถานีฐาน 5G และการใช้งานไฟ LED โครงสร้างอัลลอยด์ MnCu และพฤติกรรมทางไฟฟ้าที่เสถียรช่วยให้ผู้ออกแบบเป็นไปตามความคลาดเคลื่อนที่เข้มงวดในการตรวจจับกระแส, การแปลงกำลังไฟ และวงจรป้องกัน ในขณะที่ตัวถัง 1225 รักษาเลย์เอาต์ที่กะทัดรัด

ข้อได้เปรียบด้านคุณภาพและการผลิต

จัดหาโดยตรงจากผู้ผลิต ซีรีส์ HTE นำเสนอราคาที่แข่งขันได้พร้อมระยะเวลารอคอยสั้นๆ ทุกชุดจะผ่านการทดสอบทางไฟฟ้าก่อนบรรจุภัณฑ์เพื่อให้แน่ใจว่าค่าความต้านทานและความคลาดเคลื่อนเป็นไปตามที่กำหนด จัดส่งบนเทปและม้วนสำหรับการประกอบแบบ Pick-and-Place อัตโนมัติในปริมาณม้วนมาตรฐานสำหรับสาย SMT การจัดส่งทั้งหมดเป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และ REACH พร้อมใบรับรองการปฏิบัติตามที่สามารถขอได้