คุณภาพ 2 ม. โอห์ม (0.002 โอห์ม) 1225 (6.4 มม. * 3.2 มม.) ตัวต้านทานชิป 1w ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD โรงงาน

2 ม. โอห์ม (0.002 โอห์ม) 1225 (6.4 มม. * 3.2 มม.) ตัวต้านทานชิป 1w ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD

Name: 2 ม. โอห์ม (0.002 โอห์ม) 1225 (6.4 มม. * 3.2 มม.) ตัวต้านทานชิป 1w ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD
Brand: Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.
SKU: HTE0805M1W0R002F
Price: negotiable USD
Availability: InStock

สถานที่ผลิต: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Walter

การรับรอง: RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น: HTE0805M1W0R002F

รายละเอียดสินค้า

สถานที่ผลิต:

ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์:

Walter

การรับรอง:

RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น:

HTE0805M1W0R002F

ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:

5,000

ราคา:

negotiable

บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน:

5,000

เวลาการส่งมอบ:

3-5 วันทำการ

เงื่อนไขการชำระเงิน:

ที/ที

Supply Ability:

มีปริมาณมาก

รายละเอียด

Name:

ตัวต้านทาน 2 ม. โอห์ม

Manufacturer:

วอลเตอร์

Series:

HTE

Size:

1225(6.4มม.*3.2มม.)

Resistance Range:

2 ม. โอห์ม (0.002 โอห์ม)

Tolerance:

±1%

Power Rating:

Operating Temperature Range:

-55°ซ ถึง +155°ซ

Temperature Coefficient:

±100 ppm/°C

Material:

โลหะผสม MnCu

Per Reel:

5,000

Features:

ความแม่นยำสูง พลังงานสูง ตั๋วอุณหภูมิต่ำ ความเหนี่ยวนำต่ำ

Applications:

การตรวจจับกระแสไฟฟ้า, แหล่งจ่ายไฟ, การควบคุมมอเตอร์, การจัดการแบตเตอรี่, ตัวแปลงความถี่, สถานีฐาน 5G

เน้น:

2m ชิปโอฮ์ม ความต้านทาน 1w

1225 SMD resistor ความแม่นยําสูง

HTE วอลเตอร์ ทอมมิเนลความต้านทานกว้าง

คําอธิบายสินค้า

2m Ohm (0.002 Ohm) 1225 ชิปต่อรอง - 1W ± 1% HTE วอลเตอร์ SMD ความแม่นยําสูง

ความต้านทาน 1W 2m Ohm จากซีรีย์ HTE ของวอลเตอร์นี้ให้ผลงานความละเอียดสูงสุดในอุณหภูมิต่ําในแพคเกจที่ติดอยู่บนพื้นผิวที่คอมพัคต์002 ohm) ความต้านทานที่มีความละเอียด ± 1% และพลังงานระดับ 1Wการรักษาผลงานที่คงที่ ภายใต้สภาพภาระและอุณหภูมิที่แตกต่างกัน

รายละเอียดเทคนิค

ชื่อ	2m Ohm resistor เครื่องต่อรอง
ผู้ผลิต	วอลเตอร์
ซีรี่ย์	HTE
ขนาด	1225 (6.4 มิลลิเมตร × 3.2 มิลลิเมตร)
ระยะความต้านทาน	2m ohm (0.002 ohm)
ความอดทน	± 1%
การจัดอันดับพลังงาน	1W
ระยะอุณหภูมิการทํางาน	-55°C ถึง +155°C
สัมพันธ์อุณหภูมิ	± 100 ppm/°C

ลักษณะสําคัญ

การจัดการพลังงานระดับ 1W ที่มั่นคงสําหรับวงจรที่ต้องการ
± 1% ความละเอียดในการวัดที่น่าเชื่อถือ
คอยเฟอริเอ็นต์อุณหภูมิต่ํา ± 100 ppm/°C สําหรับการทํางานที่มั่นคงในความแตกต่างของอุณหภูมิ
วัสดุส่วนประกอบจากสแตนเคียร์ MnCu เพื่อผลประกอบที่คงที่และซ้ําได้
สะสม 1225 (6.4mm × 3.2mm) SMD footprint เหมาะสําหรับการประกอบการระบายน้ํากลับความหนาแน่น
การก่อสร้างที่สอดคล้องกับ RoHS / REACH สําหรับการผลิตที่ไม่มีหมู

การใช้งาน

ชิปต่อรองนี้เหมาะสําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้า ระบบไฟฟ้า การควบคุมมอเตอร์ การจัดการแบตเตอรี่ เครื่องแปลงความถี่ สถานีฐาน 5G และการใช้งานไฟ LEDการ สร้าง สารสกัด MnCu และพฤติกรรมไฟฟ้าที่มั่นคง ช่วยให้นักออกแบบตอบสนองความอดทนที่เข้มงวดในการตรวจจับกระแสไฟฟ้า, การแปลงพลังงาน และวงจรป้องกัน ขนาดตัว 1225 ที่คอมพัคต์ ทําให้การวางแผนที่ประหยัดพื้นที่

ข้อดีของผู้ผลิต

การจัดซื้อโดยตรงจากผู้ผลิตทําให้การจัดซื้อ HTE มีราคาที่แข่งขันได้ และมีเวลาในการนําเสนอที่สั้นการรับประกันว่าค่าความต้านทานและความอดทนที่กําหนดไว้จะถูกต้อง.

บรรจุภัณฑ์และการประกันคุณภาพ

จําหน่ายบนเทปและม้วนสําหรับการประกอบแบบอัตโนมัติในการหยิบและวางในปริมาณม้วนมาตรฐานที่เหมาะสําหรับสายการผลิต SMTการส่งทั้งหมดเป็นความสอดคล้องกับ RoHS และ REACH และสามารถนําไปพร้อมกับใบรับรองความสอดคล้องตามคําขอติดต่อเราเพื่อตัวอย่าง, แผ่นข้อมูล, และราคาปริมาณที่ปรับปรุงตามความต้องการของโครงการของคุณ