CRH1206F16K0P05Z 16kΩ 0.5W ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนา กำลังสูง ค่าความคลาดเคลื่อน ±1%
ตัวต้านทานชิปกำลังสูง 16kΩ
,ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนา 0.5W
,ตัวต้านทาน SMD ความอดทน ± 1%
CRH1206F16K0P05Z 1206 16K 0.5W Ever Ohms พลังงานสูง ชิปต่อรอง
การแบ่งเบอร์ส่วน
CRH1206F16K0P05Z เป็นรหัสการสั่งซื้อมาตรฐานจาก EVER OHMS CRH ครอบครัวชิปชิปผนังหนาพลังงานสูง:
| สนาม | ความหมาย |
|---|---|
| CRH | เครื่องต่อรองชิปผนังหนาพลังงานสูง |
| 1206 | ขนาดกระเป๋า EIA, เมตร 3216, ร่าง 3.2mm x 1.6mm |
| F | ความอดทนความต้านทาน ± 1% |
| 16K0 | ความต้านทานชื่อ 16kΩ |
| P05 | พลังงานระดับ 0.5W ในอุณหภูมิ 70 °C |
| Z | การปิดปลายที่ไร้สารนํา สอดคล้องกับ RoHS 2.0 และ Reach |
เครื่องต่อรอง 1206 16K 0.5W Ever Ohms ทําให้การจัดการพลังงานของชิ้นส่วน 0.25W แบบปกติในระยะที่เหมือนกันเพิ่มเป็นสองเท่า ซึ่งเป็นลักษณะที่นิยามการออกแบบ CRH "การปรับปรุงพลังงาน"
ปริมาตรไฟฟ้าหลัก
- ความต้านทานชื่อ: 16kΩ, ความยอมรับ ± 1%
- พลังงานระดับ: 0.5W ที่ 70°C, ลายการลดต่ํากว่า 70°C เป็นศูนย์ที่ 155°C
- TCR: โดยทั่วไป ± 100ppm/°C ในช่วงความต้านทานนี้ (บางรายการการแก้ไขใบข้อมูลรายการ ± 200ppm/°C; ตรวจสอบจากเอกสารโรงงานล่าสุด)
- อุณหภูมิการทํางาน: -55°C ถึง +155°C
- ความแรงกดสูงสุดในการทํางาน: 200V (รายละเอียด CRH1206 บางรายการระบุ 250V); การอุดหนุนระยะสั้น 400V สําหรับ 5 วินาที
- ความต้านทานการปิด: ≥10GΩ
- การสร้าง: สารสับสราตอลูมิเนียม 96% ผสมหนังหนาของอ๊อกไซด์รูเทนียม การเผาที่อุณหภูมิสูง การป้องกันกระจก
- ปลาย: ปกป้องนิกเกิลบวกทองเหลือง-ทองเหลือง-ทองแดงเคลือบภายนอก ทนต่อการซัลฟูริเซชั่นและการอพยพไฟฟ้าเคมี
- การบรรจุ: เทปและกลมละ 5000 ชิ้น
ที่ 16kΩ และ 0.5W, กระแสปรับขนาดประมาณ 5.6mA และความแรงดันปลายปรับขนาดประมาณ 89.4V การใช้ 200V ผ่านความต้านทานนี้จะ dissipate 2.5W, มากเหนือการปรับขนาดดังนั้นในความดันสูงการแบ่งออกแบบ 1206 16K 0.5W Ever Ohms resistor มีพลังงานจํากัด แทนที่จะจํากัดแรงดัน และการระบายพลังงานต้องเป็นข้อจํากัดแรกที่ตรวจสอบ
ความ น่า เชื่อถือ และ การ สร้าง
- ชั้นหนังหนาที่เผาผลาญรวมกันกับกระจกแก้ว ทําให้ความต้านทานการเคลื่อนไหวถูกควบคุมในความร้อนความชื้น 85 °C / 85% RHและการเปลี่ยนแปลงความต้านทานหลังจาก 1000 ชั่วโมงของการทดสอบอายุการใช้งานภาระที่ระบุโดยทั่วไปใน 00.5%
- โครงสร้างปลายสามชั้นทนต่อความผิดพลาดเปิดที่เกิดจากซัลเฟอร์ในบรรยากาศอุตสาหกรรมและภายในแบตเตอรี่
- ชุดการผลิตที่ได้รับการคัดเลือกสามารถตอบสนอง AEC-Q200; ขอรับการรับรองเฉพาะชุดจากผู้จําหน่าย
การใช้งานทั่วไป
- เครือข่ายการตอบสนองการจําหน่ายพลังงานและเครือข่ายแบ่งในโมดูล DC-DC และ AC-DC โดยความอนุญาต ± 1% ทําให้อัตราส่วนแบ่งคงที่และพื้นที่หัว 0.5W ดับการเริ่มต้นและการระบายความอ้วน
- พัดลมดึงขึ้นและดึงลง, ปรับปริมาณการเข้าของ optocoupler, เครื่องแยกเทียบเทียบ
- เครือข่ายกรองและกําหนดเวลาผ่านต่ํา RC ที่พฤติกรรม TCR อุณหภูมิสูงทําให้ความถี่ตัดคงที่
- ซีรี่ย์การขับขี่ประตูหรือตัวต่อต้านลากล่างสําหรับ MOSFET และ IGBT stage และภาระปลอมผลิต
- วงจรอุตสาหกรรมและพลังงานใหม่: PLC I/O, เครื่องแยกสัญญาณอินเวอร์เตอร์, การเก็บตัวอย่างและการสมดุล BMS, การปรับสภาพสัญญาณอินเวอร์เตอร์ PV
การกํากับการลดและการวางแผน
- การลดความร้อนเหนือ 70 °C ในสภาพแวดล้อม และรักษาการระบายความร้อนจริงต่ํากว่า 60% ของค่าเฉพาะที่ 125 °C
- ขอให้มีอัตราการใช้พลังงานในงบ 1.5 ถึง 2 เท่า
- เติมทองแดงลงใต้พัดด้วยช่องทางความร้อนไปยังชั้นภายในหรือชั้นล่าง และปฏิบัติตามโปรไฟล์การไหลกลับที่ไม่มีทองแดงเพื่อหลีกเลี่ยงการทํางานซ้ําที่สามารถยกปลาย
อ้างอิง
- ค่าเทียบตรงรวม Vishay CRCW1206 16K0 FKEAHP (0.5W) และ UniOhm HP06W2F1602T5E (1/2W)
- Yageo RC1206FR-0716KL มีพลังงานเพียง 0.25W และต้องใช้สองส่วนในระยะ paralel หรือการออกแบบความร้อนที่แก้ไข.
- เมื่อเปลี่ยน, ตรวจสอบ TCR, ความกระชับกําลังทํางาน, การเคลือบปลายและระดับความรู้สึกต่อความชื้น, ไม่เพียงแค่ความต้านทานและขนาดของกรอบ.
การจัดหาสินค้า
- Shenzhen Shunhai Technology Co., Ltd.: ผู้จําหน่ายที่ได้รับอนุญาตสําหรับ EVER OHMS จําหน่ายชิปชิปผนังหนาและชิปชิปผนังบางทั้งหมดรวมถึงผนังผ่าตัดผ่าตัดผ่าตัดผ่าตัดผ่าตัดผ่าตัดการติดตามชุดและเอกสาร RoHS/REACHรวมถึงการสนับสนุนการเลือกส่วนอื่น ๆ
- Huanian Mall: แพลตฟอร์มองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ที่รองรับการตรงกันของ BOM และอัตราการเสนอออนไลน์ สะดวกสําหรับการซื้อชุดขนาดเล็กหลายชิ้นและการจัดเก็บสินค้าแบบต้นแบบ
การยืนยันความต้านทาน, ความอดทน, พลังงาน, TCR, ความกระชับกําลังในการทํางานและช่วงอุณหภูมิในตอนแรกจะหลีกเลี่ยงการปรับปรุงที่คุ้มค่าในภายหลัง
ส่งข้อสอบของคุณตรงมาหาเรา