logo
Nhà>các sản phẩm>

chip shunt resistor

Từ khóa   [ chip shunt resistor ]  trận đấu 137 các sản phẩm.
Hình ảnhPhần #Mô tảnhà sản xuấtSở hữuRFQ
chất lượng Ellon ESR25F5WR002F04G 2512 Kháng chip shunt kim loại với 0.002R (2mOhm) Kháng cực thấp 5W Năng lượng cao và 1% Độ chính xác cao nhà máy sản xuất

Ellon ESR25F5WR002F04G 2512 Kháng chip shunt kim loại với 0.002R (2mOhm) Kháng cực thấp 5W Năng lượng cao và 1% Độ chính xác cao

chất lượng Điện trở chip shunt kim loại 6W để cảm biến dòng điện, kích thước 2512 0.00025Ω (0.25m Ohm) nhà máy sản xuất

Điện trở chip shunt kim loại 6W để cảm biến dòng điện, kích thước 2512 0.00025Ω (0.25m Ohm)

chất lượng Điện trở chip shunt kim loại 2512 0.0015Ω (1.5m Ohm) 6W để cảm biến dòng điện nhà máy sản xuất

Điện trở chip shunt kim loại 2512 0.0015Ω (1.5m Ohm) 6W để cảm biến dòng điện

chất lượng Điện trở cảm biến dòng 7W 0.7m Ohm Điện trở màng kim loại để cảm biến dòng điện công suất cao nhà máy sản xuất

Điện trở cảm biến dòng 7W 0.7m Ohm Điện trở màng kim loại để cảm biến dòng điện công suất cao

chất lượng Điện trở chip màng kim loại 6W 0.002 Ohm Điện trở cảm biến dòng điện Kích thước 3920 nhà máy sản xuất

Điện trở chip màng kim loại 6W 0.002 Ohm Điện trở cảm biến dòng điện Kích thước 3920

chất lượng Điện trở kim loại 3920 0.004 Ohm Điện trở thấp 4W Dùng cho Ứng dụng Cảm biến Dòng điện Công suất Cao nhà máy sản xuất

Điện trở kim loại 3920 0.004 Ohm Điện trở thấp 4W Dùng cho Ứng dụng Cảm biến Dòng điện Công suất Cao

chất lượng Ever Ohms CRH2512J18R0E04Z 2512 18R Điện trở chip màng dày công suất cao 2W với định mức công suất 2W và điện trở 18 Ohm nhà máy sản xuất

Ever Ohms CRH2512J18R0E04Z 2512 18R Điện trở chip màng dày công suất cao 2W với định mức công suất 2W và điện trở 18 Ohm

chất lượng Điện trở chip cảm biến dòng điện 3W 2512 Điện trở SMD công suất cao 470m Ohm nhà máy sản xuất

Điện trở chip cảm biến dòng điện 3W 2512 Điện trở SMD công suất cao 470m Ohm

Điện trở chip cảm biến dòng điện bằng kim loại, 2512, 0,47R(470mR), ± 1%, 3W, KARMA, ± 50PPM
Ellona
50000
chất lượng Điện trở điện cảm thấp 0.8m Ohm 7W Điện trở đo dòng 3920 nhà máy sản xuất

Điện trở điện cảm thấp 0.8m Ohm 7W Điện trở đo dòng 3920

chất lượng Điện trở 1.82 Ohm sai số 1% loại 1206 1 Watt, điện trở màng kim loại nhà máy sản xuất

Điện trở 1.82 Ohm sai số 1% loại 1206 1 Watt, điện trở màng kim loại

chất lượng Điện trở chống lưu huỳnh EAM Series 2.15Ω cho Tự động hóa Công nghiệp nhà máy sản xuất

Điện trở chống lưu huỳnh EAM Series 2.15Ω cho Tự động hóa Công nghiệp

chất lượng 3920 0.005R (5m Ohm) 3W 1% Kháng chip Shunt kim loại cho các ứng dụng cảm biến và chính xác dòng điện cao nhà máy sản xuất

3920 0.005R (5m Ohm) 3W 1% Kháng chip Shunt kim loại cho các ứng dụng cảm biến và chính xác dòng điện cao

chất lượng 2512 0,001R (1m Ohm) Điện trở chip Shunt kim loại 3W 1% với hợp kim MnCu để cảm biến dòng điện có độ chính xác cao nhà máy sản xuất

2512 0,001R (1m Ohm) Điện trở chip Shunt kim loại 3W 1% với hợp kim MnCu để cảm biến dòng điện có độ chính xác cao

chất lượng 5930 0,0004Ω (0,4m Ohm) Điện trở chip Shunt kim loại 9W 1% cho cảm biến dòng điện cao nhà máy sản xuất

5930 0,0004Ω (0,4m Ohm) Điện trở chip Shunt kim loại 9W 1% cho cảm biến dòng điện cao

chất lượng 5930 0.0003Ω (0.3m Ohm) 10W 1% Kháng chip Shunt kim loại cho cảm biến dòng chính xác với hợp kim MnCu nhà máy sản xuất

5930 0.0003Ω (0.3m Ohm) 10W 1% Kháng chip Shunt kim loại cho cảm biến dòng chính xác với hợp kim MnCu

chất lượng 2512 0,003Ω (3mΩ) 5W ± 1% Khả năng chịu đựng chip Shunt cho các ứng dụng cảm biến dòng điện nhà máy sản xuất

2512 0,003Ω (3mΩ) 5W ± 1% Khả năng chịu đựng chip Shunt cho các ứng dụng cảm biến dòng điện

chất lượng Ellon ESR25F4W2M50K04G 2512 gói 0.0025Ω (2.5m Ohm) 4W Năng lượng định lượng Chiếc chip Shunt kháng cự cho cảm biến dòng điện chính xác nhà máy sản xuất

Ellon ESR25F4W2M50K04G 2512 gói 0.0025Ω (2.5m Ohm) 4W Năng lượng định lượng Chiếc chip Shunt kháng cự cho cảm biến dòng điện chính xác

chất lượng 5930 0.0015 Ohm 8W 1% Độ khoan dung Kháng chip Shunt kim loại để cảm biến dòng nhà máy sản xuất

5930 0.0015 Ohm 8W 1% Độ khoan dung Kháng chip Shunt kim loại để cảm biến dòng

chất lượng 5930 0.0025 Ohm 7W FeCrAl hợp kim kim Kháng chip Shunt cho cảm biến dòng chính xác nhà máy sản xuất

5930 0.0025 Ohm 7W FeCrAl hợp kim kim Kháng chip Shunt cho cảm biến dòng chính xác

chất lượng 5930 0.0008 Ohm 7W Công suất cao 1% Kháng chip shunt kim loại chính xác cho cảm biến dòng điện nhà máy sản xuất

5930 0.0008 Ohm 7W Công suất cao 1% Kháng chip shunt kim loại chính xác cho cảm biến dòng điện

chất lượng 5930 Phòng chống chip shunt kim loại với kháng cự 0,00025Ω (0,25m Ohm) 12W Power Rating và hợp kim MnCu cho cảm biến dòng chính xác nhà máy sản xuất

5930 Phòng chống chip shunt kim loại với kháng cự 0,00025Ω (0,25m Ohm) 12W Power Rating và hợp kim MnCu cho cảm biến dòng chính xác

chất lượng Điện trở chip shunt kim loại 3920 kích thước 0.0003Ω (0.3m Ohm) 10W để cảm biến dòng điện công suất cao nhà máy sản xuất

Điện trở chip shunt kim loại 3920 kích thước 0.0003Ω (0.3m Ohm) 10W để cảm biến dòng điện công suất cao

chất lượng ESR59F7W0M75M02G 5930 Kháng chip shunt kim loại cho cảm biến dòng điện chính xác cao với 0,00075Ω (0,75m Ohm) và công suất 7W nhà máy sản xuất

ESR59F7W0M75M02G 5930 Kháng chip shunt kim loại cho cảm biến dòng điện chính xác cao với 0,00075Ω (0,75m Ohm) và công suất 7W

chất lượng Điện trở chip shunt kim loại 2512 0.002Ω (2m Ohm) 6W để cảm biến dòng điện công suất cao nhà máy sản xuất

Điện trở chip shunt kim loại 2512 0.002Ω (2m Ohm) 6W để cảm biến dòng điện công suất cao

chất lượng Điện trở chip shunt kim loại 2512 0.0005Ω (0.5m Ohm) 6W với vật liệu MnCu và độ tự cảm thấp cho các ứng dụng công suất cao nhà máy sản xuất

Điện trở chip shunt kim loại 2512 0.0005Ω (0.5m Ohm) 6W với vật liệu MnCu và độ tự cảm thấp cho các ứng dụng công suất cao

chất lượng Điện trở chip shunt kim loại 2512 0.001Ω (1m Ohm) 6W cho bộ nguồn và điều khiển động cơ nhà máy sản xuất

Điện trở chip shunt kim loại 2512 0.001Ω (1m Ohm) 6W cho bộ nguồn và điều khiển động cơ

chất lượng Điện trở chip shunt kim loại 2512 kích thước 0.003Ω (3m Ohm) 4W cho cảm biến dòng điện công suất cao nhà máy sản xuất

Điện trở chip shunt kim loại 2512 kích thước 0.003Ω (3m Ohm) 4W cho cảm biến dòng điện công suất cao

chất lượng Điện trở chip shunt kim loại MnCuSn 2512 0.00035Ω (0.35m Ohm) 6W để cảm biến dòng điện nhà máy sản xuất

Điện trở chip shunt kim loại MnCuSn 2512 0.00035Ω (0.35m Ohm) 6W để cảm biến dòng điện

chất lượng Điện trở chip shunt kim loại 2512 0.00075Ω (0.75m Ohm) 6W để cảm biến dòng điện nhà máy sản xuất

Điện trở chip shunt kim loại 2512 0.00075Ω (0.75m Ohm) 6W để cảm biến dòng điện

chất lượng 1206 Kích thước 1W chống lưu huỳnh chip phim kim loại kháng cho các ứng dụng công suất cao nhà máy sản xuất

1206 Kích thước 1W chống lưu huỳnh chip phim kim loại kháng cho các ứng dụng công suất cao

chất lượng Ever Ohms CRH2512J15R0E04Z Kháng chip phim dày với công suất 2W 15 Ohm kháng trong gói 2512 nhà máy sản xuất

Ever Ohms CRH2512J15R0E04Z Kháng chip phim dày với công suất 2W 15 Ohm kháng trong gói 2512

chất lượng EVER OHMS CRH2512F62R0E04Z 2512 62R 2W Phản kháng chip phim dày công suất cao với kết thúc chống lưu huỳnh nhà máy sản xuất

EVER OHMS CRH2512F62R0E04Z 2512 62R 2W Phản kháng chip phim dày công suất cao với kết thúc chống lưu huỳnh

chất lượng CRH2512F5R60E04Z Kháng chip phim dày công suất cao với công suất định lượng 2W, Kháng 5.6Ω trong gói 2512 nhà máy sản xuất

CRH2512F5R60E04Z Kháng chip phim dày công suất cao với công suất định lượng 2W, Kháng 5.6Ω trong gói 2512

chất lượng 1206 1W 1Ω Phòng chống điện năng cao bằng màng kim loại với độ khoan dung ± 1% và TCR 50ppm nhà máy sản xuất

1206 1W 1Ω Phòng chống điện năng cao bằng màng kim loại với độ khoan dung ± 1% và TCR 50ppm

chất lượng Ever Ohms CRH2512F5R10E04S 2512 gói 5.1Ω 2W Phản kháng chip phim dày công suất cao nhà máy sản xuất

Ever Ohms CRH2512F5R10E04S 2512 gói 5.1Ω 2W Phản kháng chip phim dày công suất cao

chất lượng EVER OHMS CRH2512F56R0E04Z 2512 56Ω Điện trở chip màng dày 2W với dung sai ± 1% nhà máy sản xuất

EVER OHMS CRH2512F56R0E04Z 2512 56Ω Điện trở chip màng dày 2W với dung sai ± 1%

chất lượng ESrh25F7WR001K04G nhà máy sản xuất

ESrh25F7WR001K04G

Điện trở Shunt điện trở thấp, 2512,0,001R(1mR),±1%,7W,KARMA,±25PPM
Ellona
4035
1 2 3