30m Ohm Leistung SMD Widerstand Hochpräzision 3 Watt Widerstand für Strommessung und Stromversorgung
30m Ohm Leistung SMD Widerstand
,Leistung SMD Widerstand Hochpräzision
,Hochpräzision 3 Watt Widerstand
Entwickelt für anspruchsvolle Elektronikanwendungen, die Effizienz, Präzision und Zuverlässigkeit erfordern, zeichnet sich der HTE2512M3W0R030F Leistungs-Widerstand in Strommess-, Spannungsteiler- und Impulsabsorptionsanwendungen aus. Dieses oberflächenmontierte Bauelement liefert außergewöhnliche Leistung in fortschrittlichen Energieverwaltungs- und Steuerungssystemen.
| Parameter | Spezifikation |
|---|---|
| Teilenummer | HTE2512M3W0R030F |
| Widerstandswert | 0,03Ω (30 mΩ) |
| Toleranz | ±1% |
| Leistungsaufnahme | 3W |
| Gehäusegröße | 1225 (6,4 mm * 3,2 mm) |
| Temperaturkoeffizient (TCR) | ±50 ppm/°C |
| Widerstandsmaterial | Mangan-Kupfer (MnCu) Legierung |
| Betriebstemperatur | -55°C bis +155°C |
- Ultra-niedriger Widerstand: 0,03Ω (30 mΩ) für präzise Strommessung mit minimalem Spannungsabfall
- Hohe Leistungsfähigkeit: 3W Nennleistung bei 70°C für robuste Leistung in Hochstromanwendungen
- Präzisionstoleranz: ±1% gewährleistet konsistente Leistung über Produktionseinheiten hinweg
- Niedriger TCR MnCu-Legierung: Behält stabilen Widerstand über weite Temperaturbereiche bei
- Geringes Induktivitätsdesign: Minimiert Signalverzerrungen in Hochfrequenzanwendungen
- Präzise Strommessung in Server-Netzteilen und industriellen Motorantrieben
- Batteriemanagementsysteme (BMS) für Elektrofahrzeuge und Energiespeicherung
- Überstromschutzschaltungen als Shunt-Widerstände
- Netzteile und DC-DC-Wandler für Strommodusregelung
- Ausgangsstufen von Audioverstärkern
Hergestellt in Übereinstimmung mit RoHS- und REACH-Vorschriften unter Verwendung bleifreier (Pb-freier) Lötverfahren für die globale Marktfähigkeit.
Der HTE2512M3W0R030F kombiniert hohe Leistungsfähigkeit mit außergewöhnlicher Stabilität und Präzision. Seine Mangan-Kupfer-Legierungskonstruktion gewährleistet minimale Widerstandsschwankungen über die Temperatur, während das Design mit geringer Induktivität die Signalintegrität in Hochfrequenzanwendungen aufrechterhält.
