Resistencia SMD de potencia de 30m Ohm, alta precisión, resistencia de 3 vatios para detección de corriente y fuente de alimentación
Resistencia SMD de potencia de 30m Ohm
,Resistencia SMD de potencia de alta precisión
,Resistencia de 3 vatios de alta precisión
Diseñada para aplicaciones electrónicas exigentes que requieren eficiencia, precisión y fiabilidad, la resistencia de potencia HTE2512M3W0R030F destaca en la detección de corriente, la división de voltaje y las aplicaciones de absorción de pulsos. Este dispositivo de montaje en superficie ofrece un rendimiento excepcional en sistemas avanzados de gestión y control de energía.
| Parámetro | Especificación |
|---|---|
| Número de Parte | HTE2512M3W0R030F |
| Valor de Resistencia | 0.03Ω (30mΩ) |
| Tolerancia | ±1% |
| Potencia Nominal | 3W |
| Tamaño del Paquete | 1225 (6.4mm * 3.2mm) |
| Coeficiente de Temperatura (TCR) | ±50 ppm/°C |
| Material de Resistencia | Aleación de Cobre Manganeso (MnCu) |
| Temperatura de Funcionamiento | -55°C a +155°C |
- Resistencia ultra baja: 0.03Ω (30mΩ) para una medición precisa de la corriente con una caída de voltaje mínima
- Manejo de alta potencia: Clasificación de 3W a 70°C para un rendimiento robusto en aplicaciones de alta corriente
- Tolerancia de precisión: ±1% asegura un rendimiento consistente en todas las unidades de producción
- Aleación de MnCu de bajo TCR: Mantiene una resistencia estable en amplios rangos de temperatura
- Diseño de baja inductancia: Minimiza la distorsión de la señal en aplicaciones de alta frecuencia
- Detección precisa de corriente en fuentes de alimentación de servidores y accionamientos de motores industriales
- Sistemas de gestión de baterías (BMS) para vehículos eléctricos y almacenamiento de energía
- Circuitos de protección contra sobrecorriente como resistencias shunt
- Fuentes de alimentación y convertidores CC-CC para control en modo de corriente
- Etapas de salida de amplificadores de audio
Fabricado en cumplimiento con las regulaciones RoHS y REACH, utilizando procesos de soldadura sin plomo (Pb-free) para la compatibilidad con el mercado global.
El HTE2512M3W0R030F combina un alto manejo de potencia con una estabilidad y precisión excepcionales. Su construcción de aleación de cobre-manganeso asegura una variación mínima de la resistencia a través de la temperatura, mientras que el diseño de baja inductancia mantiene la integridad de la señal en aplicaciones de alta frecuencia.
