качество 1225 SMD Чип Резистор 0.002R Металлическая Фольга Резисторы 3W HTE2512M3W0R002F завод

1225 SMD Чип Резистор 0.002R Металлическая Фольга Резисторы 3W HTE2512M3W0R002F

Name: 1225 SMD Чип Резистор 0.002R Металлическая Фольга Резисторы 3W HTE2512M3W0R002F
Brand: Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.
SKU: HTE2512M3W0R002F
Price: Negotiable USD
Availability: InStock

Место происхождения: Сделано в Китае

Название бренда: Walter

Номер модели: HTE2512M3W0R002F

Детали продукта

Место происхождения:

Сделано в Китае

Название бренда:

Walter

Номер модели:

HTE2512M3W0R002F

Минимальное количество заказа:

4000

Срок поставки:

5-8 рабочих дней

Условия оплаты:

Т/Т

Спецификации

Name:

Резистор обломока Smd

Manufacturer:

Уолтер

Series:

HTE

Size:

1225

Resistance Range:

2 м Ом (0,002 Ом)

Tolerance:

±1%

Power Rating:

Operating Temperature Range:

-55°C до +155°C

Temperature Coefficient:

±100 частей на миллион/°C

Material:

Сплав MnCu

Termination Style:

СМД

Per Reel:

4000

Type:

Зафиксированный

Features:

Высокая мощность, низкая индуктивность

Mounting Type:

Поверхностный монтаж

Package:

Лоток Пакет

Applications:

Измерение тока, источники питания, управление двигателем, управление аккумулятором

Выделить:

1225 SMD Чип Резистор

SMD Чип Резистор 0.002R

Металлическая Фольга Резисторы 3W

Характер продукции

1225 2mΩ 3W Металлофольговый чип-резистор, допуск 1%

1225 0.002R(2mR) 3W 1% HTE2512M3W0R002F - это высокопроизводительный металлофольговый чип-резистор, разработанный для требовательных применений, где критически важны точность, стабильность и надежность. Этот компонент использует передовую технологию металлической фольги для обеспечения исключительных электрических характеристик с очень низким значением сопротивления всего 0,002 Ом (2 миллиОма), номинальной мощностью 3 Вт и узким допуском 1%.

Компактный размер корпуса 2512 (6,35 мм x 3,18 мм) делает его подходящим для современных конструкций печатных плат высокой плотности, сохраняя при этом значительные возможности обработки мощности. Этот резистор разработан для измерения больших токов, управления питанием и схем точных измерений.

Технические характеристики

Спецификация	Значение
Модель	HTE2512M3W0R002F
Значение сопротивления	0,002Ω (2mΩ)
Допуск	±1%
Номинальная мощность	3 Вт
Размер корпуса	1225 (3264 метрический) (6,35 мм x 3,15 мм)
Температурный коэффициент (TCR)	±100 ppm/°C
Материал сопротивления	Сплав MnCu
Конструкция	Цельнометаллическая сварная конструкция
Индуктивность	Обычно менее 2 нГн
Тепловой ЭДС	Менее 3 µВ/°C
Диапазон рабочих температур	-55°C to +155°C

Передовая технология металлической фольги

Сверхнизкое значение сопротивления: обеспечивает стабильное и надежное сопротивление в диапазоне миллиОм
Отличный температурный коэффициент: минимальный дрейф сопротивления в широком диапазоне температур
Низкая индуктивность: обычно менее 0,1µH для высокочастотных приложений
Высокая надежность: исключительная долгосрочная стабильность при рабочих нагрузках
Выдерживает скачки нагрузки: выдерживает кратковременные скачки тока, превышающие непрерывный номинал

Области применения

Точное измерение тока в системах управления питанием и мониторинга батарей
Автомобильная электроника для электромобилей и гибридных транспортных средств
Промышленная автоматизация, включая приводы двигателей и робототехнику
Источники питания телекоммуникационной инфраструктуры
Испытательное и измерительное оборудование, требующее высокой точности

Соответствие:Этот продукт соответствует требованиям RoHS, REACH и не содержит свинца, отвечая мировым экологическим стандартам производства электроники.

Металлофольговый элемент установлен на керамической подложке, обеспечивая отличную теплопроводность и механическую стабильность. Такая конструкция обеспечивает эффективное рассеивание тепла, поддерживая производительность даже при высоких мощностях. Номинальная мощность 3 Вт впечатляет для компонента такого размера, позволяя разработчикам максимально увеличить обработку мощности, не увеличивая пространство на плате.

Низкая индуктивность резистора (обычно менее 10 нГн) делает его подходящим для высокочастотных приложений, где индуктивные эффекты в противном случае могли бы поставить под угрозу производительность схемы. Его низкий ТКС обеспечивает стабильную работу в широком диапазоне температур, от -55°C до +170°C, что необходимо для применений, подверженных различным условиям окружающей среды.

Бирки :