Resistencia de chip SMD 1225 0.002R Resistencias de lámina metálica 3W HTE2512M3W0R002F
Especificaciones
Nombre:
Smd Chip Resistor
fabricante:
Walter
Serie:
HTE
Tamaño:
1225
Rango de resistencia:
2 m ohmios (0,002 ohmios)
Tolerancia:
±1%
Clasificación de potencia:
3W
rango de temperatura de funcionamiento:
-55 °C a +155 °C
Coeficiente de temperatura:
±100 ppm/°C
Material:
aleación de MnCu
Estilo de terminación:
SMD
Por carrete:
4000
Tipo:
Fijado
Características:
Alta potencia, baja inductancia
Tipo de montaje:
Montaje en superficie
Paquete:
Paquete de bandeja
Aplicaciones:
Detección de corriente, fuentes de alimentación, control de motores, gestión de baterías
Resaltar:
Resistencia de chip SMD 1225
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,Resistencias de lámina metálica 3W
Introducción
Resistencia de lámina metálica de chip 1225 2mΩ 3W, Tolerancia del 1%
El HTE2512M3W0R002F de 1225 0.002R(2mR) 3W 1% es una resistencia de chip de lámina metálica de alto rendimiento diseñada para aplicaciones exigentes donde la precisión, la estabilidad y la fiabilidad son fundamentales. Este componente aprovecha la tecnología avanzada de lámina metálica para ofrecer características eléctricas excepcionales con un valor de resistencia muy bajo de solo 0,002 ohmios (2 miliohmios), una potencia nominal de 3 vatios y una tolerancia ajustada del 1%.
El tamaño compacto del encapsulado 2512 (6,35 mm x 3,18 mm) lo hace adecuado para diseños de PCB modernos de alta densidad, manteniendo al mismo tiempo importantes capacidades de manejo de potencia. Esta resistencia está diseñada para la detección de alta corriente, la gestión de energía y los circuitos de medición de precisión.
Especificaciones técnicas
| Especificación | Valor |
|---|---|
| Modelo | HTE2512M3W0R002F |
| Valor de resistencia | 0,002Ω (2mΩ) |
| Tolerancia | ±1% |
| Potencia nominal | 3W |
| Tamaño del encapsulado | 1225 (3264 métrico) (6,35 mm x 3,15 mm) |
| Coeficiente de temperatura (TCR) | ±100 ppm/°C |
| Material de resistencia | Aleación MnCu |
| Construcción | Estructura totalmente soldada de metal |
| Inductancia | Normalmente inferior a 2 nH |
| FEM térmica | Menos de 3 µV/°C |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55°C a +155°C |
Tecnología avanzada de lámina metálica
- Valor de resistencia ultrabajo: Capaz de resistencias estables y fiables en el rango de miliohmios
- Excelente coeficiente de temperatura: deriva de resistencia mínima en amplios rangos de temperatura
- Baja inductancia: normalmente inferior a 0,1µH para aplicaciones de alta frecuencia
- Alta fiabilidad: estabilidad excepcional a largo plazo bajo estrés operativo
- Resistencia a la sobrecarga: maneja sobretensiones de corriente a corto plazo que superan la clasificación continua
Dominios de aplicación
- Detección de corriente de precisión en sistemas de gestión de energía y monitorización de baterías
- Electrónica automotriz para vehículos eléctricos y sistemas de vehículos híbridos
- Automatización industrial, incluidos accionamientos de motores y robótica
- Fuentes de alimentación de infraestructura de telecomunicaciones
- Equipos de prueba y medición que requieren alta precisión
Cumplimiento:Este producto cumple con los requisitos de RoHS, REACH y sin plomo, cumpliendo con los estándares ambientales globales para la fabricación de productos electrónicos.
El elemento de lámina metálica está montado sobre un sustrato cerámico, lo que proporciona una excelente conductividad térmica y estabilidad mecánica. Este diseño garantiza una disipación de calor eficiente, manteniendo el rendimiento incluso en condiciones de alta potencia. La potencia nominal de 3W es impresionante para un componente de este tamaño, lo que permite a los diseñadores maximizar el manejo de potencia sin aumentar el espacio en la placa.
La baja inductancia de la resistencia (normalmente inferior a 10 nH) la hace adecuada para aplicaciones de alta frecuencia, donde los efectos inductivos podrían comprometer el rendimiento del circuito. Su bajo TCR garantiza un rendimiento estable en un amplio rango de temperaturas, de -55°C a +170°C, lo cual es esencial para aplicaciones expuestas a condiciones ambientales variables.
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MOQ:
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