	ภาพ	ส่วนหนึ่ง #	คําอธิบาย	ผู้ผลิต	สต็อค	RFQ
		ความแม่นยําโลหะ Shunt ชิปความต้านทาน 5930 0.00075R ((0.75m Ohm) 8W 1% MnCu สังกะสี ESR59F8W0M75M02G
		2512 0.0002Ω โลหะ Shunt Chip Resistor ด้วยพลังงานสูง 7W และ MnCu สับสนธิสําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา
		2512 0.0015R (1.5m Ohm) 6W MnCu โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา
		2512 0.003Ω (3mΩ) 5W ± 1% ความอดทน Shunt Chip Resistor สําหรับการใช้งานการตรวจจับกระแสไฟฟ้า
		2512 0.003R (3m Ohm) 4W 1% ความละเอียด Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าความละเอียดสูง
		CRH2512J16R0E04Z 2512 แพ็คเกจ16Ω 2W ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูงสำหรับงานอุตสาหกรรม
		Ever Ohms CRH2512J1K20E04Z 2512 1.2KΩ 2W แรงสูง SMD ชิปต่อรองสําหรับการใช้งานอุตสาหกรรม
		EVER OHMS CRH2512F8R45E04Z 2512 8.45Ω 2W พลังงานสูง ชิปผนังหนาสําหรับการควบคุมอุตสาหกรรม
		5930 0.0015Ω โลหะ Shunt Chip Resistor กับการจัดตั้งพลังงาน 8W และ FeCrAl alloy การสร้าง
		0.0015Ω (1.5m Ohm) 8W 1% โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา
		5930 โลหะ ชิปชันท์ พัดต่อ 0.00025Ω (0.25m Ohm) พัดต่อ 12W Power Rating และ MnCu Alloy สําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา
		5930 0.0003Ω (0.3m Ohm) 10W 1% โลหะ Shunt Chip resistor สําหรับการตรวจจับกระแสความแม่นยํากับ MnCu alloy
		EHP25JS4R30FDS ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูง 2512 แพ็คเกจ4.3Ω 2W อัตราพลังงาน
		5930 0.0025 โอม 7W 1% Tolerance ESR59F7W2M50K02G โลหะ ชิปชันท์
		3920 0.0002R 12W 0.5% โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง
		การวิเคราะห์ลึกของ ESR39F7W0M80M02G โลหะ Shunt Chip resistor
		2512 0.0003 โอเอ็ม 6W 1% โลหะ Shunt ชิปต่อรองกับ MnCu สับสนธิสําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง
		Ever Ohms CRH2512J15R0E04Z ต้านทานชิปแผ่นหนาที่มีประสิทธิภาพ 2W ความต้านทาน 15 Ohm ในแพ็คเกจ 2512
		ESR25F4WR003F04G 2512 0.003R (3m Ohm) 4W FeCrAl โลหะ ชิปชันท์ตัวต่อต้านสําหรับการตรวจจับกระแสความแม่นยําสูง
		CRH2512J150RE04Z 2512 150R 2W ชิปอัตราต่อรองที่มีความหนาแน่นของพลังงานสูงและ RoHS Compliance
		EVER OHMS CRH2512F62R0E04Z 2512 62R 2W พลังงานสูง ชิปผนังหนาต่อต้านกับการสิ้นสุดแอนติซัลเฟอร์
		3920 0.0002Ω±1% 12W พลังงานสูง MnCu โลหะผสมโลหะ Shunt ตัวต้านทานชิปสำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าที่แม่นยำ
		3920 0.0015R (1.5m Ohm) 7W พลังงานสูง 1% ตัวต้านทานชิป Metal Shunt ที่มีความแม่นยำสูงสำหรับการตรวจจับกระแสและแอปพลิเคชัน Shunt ที่มีความแม่นยำ
		2512 แพคเกจ 820K ความต้านทาน 2W ความจุ ความจุ ความจุ ความจุ ความจุ ความจุ ความจุ
		CRH2512F750RE04Z 2512 เครื่องต่อรองชิปผนังหนาที่มีความต้านทาน 750Ω ชื่อเสียง ปริมาณการทํางาน 2W และความอดทน ± 1%
		CRH2512F5R60E04Z ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูงพร้อมกำลังไฟพิกัด 2W, ความต้านทาน 5.6Ω ในแพ็คเกจ 2512
		Ever Ohms 2512 พลังงานสูง ชิปผนังหนา พลังงาน 2W จํานวน 1 MΩ พลังงานต่อต้านและคุณสมบัติ AEC-Q200
		CRH2512J10R0E04S 2512 10Ω ± 5% 2W พลังงานสูง ชิปชิปหนังหนา AEC-Q200 รับรอง
		1206 ขนาด 1W แอนติซัลฟอร์เมทัล ฟิล์ม ชิป รีสิสเตอร์สําหรับการใช้งานพลังงานสูง
		Ellon ESR25F3WR004F04G 2512 0.004R (4m Ohm) 3W 1% ความแม่นยำสูง FeCrAl Metal Shunt Resistor สำหรับ Current Sensing
		CRH2512F806KE04Z 2512 806 kΩ 2W พลังงานสูง ชิปผนังหนาสําหรับ SMPS Feedback
		2512 60.4 Ω 2W พลังงานสูง ชิปผนังหนา ทนทาน ± 1% และ AEC-Q200 ความเหมาะสม
		CRH2512F75K0E04Z 2512 75KΩ 2W พลังงานสูง หนาผนังต่อต้านกับความอดทน ± 1%
		CRH2512F6R80E04S 2512 6.8Ω 2W ตัวต้านทานกำลังสูงพร้อมค่าเผื่อ ± 1% สำหรับ BMS และพาวเวอร์ซัพพลาย
		1206 1W 1Ω ตัวต้านทานกำลังสูงแบบฟิล์มโลหะที่มีความคลาดเคลื่อน ±1% และ TCR 50ppm
		CRH2512F91R0E04Z 2512 พลังงานสูง ชิปผนังหนา พลังงานขนาด 2W ความอดทน ± 1% และความต้านทาน 91Ω
		CRH2512J0R00E04Z 2512 0R 2W เครื่องต่อรองชิปผนังหนาพลังงานสูง พร้อมกระโดด 0 โอห์มและระดับพลังงาน 2 วัตต์
		Ellon ESR25F5WR002F04G 2512 โลหะ Shunt ชิปกันด้วย 0.002R (2mOhm) ความต้านทานต่ําสุด 5W พลังงานสูงและ 1% ความแม่นยําสูง
		Ever Ohms CRH2512J15K0E04Z 2512 แพ็คเกจ 15KΩ 2W แรงเคราะห์ ชิปผนังหนา
		ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าร่วม 0.0015 โอห์ม ตัวต้านทานร่วมความแม่นยำต่ำ
		ตัวต้านทานตรวจจับกระแส 7W 0.7m โอห์ม ตัวต้านทานฟิล์มโลหะสำหรับตรวจจับกระแสไฟฟ้ากำลังสูง
		ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้าโลหะ 2512 0.2mΩ 7W ค่าความคลาดเคลื่อน ±1% แบบ SMD
		ตัวต้านทานโลหะ 3920 0.004 โอห์ม ตัวต้านทานค่าความต้านทานต่ำ 4W สำหรับการใช้งานตรวจจับกระแสไฟฟ้ากำลังสูง
		3920 0.003R (3m Ohm) 5W ± 1% ESR39F5WR003F02G โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง
		Ever Ohms CRH2512J16R0E04Z 2512 แพ็คเกจ 16 Ohm 2W พลังงาน SMD resistor สําหรับการใช้งานอุตสาหกรรม
		EHP25JS0R00VDJ 2512 0R 2W ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูงพร้อมการรับรอง AEC-Q200
		2512 0.0007R (0.7m Ohm) 6W พลังงานสูง ± 1% ความละเอียดสูง โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับปัจจุบัน
		2512 0.004Ω ความต้านทานต่ำพิเศษ 3W พลังงานสูง ± 1% ตัวต้านทานชิป Shunt ที่มีความแม่นยำ ESR25F3WR004K04G
		Ellon ESR25F2W5R005K04G 2512 0.005R (5m Ohm) 2.5W Karma Alloy Shunt Chip Resistor สําหรับการเก็บตัวอย่างแม่นยํา
		CRH2512J13R0E04Z 2512 13R 2W ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูงพร้อมกำลังไฟ 2W และความต้านทาน13Ω

1 2 3 4 5

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบสับเปลี่ยน

ตัวต้านทานชิปตรวจจับปัจจุบัน

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

ตัวต้านทานต่อต้านซัลเฟอร์

ฟิวส์ติดพื้นผิว

ไมโครฟิวส์

ฟิวส์หลอดเซรามิก

ฟิวส์หลอดแก้ว

ฟิวส์สามขั้ว

ฟิวส์ไฟฟ้า

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะป้องกันซัลเฟอร์

ยืนยันชิปผนังโลหะต้านต่อการกระแทก

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะ

MELF โลหะฟิล์มต่อรอง

ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูง

ตัวต้านทานชิปแบบฟิล์มบางที่มีความแม่นยำ

high power chip resistors

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบสับเปลี่ยน

ตัวต้านทานชิปตรวจจับปัจจุบัน

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

ตัวต้านทานต่อต้านซัลเฟอร์

ฟิวส์ติดพื้นผิว

ไมโครฟิวส์

ฟิวส์หลอดเซรามิก

ฟิวส์หลอดแก้ว

ฟิวส์สามขั้ว

ฟิวส์ไฟฟ้า

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะป้องกันซัลเฟอร์

ยืนยันชิปผนังโลหะต้านต่อการกระแทก

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะ

MELF โลหะฟิล์มต่อรอง

ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูง

ตัวต้านทานชิปกำลังสูง 1M โอห์ม 8W ตัวต้านทานโลหะกำลังสูง

ตัวต้านทานตรวจจับกระแสไฟ 0805 200m โอห์ม ตัวต้านทานชิปกำลังสูง 0.75W พร้อมไฟ LED

EVER OHMS CRH2512J13K0E04Z 2512 13kΩ 2W พลังงานสูง ชิปผนังหนา ทนทาน ± 5%

Ever Ohms CRH2512J15R0E04Z ตัวต้านทานชิปกำลังสูงพร้อมกำลังไฟ 2W ในแพ็คเกจ 2512 และความต้านทาน 15 โอห์ม

ตัวต้านทานชิปตรวจจับกระแสไฟ 3W 2512 ตัวต้านทาน SMD กำลังไฟสูง 470m โอห์ม

ตัวต้านทานกำลังสูง 2512 ตัวต้านทานกระแสไฟแบบชิป 2.5W ความเหนี่ยวนำต่ำสำหรับการตรวจจับกระแสไฟ

ตัวต้านทานชิปตรวจจับกระแสไฟ 0.75W 0805 ตัวต้านทาน SMD กำลังไฟสูง 300m โอห์ม

ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้า 0.4m โอห์ม 9W ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้ากำลังสูง สำหรับการใช้งานในอุณหภูมิต่ำ

CRH2512F68R0E04Z 2512 68Ω 2W พลังงานสูง ชิปผนังหนาสําหรับอุตสาหกรรมและอุตสาหกรรมรถยนต์

2512 0.00025R (0.25m Ohm) 6W พลังงานสูง 1% ความละเอียดสูง โลหะชันท์ชิปต่อรองสําหรับการตรวจจับกระแสปัจจุบัน

ความแม่นยําโลหะ Shunt ชิปความต้านทาน 5930 0.00075R ((0.75m Ohm) 8W 1% MnCu สังกะสี ESR59F8W0M75M02G

2512 0.0002Ω โลหะ Shunt Chip Resistor ด้วยพลังงานสูง 7W และ MnCu สับสนธิสําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา

2512 0.0015R (1.5m Ohm) 6W MnCu โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา

2512 0.003Ω (3mΩ) 5W ± 1% ความอดทน Shunt Chip Resistor สําหรับการใช้งานการตรวจจับกระแสไฟฟ้า

2512 0.003R (3m Ohm) 4W 1% ความละเอียด Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าความละเอียดสูง

CRH2512J16R0E04Z 2512 แพ็คเกจ16Ω 2W ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูงสำหรับงานอุตสาหกรรม

Ever Ohms CRH2512J1K20E04Z 2512 1.2KΩ 2W แรงสูง SMD ชิปต่อรองสําหรับการใช้งานอุตสาหกรรม

EVER OHMS CRH2512F8R45E04Z 2512 8.45Ω 2W พลังงานสูง ชิปผนังหนาสําหรับการควบคุมอุตสาหกรรม

5930 0.0015Ω โลหะ Shunt Chip Resistor กับการจัดตั้งพลังงาน 8W และ FeCrAl alloy การสร้าง

0.0015Ω (1.5m Ohm) 8W 1% โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา

5930 โลหะ ชิปชันท์ พัดต่อ 0.00025Ω (0.25m Ohm) พัดต่อ 12W Power Rating และ MnCu Alloy สําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา

5930 0.0003Ω (0.3m Ohm) 10W 1% โลหะ Shunt Chip resistor สําหรับการตรวจจับกระแสความแม่นยํากับ MnCu alloy

EHP25JS4R30FDS ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูง 2512 แพ็คเกจ4.3Ω 2W อัตราพลังงาน

5930 0.0025 โอม 7W 1% Tolerance ESR59F7W2M50K02G โลหะ ชิปชันท์

3920 0.0002R 12W 0.5% โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง

การวิเคราะห์ลึกของ ESR39F7W0M80M02G โลหะ Shunt Chip resistor

2512 0.0003 โอเอ็ม 6W 1% โลหะ Shunt ชิปต่อรองกับ MnCu สับสนธิสําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง

Ever Ohms CRH2512J15R0E04Z ต้านทานชิปแผ่นหนาที่มีประสิทธิภาพ 2W ความต้านทาน 15 Ohm ในแพ็คเกจ 2512

ESR25F4WR003F04G 2512 0.003R (3m Ohm) 4W FeCrAl โลหะ ชิปชันท์ตัวต่อต้านสําหรับการตรวจจับกระแสความแม่นยําสูง

CRH2512J150RE04Z 2512 150R 2W ชิปอัตราต่อรองที่มีความหนาแน่นของพลังงานสูงและ RoHS Compliance

EVER OHMS CRH2512F62R0E04Z 2512 62R 2W พลังงานสูง ชิปผนังหนาต่อต้านกับการสิ้นสุดแอนติซัลเฟอร์

3920 0.0002Ω±1% 12W พลังงานสูง MnCu โลหะผสมโลหะ Shunt ตัวต้านทานชิปสำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าที่แม่นยำ

2512 แพคเกจ 820K ความต้านทาน 2W ความจุ ความจุ ความจุ ความจุ ความจุ ความจุ ความจุ

CRH2512F750RE04Z 2512 เครื่องต่อรองชิปผนังหนาที่มีความต้านทาน 750Ω ชื่อเสียง ปริมาณการทํางาน 2W และความอดทน ± 1%

CRH2512F5R60E04Z ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูงพร้อมกำลังไฟพิกัด 2W, ความต้านทาน 5.6Ω ในแพ็คเกจ 2512

Ever Ohms 2512 พลังงานสูง ชิปผนังหนา พลังงาน 2W จํานวน 1 MΩ พลังงานต่อต้านและคุณสมบัติ AEC-Q200

CRH2512J10R0E04S 2512 10Ω ± 5% 2W พลังงานสูง ชิปชิปหนังหนา AEC-Q200 รับรอง

1206 ขนาด 1W แอนติซัลฟอร์เมทัล ฟิล์ม ชิป รีสิสเตอร์สําหรับการใช้งานพลังงานสูง

Ellon ESR25F3WR004F04G 2512 0.004R (4m Ohm) 3W 1% ความแม่นยำสูง FeCrAl Metal Shunt Resistor สำหรับ Current Sensing

CRH2512F806KE04Z 2512 806 kΩ 2W พลังงานสูง ชิปผนังหนาสําหรับ SMPS Feedback

2512 60.4 Ω 2W พลังงานสูง ชิปผนังหนา ทนทาน ± 1% และ AEC-Q200 ความเหมาะสม

CRH2512F75K0E04Z 2512 75KΩ 2W พลังงานสูง หนาผนังต่อต้านกับความอดทน ± 1%

CRH2512F6R80E04S 2512 6.8Ω 2W ตัวต้านทานกำลังสูงพร้อมค่าเผื่อ ± 1% สำหรับ BMS และพาวเวอร์ซัพพลาย

1206 1W 1Ω ตัวต้านทานกำลังสูงแบบฟิล์มโลหะที่มีความคลาดเคลื่อน ±1% และ TCR 50ppm

CRH2512F91R0E04Z 2512 พลังงานสูง ชิปผนังหนา พลังงานขนาด 2W ความอดทน ± 1% และความต้านทาน 91Ω

CRH2512J0R00E04Z 2512 0R 2W เครื่องต่อรองชิปผนังหนาพลังงานสูง พร้อมกระโดด 0 โอห์มและระดับพลังงาน 2 วัตต์

Ellon ESR25F5WR002F04G 2512 โลหะ Shunt ชิปกันด้วย 0.002R (2mOhm) ความต้านทานต่ําสุด 5W พลังงานสูงและ 1% ความแม่นยําสูง

Ever Ohms CRH2512J15K0E04Z 2512 แพ็คเกจ 15KΩ 2W แรงเคราะห์ ชิปผนังหนา