ประเทศจีน high precision shunt resistors โรงงาน ของหน้า 2

กรุณาฝากอีเมลที่ถูกต้อง และข้อบังคับรายละเอียด (20-3,000 ตัวอักษร)

ตกลง

ภาพ

ส่วนหนึ่ง #

คําอธิบาย

ผู้ผลิต

สต็อค

RFQ

ตัวต้านทาน SMD ฟิล์มโลหะเหนี่ยวนำต่ำ 1.47 โอห์ม ตัวต้านทานอัตโนมัติ

3920 ขนาด 0.0003Ω (0.3m โอห์ม) ตัวต้านทานชิปแบบชัทท์โลหะ 10W สำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้ากำลังสูง

2512 ขนาด 0.0005Ω (0.5m โอห์ม) ตัวต้านทานชิปแบบชัทเตอร์โลหะ 6W พร้อมวัสดุ MnCu และค่าเหนี่ยวนำต่ำสำหรับการใช้งานกำลังสูง

ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นงานโลหะขนาด 2512 0.001Ω (1 มิลลิโอห์ม) 6W สำหรับแหล่งจ่ายไฟและการควบคุมมอเตอร์

ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นส่วนโลหะขนาด 2512 0.003Ω (3 มิลลิโอห์ม) 4W สำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง

2512 ขนาด 0.00035Ω (0.35m โอห์ม) 6W MnCuSn ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นสำหรับตรวจจับกระแส

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะ 6W 0.002 โอห์ม ตัวต้านทานตรวจจับกระแส 3920 ขนาด

ตัวต้านทาน 1.82 โอห์ม ความคลาดเคลื่อน 1% ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ 1206 1 วัตต์

ตัวต้านทานป้องกันซัลเฟอร์ EAM Series 2.15Ω สำหรับระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรม

ติดต่อเรา

ที่อยู่: ชั้น 7, บล็อก B, อาคาร 9, สวนวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี Baoneng, ถนน Qingxiang, เขตใหม่ Longhua, เซินเจิ้น

อีเมล: sales.cn@uxingroup.com

โทรศัพท์: 86-0755-28100016

ผลิตภัณฑ์

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบสับเปลี่ยน

ตัวต้านทานชิปตรวจจับปัจจุบัน

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

ตัวต้านทานต่อต้านซัลเฟอร์

ฟิวส์ติดพื้นผิว

ไมโครฟิวส์

ฟิวส์หลอดเซรามิก

ฟิวส์หลอดแก้ว

ฟิวส์สามขั้ว

ฟิวส์ไฟฟ้า

เกี่ยวกับเรา

เกี่ยวกับเรา ใบรับรอง ISO การควบคุมคุณภาพ นโยบายความเป็นส่วนตัว ศูนย์ช่วยเหลือ

นโยบายความเป็นส่วนตัว | จีน คุณภาพดี ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบสับเปลี่ยน ผู้จัดจําหน่าย.ลิขสิทธิ์ 2025 Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd. สิทธิทั้งหมดถูกเก็บไว้

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบสับเปลี่ยน

ตัวต้านทานชิปตรวจจับปัจจุบัน

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

ตัวต้านทานต่อต้านซัลเฟอร์

ฟิวส์ติดพื้นผิว

ไมโครฟิวส์

ฟิวส์หลอดเซรามิก

ฟิวส์หลอดแก้ว

ฟิวส์สามขั้ว

ฟิวส์ไฟฟ้า

high precision shunt resistors

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบสับเปลี่ยน

ตัวต้านทานชิปตรวจจับปัจจุบัน

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

ตัวต้านทานต่อต้านซัลเฟอร์

ฟิวส์ติดพื้นผิว

ไมโครฟิวส์

ฟิวส์หลอดเซรามิก

ฟิวส์หลอดแก้ว

ฟิวส์สามขั้ว

ฟิวส์ไฟฟ้า

ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้าความแม่นยำสูง 5W 0.0025 โอห์ม ตัวต้านทานตรวจจับกระแสไฟฟ้า อุณหภูมิต่ำ

ตัวต้านทานขั้วกว้างโลหะผสม MnCu 7m โอห์ม ความต้านทานต่ำ ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้าความแม่นยำสูง

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าร่วม 0.0015 โอห์ม ตัวต้านทานร่วมความแม่นยำต่ำ

ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแส 3920 0.004 โอห์ม ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสสูง 4W สำหรับการใช้งานตรวจจับกระแสไฟฟ้ากำลังสูง

ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้า 0.4m โอห์ม 9W ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้ากำลังสูง สำหรับการใช้งานในอุณหภูมิต่ำ

ตัวต้านทาน SMD 2512 แบบเหนี่ยวนำต่ำ 0.4m โอห์ม ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้าความแม่นยำสูง 6W สำหรับการตรวจจับกระแส

ตัวต้านทานกระแสไฟแบบชิ้นโลหะ 8W ตัวต้านทานกำลังสูง 0.001 โอห์ม ขนาด 3920

ตัวต้านทาน SMD ฟิล์มโลหะเหนี่ยวนำต่ำ 1.47 โอห์ม ตัวต้านทานอัตโนมัติ

3920 ขนาด 0.0003Ω (0.3m โอห์ม) ตัวต้านทานชิปแบบชัทท์โลหะ 10W สำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้ากำลังสูง

2512 ขนาด 0.0005Ω (0.5m โอห์ม) ตัวต้านทานชิปแบบชัทเตอร์โลหะ 6W พร้อมวัสดุ MnCu และค่าเหนี่ยวนำต่ำสำหรับการใช้งานกำลังสูง

ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นงานโลหะขนาด 2512 0.001Ω (1 มิลลิโอห์ม) 6W สำหรับแหล่งจ่ายไฟและการควบคุมมอเตอร์

ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นส่วนโลหะขนาด 2512 0.003Ω (3 มิลลิโอห์ม) 4W สำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง

2512 ขนาด 0.00035Ω (0.35m โอห์ม) 6W MnCuSn ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นสำหรับตรวจจับกระแส

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะ 6W 0.002 โอห์ม ตัวต้านทานตรวจจับกระแส 3920 ขนาด

ตัวต้านทาน 1.82 โอห์ม ความคลาดเคลื่อน 1% ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ 1206 1 วัตต์

ตัวต้านทานป้องกันซัลเฟอร์ EAM Series 2.15Ω สำหรับระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรม

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบสับเปลี่ยน

ตัวต้านทานชิปตรวจจับปัจจุบัน

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

ตัวต้านทานต่อต้านซัลเฟอร์

ฟิวส์ติดพื้นผิว

ไมโครฟิวส์

ฟิวส์หลอดเซรามิก

ฟิวส์หลอดแก้ว

ฟิวส์สามขั้ว

ฟิวส์ไฟฟ้า