	ภาพ	ส่วนหนึ่ง #	คําอธิบาย	ผู้ผลิต	สต็อค	RFQ
		5930 0.0008 โอห์ม 7 วัตต์กำลังสูง 1% ตัวต้านทานชิปโลหะ Shunt ที่มีความแม่นยำสำหรับการตรวจจับกระแส
		3920 0.003R (3m Ohm) 5W พลังงานสูง 1% ความแม่นยําสูง โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับปัจจุบัน
		3920 0.004R (4m Ohm) 4W ± 1% โลหะ Shunt Chip resistor สําหรับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์
		2512 0.0003 โอเอ็ม 6W 1% โลหะ Shunt ชิปต่อรองกับ MnCu สับสนธิสําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง
		Ever Ohms CRH2512J15K0E04Z 2512 แพ็คเกจ 15KΩ 2W แรงเคราะห์ ชิปผนังหนา
		CRH2512F680RE04Z พลังงานสูง ชิปผนังหนา พลังงานระดับ 2W ความต้านทาน 680 โอห์ม และขนาดแพ็คเกจ 2512
		CRH2512F5R60E04Z ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูงพร้อมกำลังไฟพิกัด 2W, ความต้านทาน 5.6Ω ในแพ็คเกจ 2512
		ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นโลหะ Shunt ขนาด 2512 0.00025Ω (0.25m โอห์ม) 6W สำหรับตรวจจับกระแส
		2512 ขนาด 0.002Ω (2m โอห์ม) 5W ความคลาดเคลื่อน 1% ตัวต้านทานแบบชิ้นโลหะสำหรับตรวจจับกระแส
		ตัวต้านทาน 0508 5 M โอห์ม SMD Low TCR 1W ความแม่นยำสูง
		5930 0.0004Ω 8W โลหะ Shunt Chip resistor ด้วย MnCu alloy สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง
		3920 0.0002R 12W 0.5% โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง
		เอลลอน ESR25F4W2M50K04G 2512 แพ็คเกจ 0.0025Ω (2.5m Ohm) 4W อัตรากําลังเฉพาะ ชิปชันท์
		CRH2512F75K0E04Z 2512 75KΩ 2W พลังงานสูง หนาผนังต่อต้านกับความอดทน ± 1%
		ตัวต้านทานป้องกันซัลเฟอร์ขนาด 1206 1.18Ω พร้อมการออกแบบค่าเหนี่ยวนำต่ำสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์
		CRH2512F750RE04Z 2512 เครื่องต่อรองชิปผนังหนาที่มีความต้านทาน 750Ω ชื่อเสียง ปริมาณการทํางาน 2W และความอดทน ± 1%
		ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นโลหะ 2512 ขนาด 0.002Ω (2m โอห์ม) 6W สำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง
		ตัวต้านทานค่า 0.8m โอห์ม ความเหนี่ยวนำต่ำ ตัวต้านทานวัดกระแส 7W ขนาด 3920
		ตัวต้านทานกระแสไฟสูงแม่นยำสำหรับยานยนต์ 7W ตัวต้านทานค่าความเหนี่ยวนำต่ำ 0.0015 โอห์ม 3920 สำหรับการใช้งานที่ต้องการ
		ตัวต้านทานค่าความต้านทานต่ำกำลังสูง TCR ต่ำพิเศษ ตัวต้านทาน 8m โอห์ม
		ตัวต้านทานเทอร์มินอลกว้าง 0508 20m โอห์ม ตัวต้านทานขนาดกะทัดรัด 1W สำหรับแหล่งจ่ายไฟ การควบคุมมอเตอร์ และการจัดการแบตเตอรี่
		ตัวต้านทานป้องกันซัลเฟอร์ 1206 1.33 โอห์ม ตัวต้านทานเหนี่ยวนำต่ำ 1W
		ตัวต้านทานป้องกันซัลเฟอร์ EAM Series 2.15Ω สำหรับอิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์
		ตัวต้านทานป้องกันซัลเฟอร์ EAM Series 2.15Ω สำหรับระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรม
		3920 0.0002Ω±1% 12W พลังงานสูง MnCu โลหะผสมโลหะ Shunt ตัวต้านทานชิปสำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าที่แม่นยำ
		CRH2512J12R0E04Z 2W 12Ω 2512 ตัวต้านทานแบบฟิล์มหนาสำหรับโมดูลพลังงานและการควบคุมอุตสาหกรรม
		ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้าโลหะ 2512 0.2mΩ 7W ค่าความคลาดเคลื่อน ±1% แบบ SMD
		2512 ขนาด 0.00035Ω (0.35m โอห์ม) 6W MnCuSn ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นสำหรับตรวจจับกระแส
		ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นโลหะ Shunt ขนาด 2512 0.00075Ω (0.75m โอห์ม) 6W สำหรับตรวจจับกระแส
		ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นส่วนโลหะขนาด 2512 0.003Ω (3 มิลลิโอห์ม) 4W สำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง
		ตัวต้านทานขั้วกว้างค่าความต้านทานต่ำพิเศษ 1225 ตัวต้านทานเซ็นเซอร์กระแสไฟฟ้าสำหรับแอปพลิเคชันสถานีฐาน 5G
		1206 ขนาด 2.05Ω ความต้านทาน 1W พิกัดกำลังต้านทานฟิล์มโลหะป้องกันกำมะถัน
		ขนาด 1206 2.1Ω ความต้านทาน 1W ตัวต้านทานฟิล์มโลหะป้องกันกำมะถันพร้อมค่าความคลาดเคลื่อน 1%
		2512 แพคเกจ 820K ความต้านทาน 2W ความจุ ความจุ ความจุ ความจุ ความจุ ความจุ ความจุ
		1206 ขนาด 1W แอนติซัลฟอร์เมทัล ฟิล์ม ชิป รีสิสเตอร์สําหรับการใช้งานพลังงานสูง
		ความทนทานต่อการกระชับกระชับแผ่นโลหะ 1W - AEC-Q200 องค์ประกอบ EGM ซีรีส์ 1206 ที่ได้รับคุณภาพ
		ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นโลหะ 6W ขนาด 2512 0.0015Ω (1.5m โอห์ม) สำหรับตรวจจับกระแส
		3920 ขนาด 0.0003Ω (0.3m โอห์ม) ตัวต้านทานชิปแบบชัทท์โลหะ 10W สำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้ากำลังสูง
		ตัวต้านทานขั้วกว้างกำลังสูง 1W 3m โอห์ม ตัวต้านทาน ขนาด 0508 สำหรับงานด้านพลังงาน
		CRH2512J100RE04Z 2512 100Ω 2W ชิปต่อรองผนังหนาสําหรับวงจรคอมแพคต์ประเภทอุตสาหกรรม
		Ever Ohms CRH2512F62K0E04Z 2512 แพคเกจ 62K Ω 2W High-Powerหนาฟิล์มตัวต้านทานชิป
		ตัวต้านทานชิปแบบชิ้น MnCu ขนาด 3920 สำหรับแหล่งจ่ายไฟ พร้อมค่าความต้านทาน 0.0005Ω (0.5m โอห์ม)
		1206 1W 1Ω ตัวต้านทานกำลังสูงแบบฟิล์มโลหะที่มีความคลาดเคลื่อน ±1% และ TCR 50ppm
		2512 60.4 Ω 2W พลังงานสูง ชิปผนังหนา ทนทาน ± 1% และ AEC-Q200 ความเหมาะสม
		CRH2512J10R0E04S 2512 10Ω ± 5% 2W พลังงานสูง ชิปชิปหนังหนา AEC-Q200 รับรอง
		Ever Ohms CRH2512J10K0E04Z 2512 แพ็คเกจ 10KΩ 2W ความแรง SMD resistor หนังหนาสําหรับอุตสาหกรรมและอิเล็กทรอนิกส์รถยนต์
		CRH2512J150KE04Z 2512 150K 2W เครื่องต่อรองชิปผนังหนาแรงสูง สําหรับอุตสาหกรรมและอุตสาหกรรมรถยนต์
		เคยโอห์ม CRH2512F5R10E04S 2512 แพคเกจ 5.1Ω 2W ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูง
		CRH2512F5K10E04Z 2512 5.1KΩ ± 1% ความอดทน 2W พลังงานสูง ชิปผนังหนา

1 2 3 4 5

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบสับเปลี่ยน

ตัวต้านทานชิปตรวจจับปัจจุบัน

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

ตัวต้านทานต่อต้านซัลเฟอร์

ฟิวส์ติดพื้นผิว

ไมโครฟิวส์

ฟิวส์หลอดเซรามิก

ฟิวส์หลอดแก้ว

ฟิวส์สามขั้ว

ฟิวส์ไฟฟ้า

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะป้องกันซัลเฟอร์

ยืนยันชิปผนังโลหะต้านต่อการกระแทก

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะ

MELF โลหะฟิล์มต่อรอง

ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูง

ตัวต้านทานชิปแบบฟิล์มบางที่มีความแม่นยำ

rohs resistor

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบสับเปลี่ยน

ตัวต้านทานชิปตรวจจับปัจจุบัน

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

ตัวต้านทานต่อต้านซัลเฟอร์

ฟิวส์ติดพื้นผิว

ไมโครฟิวส์

ฟิวส์หลอดเซรามิก

ฟิวส์หลอดแก้ว

ฟิวส์สามขั้ว

ฟิวส์ไฟฟ้า

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะป้องกันซัลเฟอร์

ยืนยันชิปผนังโลหะต้านต่อการกระแทก

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะ

MELF โลหะฟิล์มต่อรอง

ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูง

ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ SMD เสียงรบกวนต่ำ 1.87 โอห์ม RoHs Resistor ทนทาน

ตัวต้านทาน 50 M โอห์ม ความเหนี่ยวนำต่ำ 0508 ตัวต้านทาน RoHs ความแม่นยำสูง สำหรับการใช้งานตรวจจับกระแส

CRH2512J160RE04Z เครื่องกันแผ่นหนาพลังงานสูง มีประสิทธิภาพ 2W, TCR ± 100ppm/°C และสอดคล้องกับ RoHS

ตัวต้านทาน SMD 1.78 โอห์ม 1 วัตต์ เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS ตัวต้านทาน SMD 1206 ค่าความเหนี่ยวนำต่ำ EAM16FT1R78DES

ตัวต้านทาน 10 โอห์ม 3W ที่เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS, ตัวต้านทาน MnCu Alloy Low TCR สำหรับการตรวจวัดกระแสไฟฟ้าที่มีความแม่นยำสูง

ตัวต้านทาน SMD 2512 แบบเหนี่ยวนำต่ำ 0.4m โอห์ม ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้าความแม่นยำสูง 6W สำหรับการตรวจจับกระแส

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าร่วม 8W 0.002 โอห์ม ตัวต้านทานตรวจจับกระแสไฟฟ้าร่วมกับ ESL ต่ำ

ตัวต้านทานป้องกันกำมะถันแบบเหนี่ยวนำต่ำ 1.24 โอห์ม 1 วัตต์ ความแม่นยำสูง

ตัวต้านทานกระแสไฟแบบชิ้น (RoHS) 0.75m โอห์ม ตัวต้านทานชิปความแม่นยำ 7W

5930 0.0008 โอห์ม 7 วัตต์กำลังสูง 1% ตัวต้านทานชิปโลหะ Shunt ที่มีความแม่นยำสำหรับการตรวจจับกระแส

3920 0.003R (3m Ohm) 5W พลังงานสูง 1% ความแม่นยําสูง โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับปัจจุบัน

3920 0.004R (4m Ohm) 4W ± 1% โลหะ Shunt Chip resistor สําหรับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์

2512 0.0003 โอเอ็ม 6W 1% โลหะ Shunt ชิปต่อรองกับ MnCu สับสนธิสําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง

Ever Ohms CRH2512J15K0E04Z 2512 แพ็คเกจ 15KΩ 2W แรงเคราะห์ ชิปผนังหนา

CRH2512F680RE04Z พลังงานสูง ชิปผนังหนา พลังงานระดับ 2W ความต้านทาน 680 โอห์ม และขนาดแพ็คเกจ 2512

CRH2512F5R60E04Z ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูงพร้อมกำลังไฟพิกัด 2W, ความต้านทาน 5.6Ω ในแพ็คเกจ 2512

ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นโลหะ Shunt ขนาด 2512 0.00025Ω (0.25m โอห์ม) 6W สำหรับตรวจจับกระแส

2512 ขนาด 0.002Ω (2m โอห์ม) 5W ความคลาดเคลื่อน 1% ตัวต้านทานแบบชิ้นโลหะสำหรับตรวจจับกระแส

ตัวต้านทาน 0508 5 M โอห์ม SMD Low TCR 1W ความแม่นยำสูง

5930 0.0004Ω 8W โลหะ Shunt Chip resistor ด้วย MnCu alloy สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง

3920 0.0002R 12W 0.5% โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง

เอลลอน ESR25F4W2M50K04G 2512 แพ็คเกจ 0.0025Ω (2.5m Ohm) 4W อัตรากําลังเฉพาะ ชิปชันท์

CRH2512F75K0E04Z 2512 75KΩ 2W พลังงานสูง หนาผนังต่อต้านกับความอดทน ± 1%

ตัวต้านทานป้องกันซัลเฟอร์ขนาด 1206 1.18Ω พร้อมการออกแบบค่าเหนี่ยวนำต่ำสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์

CRH2512F750RE04Z 2512 เครื่องต่อรองชิปผนังหนาที่มีความต้านทาน 750Ω ชื่อเสียง ปริมาณการทํางาน 2W และความอดทน ± 1%

ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นโลหะ 2512 ขนาด 0.002Ω (2m โอห์ม) 6W สำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง

ตัวต้านทานค่า 0.8m โอห์ม ความเหนี่ยวนำต่ำ ตัวต้านทานวัดกระแส 7W ขนาด 3920

ตัวต้านทานค่าความต้านทานต่ำกำลังสูง TCR ต่ำพิเศษ ตัวต้านทาน 8m โอห์ม

ตัวต้านทานป้องกันซัลเฟอร์ 1206 1.33 โอห์ม ตัวต้านทานเหนี่ยวนำต่ำ 1W

ตัวต้านทานป้องกันซัลเฟอร์ EAM Series 2.15Ω สำหรับอิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์

ตัวต้านทานป้องกันซัลเฟอร์ EAM Series 2.15Ω สำหรับระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรม

3920 0.0002Ω±1% 12W พลังงานสูง MnCu โลหะผสมโลหะ Shunt ตัวต้านทานชิปสำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าที่แม่นยำ

CRH2512J12R0E04Z 2W 12Ω 2512 ตัวต้านทานแบบฟิล์มหนาสำหรับโมดูลพลังงานและการควบคุมอุตสาหกรรม

ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้าโลหะ 2512 0.2mΩ 7W ค่าความคลาดเคลื่อน ±1% แบบ SMD

2512 ขนาด 0.00035Ω (0.35m โอห์ม) 6W MnCuSn ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นสำหรับตรวจจับกระแส

ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นโลหะ Shunt ขนาด 2512 0.00075Ω (0.75m โอห์ม) 6W สำหรับตรวจจับกระแส

ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นส่วนโลหะขนาด 2512 0.003Ω (3 มิลลิโอห์ม) 4W สำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง

ตัวต้านทานขั้วกว้างค่าความต้านทานต่ำพิเศษ 1225 ตัวต้านทานเซ็นเซอร์กระแสไฟฟ้าสำหรับแอปพลิเคชันสถานีฐาน 5G

1206 ขนาด 2.05Ω ความต้านทาน 1W พิกัดกำลังต้านทานฟิล์มโลหะป้องกันกำมะถัน

ขนาด 1206 2.1Ω ความต้านทาน 1W ตัวต้านทานฟิล์มโลหะป้องกันกำมะถันพร้อมค่าความคลาดเคลื่อน 1%

2512 แพคเกจ 820K ความต้านทาน 2W ความจุ ความจุ ความจุ ความจุ ความจุ ความจุ ความจุ

1206 ขนาด 1W แอนติซัลฟอร์เมทัล ฟิล์ม ชิป รีสิสเตอร์สําหรับการใช้งานพลังงานสูง

ความทนทานต่อการกระชับกระชับแผ่นโลหะ 1W - AEC-Q200 องค์ประกอบ EGM ซีรีส์ 1206 ที่ได้รับคุณภาพ

ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นโลหะ 6W ขนาด 2512 0.0015Ω (1.5m โอห์ม) สำหรับตรวจจับกระแส

3920 ขนาด 0.0003Ω (0.3m โอห์ม) ตัวต้านทานชิปแบบชัทท์โลหะ 10W สำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้ากำลังสูง

ตัวต้านทานขั้วกว้างกำลังสูง 1W 3m โอห์ม ตัวต้านทาน ขนาด 0508 สำหรับงานด้านพลังงาน

CRH2512J100RE04Z 2512 100Ω 2W ชิปต่อรองผนังหนาสําหรับวงจรคอมแพคต์ประเภทอุตสาหกรรม

Ever Ohms CRH2512F62K0E04Z 2512 แพคเกจ 62K Ω 2W High-Powerหนาฟิล์มตัวต้านทานชิป