	ภาพ	ส่วนหนึ่ง #	คําอธิบาย	ผู้ผลิต	สต็อค	RFQ
		2512 0.00035R (0.35m Ohm) ตัวต้านทานชิปโลหะ Shunt 6W พร้อมทองแดงแมงกานีส MnCu สำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าที่มีความแม่นยำสูง
		2512 0.005R (5m Ohm) 5W 1% ความละเอียด Shunt Chip Resistor สําหรับการใช้งานการตรวจจับกระแสไฟฟ้า
		Ever Ohms CRH2512J1R50E04S 2512 1.5R 2W SMD resistor ด้วยเทคโนโลยีแผ่นหนาพลังงานสูง
		Ever Ohms CRH2512J18R0E04Z 2512 18R 2W พลังงานสูง ชิปชิปหนังหนาที่มีประสิทธิภาพ 2W และความต้านทาน 18 โอม
		Ever Ohms CRH2512J16R0E04Z 2512 แพ็คเกจ 16 Ohm 2W พลังงาน SMD resistor สําหรับการใช้งานอุตสาหกรรม
		EVER OHMS CRH2512J160RE04Z 2512 160 ออห์ม 2W ความจุแรงสูง ชิปผนังหนา
		Ever Ohms CRH2512J15R0E04Z ต้านทานชิปแผ่นหนาที่มีประสิทธิภาพ 2W ความต้านทาน 15 Ohm ในแพ็คเกจ 2512
		CRH2512J150RE04Z 2512 150R 2W ชิปอัตราต่อรองที่มีความหนาแน่นของพลังงานสูงและ RoHS Compliance
		EVER OHMS CRH2512J13K0E04Z 2512 13kΩ 2W พลังงานสูง ชิปผนังหนา ทนทาน ± 5%
		CRH2512F91R0E04Z 2512 พลังงานสูง ชิปผนังหนา พลังงานขนาด 2W ความอดทน ± 1% และความต้านทาน 91Ω
		ตัวต้านทาน 1.82 โอห์ม ความคลาดเคลื่อน 1% ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ 1206 1 วัตต์
		2512 0.0002Ω โลหะ Shunt Chip Resistor ด้วยพลังงานสูง 7W และ MnCu สับสนธิสําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา
		2512 0.00025R (0.25m Ohm) 6W พลังงานสูง 1% ความละเอียดสูง โลหะชันท์ชิปต่อรองสําหรับการตรวจจับกระแสปัจจุบัน
		CRH2512F75R0E04Z 2512 ตัวต้านทาน 75R 2W พร้อมอัตรากำลัง 2W และความต้านทาน 75 โอห์มในแพ็คเกจ 2512
		ตัวต้านทานฟิล์มโลหะแบบ SMD ทนทาน 1.37 โอห์ม 1 วัตต์ ตัวต้านทาน SMD
		5930 0.0001 Ohm 15W 1% Metal Shunt Chip Resistor สำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าที่มีความแม่นยำสูง
		ESR59F7WR002F02G 5930 Package 0.002Ω (0.002 Ohm) 7W 1% โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสแรงสูง
		3920 0.002R (2m Ohm) 8W 1% Tolerance Karma Metal Shunt Chip Resistor สำหรับการสุ่มตัวอย่างกระแสสูง
		5930 0.0025 โอม 7W FeCrAl สังกะสีโลหะ โชงชิปต่อรองสําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา
		5930 0.0002R (0.00025 ออห์ม) 15W 1% ESR59F15W0M20M02G โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าความแม่นยําสูง
		5930 0.00025 โอห์ม 12 วัตต์ 1% ตัวต้านทานชิปโลหะ Shunt สำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าที่แม่นยำ
		3920 0.0007R (0.7m Ohm) 8W MnCu Metal Shunt Chip Resistor สำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าที่มีความแม่นยำสูง
		3920 0.003R (3m Ohm) 5W ± 1% ESR39F5WR003F02G โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง
		3920 0.001Ω (1m Ohm) 8W พลังงานสูง ± 1% ความละเอียดความอดทน ชิปชันท์โลหะ
		3920 0.002R (2m Ohm) 6W 1% ESR39F6WR002F02G โลหะ Shunt Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสความแม่นยําสูง
		3920 0.001R (1m Ohm) 8W พลังงานสูง 1% ความแม่นยํา ESR39F8WR001K02G โลหะ Shunt Chip Resistor
		3920 0.002R (2m Ohm) 6W 1% Karma Metal Shunt Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง
		Ellon ESR25F3WR004F04G 2512 0.004R (4m Ohm) 3W 1% ความแม่นยำสูง FeCrAl Metal Shunt Resistor สำหรับ Current Sensing
		2512 0.003Ω (3mΩ) 5W ± 1% ความอดทน Shunt Chip Resistor สําหรับการใช้งานการตรวจจับกระแสไฟฟ้า
		Ever Ohms 2512 พลังงานสูง ชิปผนังหนา พลังงาน 2W จํานวน 1 MΩ พลังงานต่อต้านและคุณสมบัติ AEC-Q200
		ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้า 0.4m โอห์ม 9W ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้ากำลังสูง สำหรับการใช้งานในอุณหภูมิต่ำ
		ตัวต้านทานฟิล์มโลหะขนาด 1206 1.96Ω พร้อมการออกแบบค่าเหนี่ยวนำต่ำและความสามารถในการป้องกันกำมะถัน
		ESR39F7WR001M02G 3920 โลหะ ชิปชันท์ โรสสเตอร์ 0.001 โอห์ม 7W สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าความแม่นยําสูง
		ESR39F7W1M50F02G โลหะ Shunt Chip Resistor 3920 ชิปบรรจุ 0.0015R (1.5m Ohm) 7W พลังงานสูง ความแม่นยําส่วนประกอบความต้านทานต่ํา
		ESR25F4WR003F04G 2512 0.003R (3m Ohm) 4W FeCrAl โลหะ ชิปชันท์ตัวต่อต้านสําหรับการตรวจจับกระแสความแม่นยําสูง
		เอลลอน ESR25F3WR003K04G 2512 0.003R (3m Ohm) 3W 1% Shunt Surface Mount Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา
		CRH2512J18R0E04Z ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูงพร้อมอัตรากำลัง 2W ความต้านทาน 18Ω ในแพ็คเกจ 2512
		CRH2512J0R00E04Z 2512 0R 2W เครื่องต่อรองชิปผนังหนาพลังงานสูง พร้อมกระโดด 0 โอห์มและระดับพลังงาน 2 วัตต์
		ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะ 1206 1W 1 โอห์ม ความคลาดเคลื่อน ±1%
		ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะ 1206 1.2 โอห์ม 1W 1% ป้องกันกำมะถัน
		5930 0.0025 โอม 7W 1% Tolerance ESR59F7W2M50K02G โลหะ ชิปชันท์
		5930 0.0015 โอม 8W 1% ความอดทน โลหะ ชิปชันท์ ยกกันสําหรับการตรวจจับกระแสปัจจุบัน
		5930 0.003 Ohm 7W FeCrAl โลหะผสมโลหะ Shunt Chip Resistor สำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้ากำลังสูง
		3920 0.00025R (2.5m Ohm) 12W 1% โลหะ ชิปชันท์ รองรับสําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าความแม่นยําสูง
		Ellon ESR25F2W5R005K04G 2512 0.005R (5m Ohm) 2.5W Karma Alloy Shunt Chip Resistor สําหรับการเก็บตัวอย่างแม่นยํา
		Ever Ohms CRH2512J1K50E04Z 2512 แพ็คเกจ 1.5KΩ ความต้านทาน 2W พลังงาน SMD resistor
		Ever Ohms CRH2512J1K00E04Z พลังงานสูง พลังงานสูง 2W พลังงานสูง 2512 SMD Package และความอดทนความต้านทาน ± 5%
		Ever Ohms CRH2512J15R0E04Z ตัวต้านทานชิปกำลังสูงพร้อมกำลังไฟ 2W ในแพ็คเกจ 2512 และความต้านทาน 15 โอห์ม
		2512 ขนาด 0.0005Ω (0.5m โอห์ม) ตัวต้านทานชิปแบบชัทเตอร์โลหะ 6W พร้อมวัสดุ MnCu และค่าเหนี่ยวนำต่ำสำหรับการใช้งานกำลังสูง
		ตัวต้านทานชิปแบบชิ้นงานโลหะขนาด 2512 0.001Ω (1 มิลลิโอห์ม) 6W สำหรับแหล่งจ่ายไฟและการควบคุมมอเตอร์

1 2 3 4 5

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบสับเปลี่ยน

ตัวต้านทานชิปตรวจจับปัจจุบัน

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

ตัวต้านทานต่อต้านซัลเฟอร์

ฟิวส์ติดพื้นผิว

ไมโครฟิวส์

ฟิวส์หลอดเซรามิก

ฟิวส์หลอดแก้ว

ฟิวส์สามขั้ว

ฟิวส์ไฟฟ้า

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะป้องกันซัลเฟอร์

ยืนยันชิปผนังโลหะต้านต่อการกระแทก

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะ

MELF โลหะฟิล์มต่อรอง

ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูง

ตัวต้านทานชิปแบบฟิล์มบางที่มีความแม่นยำ

rohs resistor

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบสับเปลี่ยน

ตัวต้านทานชิปตรวจจับปัจจุบัน

ตัวต้านทานเทอร์มินัลแบบกว้าง

ตัวต้านทานต่อต้านซัลเฟอร์

ฟิวส์ติดพื้นผิว

ไมโครฟิวส์

ฟิวส์หลอดเซรามิก

ฟิวส์หลอดแก้ว

ฟิวส์สามขั้ว

ฟิวส์ไฟฟ้า

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะป้องกันซัลเฟอร์

ยืนยันชิปผนังโลหะต้านต่อการกระแทก

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะ

MELF โลหะฟิล์มต่อรอง

ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูง

ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ SMD เสียงรบกวนต่ำ 1.87 โอห์ม RoHs Resistor ทนทาน

ตัวต้านทาน 50 M โอห์ม ความเหนี่ยวนำต่ำ 0508 ตัวต้านทาน RoHs ความแม่นยำสูง สำหรับการใช้งานตรวจจับกระแส

CRH2512J160RE04Z เครื่องกันแผ่นหนาพลังงานสูง มีประสิทธิภาพ 2W, TCR ± 100ppm/°C และสอดคล้องกับ RoHS

ตัวต้านทาน SMD 1.78 โอห์ม 1 วัตต์ เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS ตัวต้านทาน SMD 1206 ค่าความเหนี่ยวนำต่ำ EAM16FT1R78DES

ตัวต้านทาน 10 โอห์ม 3W ที่เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS, ตัวต้านทาน MnCu Alloy Low TCR สำหรับการตรวจวัดกระแสไฟฟ้าที่มีความแม่นยำสูง

ตัวต้านทาน SMD 2512 แบบเหนี่ยวนำต่ำ 0.4m โอห์ม ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้าความแม่นยำสูง 6W สำหรับการตรวจจับกระแส

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าร่วม 8W 0.002 โอห์ม ตัวต้านทานตรวจจับกระแสไฟฟ้าร่วมกับ ESL ต่ำ

ตัวต้านทานป้องกันกำมะถันแบบเหนี่ยวนำต่ำ 1.24 โอห์ม 1 วัตต์ ความแม่นยำสูง

ตัวต้านทานกระแสไฟแบบชิ้น (RoHS) 0.75m โอห์ม ตัวต้านทานชิปความแม่นยำ 7W

2512 0.00035R (0.35m Ohm) ตัวต้านทานชิปโลหะ Shunt 6W พร้อมทองแดงแมงกานีส MnCu สำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าที่มีความแม่นยำสูง

2512 0.005R (5m Ohm) 5W 1% ความละเอียด Shunt Chip Resistor สําหรับการใช้งานการตรวจจับกระแสไฟฟ้า

Ever Ohms CRH2512J1R50E04S 2512 1.5R 2W SMD resistor ด้วยเทคโนโลยีแผ่นหนาพลังงานสูง

Ever Ohms CRH2512J18R0E04Z 2512 18R 2W พลังงานสูง ชิปชิปหนังหนาที่มีประสิทธิภาพ 2W และความต้านทาน 18 โอม

Ever Ohms CRH2512J16R0E04Z 2512 แพ็คเกจ 16 Ohm 2W พลังงาน SMD resistor สําหรับการใช้งานอุตสาหกรรม

EVER OHMS CRH2512J160RE04Z 2512 160 ออห์ม 2W ความจุแรงสูง ชิปผนังหนา

Ever Ohms CRH2512J15R0E04Z ต้านทานชิปแผ่นหนาที่มีประสิทธิภาพ 2W ความต้านทาน 15 Ohm ในแพ็คเกจ 2512

CRH2512J150RE04Z 2512 150R 2W ชิปอัตราต่อรองที่มีความหนาแน่นของพลังงานสูงและ RoHS Compliance

EVER OHMS CRH2512J13K0E04Z 2512 13kΩ 2W พลังงานสูง ชิปผนังหนา ทนทาน ± 5%

CRH2512F91R0E04Z 2512 พลังงานสูง ชิปผนังหนา พลังงานขนาด 2W ความอดทน ± 1% และความต้านทาน 91Ω

ตัวต้านทาน 1.82 โอห์ม ความคลาดเคลื่อน 1% ตัวต้านทานฟิล์มโลหะ 1206 1 วัตต์

2512 0.0002Ω โลหะ Shunt Chip Resistor ด้วยพลังงานสูง 7W และ MnCu สับสนธิสําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา

2512 0.00025R (0.25m Ohm) 6W พลังงานสูง 1% ความละเอียดสูง โลหะชันท์ชิปต่อรองสําหรับการตรวจจับกระแสปัจจุบัน

CRH2512F75R0E04Z 2512 ตัวต้านทาน 75R 2W พร้อมอัตรากำลัง 2W และความต้านทาน 75 โอห์มในแพ็คเกจ 2512

ตัวต้านทานฟิล์มโลหะแบบ SMD ทนทาน 1.37 โอห์ม 1 วัตต์ ตัวต้านทาน SMD

5930 0.0001 Ohm 15W 1% Metal Shunt Chip Resistor สำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าที่มีความแม่นยำสูง

ESR59F7WR002F02G 5930 Package 0.002Ω (0.002 Ohm) 7W 1% โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสแรงสูง

3920 0.002R (2m Ohm) 8W 1% Tolerance Karma Metal Shunt Chip Resistor สำหรับการสุ่มตัวอย่างกระแสสูง

5930 0.0025 โอม 7W FeCrAl สังกะสีโลหะ โชงชิปต่อรองสําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา

5930 0.0002R (0.00025 ออห์ม) 15W 1% ESR59F15W0M20M02G โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าความแม่นยําสูง

5930 0.00025 โอห์ม 12 วัตต์ 1% ตัวต้านทานชิปโลหะ Shunt สำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าที่แม่นยำ

3920 0.0007R (0.7m Ohm) 8W MnCu Metal Shunt Chip Resistor สำหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าที่มีความแม่นยำสูง

3920 0.003R (3m Ohm) 5W ± 1% ESR39F5WR003F02G โลหะ Shunt Chip Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง

3920 0.001Ω (1m Ohm) 8W พลังงานสูง ± 1% ความละเอียดความอดทน ชิปชันท์โลหะ

3920 0.002R (2m Ohm) 6W 1% ESR39F6WR002F02G โลหะ Shunt Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสความแม่นยําสูง

3920 0.001R (1m Ohm) 8W พลังงานสูง 1% ความแม่นยํา ESR39F8WR001K02G โลหะ Shunt Chip Resistor

3920 0.002R (2m Ohm) 6W 1% Karma Metal Shunt Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าสูง

Ellon ESR25F3WR004F04G 2512 0.004R (4m Ohm) 3W 1% ความแม่นยำสูง FeCrAl Metal Shunt Resistor สำหรับ Current Sensing

2512 0.003Ω (3mΩ) 5W ± 1% ความอดทน Shunt Chip Resistor สําหรับการใช้งานการตรวจจับกระแสไฟฟ้า

Ever Ohms 2512 พลังงานสูง ชิปผนังหนา พลังงาน 2W จํานวน 1 MΩ พลังงานต่อต้านและคุณสมบัติ AEC-Q200

ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้า 0.4m โอห์ม 9W ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้ากำลังสูง สำหรับการใช้งานในอุณหภูมิต่ำ

ตัวต้านทานฟิล์มโลหะขนาด 1206 1.96Ω พร้อมการออกแบบค่าเหนี่ยวนำต่ำและความสามารถในการป้องกันกำมะถัน

ESR39F7WR001M02G 3920 โลหะ ชิปชันท์ โรสสเตอร์ 0.001 โอห์ม 7W สําหรับการตรวจจับกระแสไฟฟ้าความแม่นยําสูง

ESR39F7W1M50F02G โลหะ Shunt Chip Resistor 3920 ชิปบรรจุ 0.0015R (1.5m Ohm) 7W พลังงานสูง ความแม่นยําส่วนประกอบความต้านทานต่ํา

ESR25F4WR003F04G 2512 0.003R (3m Ohm) 4W FeCrAl โลหะ ชิปชันท์ตัวต่อต้านสําหรับการตรวจจับกระแสความแม่นยําสูง

เอลลอน ESR25F3WR003K04G 2512 0.003R (3m Ohm) 3W 1% Shunt Surface Mount Resistor สําหรับการตรวจจับกระแสแม่นยํา

CRH2512J18R0E04Z ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูงพร้อมอัตรากำลัง 2W ความต้านทาน 18Ω ในแพ็คเกจ 2512

CRH2512J0R00E04Z 2512 0R 2W เครื่องต่อรองชิปผนังหนาพลังงานสูง พร้อมกระโดด 0 โอห์มและระดับพลังงาน 2 วัตต์

ตัวต้านทานชิปฟิล์มโลหะ 1206 1W 1 โอห์ม ความคลาดเคลื่อน ±1%