คุณภาพ ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้าโลหะ 2512 0.2mΩ 7W ค่าความคลาดเคลื่อน ±1% แบบ SMD โรงงาน

ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้าโลหะ 2512 0.2mΩ 7W ค่าความคลาดเคลื่อน ±1% แบบ SMD

Name: ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้าโลหะ 2512 0.2mΩ 7W ค่าความคลาดเคลื่อน ±1% แบบ SMD
Brand: Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.
SKU: ESR25F7W0M20M04G
Price: Negotiable USD
Availability: InStock

สถานที่ผลิต: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Ellon

หมายเลขรุ่น: ESR25F7W0M20M04G

รายละเอียดสินค้า

สถานที่ผลิต:

ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์:

Ellon

หมายเลขรุ่น:

ESR25F7W0M20M04G

ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:

4000

เวลาการส่งมอบ:

3-5 วันทำการ

เงื่อนไขการชำระเงิน:

ที/ที

รายละเอียด

Manufacturer:

เอลลอน

Series:

ESR

Size:

2512

Resistance Range:

0.3 ม.โอห์ม

Tolerance:

±1%

Power Rating:

Operating Temperature Range:

-55°ซ ถึง +175°ซ

Temperature Coefficient:

±100 ppm/°C

Material:

MnCuSn

Termination Style:

เอสเอ็มดี

Per Reel:

4000

Type:

ที่ตายตัว

Features:

กำลังสูง, ตัวเหนี่ยวนำต่ำ

Mounting Type:

ติดพื้นผิว

Package:

ถาดแพ็ค

Applications:

การตรวจจับกระแสไฟฟ้า แหล่งจ่ายไฟ การควบคุมมอเตอร์ การจัดการแบตเตอรี่

เน้น:

ตัวต้านทานแบบแบ่งกระแสไฟฟ้าโลหะ 2512

ตัวต้านทานตรวจจับกระแสไฟฟ้า 0.2mΩ

ตัวต้านทานแบบชิป 7W พร้อมการรับประกัน

คําอธิบายสินค้า

2512 0.0002R (0.2mR) 7W 1% ESR25F7W0M20M04G ตัวต้านทานชิปโลหะ Shunt

ในระบบอิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ที่ความแม่นยำและความน่าเชื่อถือเป็นสิ่งสำคัญ ตัวต้านทานชิปแบ่งโลหะ ESR25F7W0M20M04G มีความโดดเด่นในฐานะส่วนประกอบที่เหนือกว่าที่ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมมาสำหรับการใช้งานการตรวจจับกระแสไฟฟ้าที่มีประสิทธิภาพสูง

ภาพรวมผลิตภัณฑ์

ตัวต้านทานความแม่นยำนี้มีความต้านทานต่ำเป็นพิเศษ 0.0002Ω พร้อมพิกัดความเผื่อ ±1% และอัตรากำลัง 7W ในแพ็คเกจ 2512 ขนาดกะทัดรัด (6.35 มม. x 3.15 มม.) โครงสร้างขั้นสูงและองค์ประกอบของวัสดุทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานที่ต้องการการวัดกระแสไฟฟ้าที่แม่นยำและมีการสูญเสียพลังงานน้อยที่สุด

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

แบบอย่าง	ESR25F7W0M20M04G
ค่าความต้านทาน	0.0002Ω (0.2mΩ)
ความอดทน	±1%
ระดับพลังงาน	7W
ขนาดบรรจุภัณฑ์	2512 (6.35 มม. x 3.15 มม.)
ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ (TCR)	±100 ppm/°C
วัสดุต้านทาน	โลหะผสมทองแดงแมงกานีส (MnCu)
ตัวเหนี่ยวนำ	<2 nH
แรงเคลื่อนไฟฟ้าความร้อน	<3 µV/°C
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°ซ ถึง +175°ซ

คุณสมบัติที่สำคัญ

โครงสร้างเชื่อมโลหะทั้งตัวเพื่อความทนทานและความเสถียรของอุณหภูมิ
ความเหนี่ยวนำต่ำมาก (<2 nH) สำหรับการใช้งานความถี่สูง
EMF ความร้อนต่ำช่วยลดข้อผิดพลาดในการวัดให้เหลือน้อยที่สุด
พื้นผิวเซรามิกที่แข็งแกร่งทนทานต่อความเค้นเชิงกล
เป็นไปตาม RoHS และ REACH เพื่อความปลอดภัยต่อสิ่งแวดล้อม

การใช้งาน

ระบบแปลงกำลัง

อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์

ระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรม

พลังงานทดแทน

คอมพิวเตอร์ระดับไฮเอนด์

ข้อดีด้านประสิทธิภาพ

ความต้านทานต่ำเป็นพิเศษและอัตรากำลังสูงของ ESR25F7W0M20M04G ช่วยให้สามารถวัดกระแสได้อย่างแม่นยำโดยมีแรงดันไฟฟ้าตกน้อยที่สุด ความเหนี่ยวนำต่ำทำให้เหมาะเป็นพิเศษสำหรับการใช้งานความถี่สูง เช่น แหล่งจ่ายไฟแบบโหมดสวิตช์และมอเตอร์ไดรฟ์ ในขณะที่โครงสร้างที่แข็งแกร่งทำให้มั่นใจได้ถึงความน่าเชื่อถือในสภาพแวดล้อมที่รุนแรง

ตัวต้านทานกระแสไฟฟ้าแบบโลหะนี้เป็นโซลูชันที่ดีที่สุดสำหรับวิศวกรที่ต้องการการตรวจจับกระแสที่แม่นยำ พร้อมความสามารถในการจัดการพลังงานสูงและความน่าเชื่อถือในระยะยาว

แท็ก :