ตัวต้านทานขั้วกว้างค่าความต้านทานต่ำพิเศษ 1225 ตัวต้านทานเซ็นเซอร์กระแสไฟฟ้าสำหรับแอปพลิเคชันสถานีฐาน 5G

Name: ตัวต้านทานขั้วกว้างค่าความต้านทานต่ำพิเศษ 1225 ตัวต้านทานเซ็นเซอร์กระแสไฟฟ้าสำหรับแอปพลิเคชันสถานีฐาน 5G
Brand: Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.
SKU: HTE2512M3W0R009F
Price: Negotiable USD
Availability: InStock

สถานที่ผลิต: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Walter

หมายเลขรุ่น: HTE2512M3W0R009F

รายละเอียดสินค้า

สถานที่ผลิต:

ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์:

Walter

หมายเลขรุ่น:

HTE2512M3W0R009F

ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:

4000

เวลาการส่งมอบ:

3-5 วันทำการ

เงื่อนไขการชำระเงิน:

ที/ที

รายละเอียด

Manufacturer:

วอลเตอร์

Series:

HTE

Size:

1225(6.4มม.*3.2มม.)

Resistance Range:

9 ม. โอห์ม (0.009 โอห์ม)

Tolerance:

±1%

Power Rating:

Operating Temperature Range:

-55°ซ ถึง +155°ซ

Temperature Coefficient:

±100 ppm/°C

Material:

โลหะผสม MnCu

Per Reel:

4000

Features:

ความแม่นยำสูง พลังงานสูง ตั๋วอุณหภูมิต่ำ ความเหนี่ยวนำต่ำ

Applications:

การตรวจจับกระแสไฟฟ้า, แหล่งจ่ายไฟ, การควบคุมมอเตอร์, การจัดการแบตเตอรี่, ตัวแปลงความถี่, สถานีฐาน 5G

เน้น:

ตัวต้านทานขั้วกว้างค่าความต้านทานต่ำพิเศษ

ตัวต้านทานเซ็นเซอร์กระแสไฟฟ้า 1225

ตัวต้านทานเซ็นเซอร์กระแสไฟฟ้าสำหรับสถานีฐาน 5G

คําอธิบายสินค้า

ตัวต้านทานขั้วต่อกว้างแบบ Ultra-Low Ohm พร้อมขนาด 1225 สำหรับแอปพลิเคชันสถานีฐาน 5G

ในแอปพลิเคชันอิเล็กทรอนิกส์ที่ต้องการประสิทธิภาพ ความแม่นยำ และความน่าเชื่อถือ ตัวต้านทานกำลังไฟ HTE2512M3W0R009F จากซีรีส์ HTE มอบประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยมสำหรับแอปพลิเคชันกระแสไฟสูงและมีความแม่นยำสูง

ข้อมูลจำเพาะหลัก

รหัสผลิตภัณฑ์ HTE2512M3W0R009F เปิดเผยข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคที่สำคัญ:

1225/HTE2512: แพ็คเกจชิป 2512 มาตรฐานอุตสาหกรรม (6.4 มม. x 3.2 มม.) เพื่อการกระจายความร้อนที่มีประสิทธิภาพ
0.009Ω (9m Ohm): ความต้านทานต่ำพิเศษเพื่อลดแรงดันไฟฟ้าตกในแอปพลิเคชันการตรวจจับกระแสไฟ
พิกัดกำลังไฟ 3W: ความสามารถในการกระจายพลังงานสูงสำหรับสภาพแวดล้อมที่มีความหนาแน่นของพลังงานสูง
ความคลาดเคลื่อน 1%: ความแม่นยำในการผลิตสูงสำหรับการวัดและการควบคุมกระแสไฟที่แม่นยำ

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

พารามิเตอร์	ข้อมูลจำเพาะ
หมายเลขชิ้นส่วน	HTE2512M3W0R009F
ค่าความต้านทาน	0.009Ω (9mΩ)
ความคลาดเคลื่อน	±1%
พิกัดกำลังไฟ	3W
ขนาดแพ็คเกจ	1225 (6.4 มม. * 3.2 มม.)
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ (TCR)	±100 ppm/°C
วัสดุความต้านทาน	โลหะผสมแมงกานีสทองแดง (MnCu)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ถึง +125°C

ข้อดีของวัสดุ: โลหะผสม Manganin (MnCu)

HTE2512M3W0R009F ใช้โลหะผสม Manganin เพื่อประสิทธิภาพที่เหนือกว่า:

สัมประสิทธิ์อุณหภูมิความต้านทานต่ำ (TCR) เพื่อประสิทธิภาพที่เสถียรในช่วงอุณหภูมิ
EMF เทอร์โมอิเล็กทริกต่ำเทียบกับทองแดงสำหรับการตรวจจับกระแสไฟ DC ที่แม่นยำ
ความเสถียรในระยะยาวที่ดีเยี่ยมและทนทานต่อการเกิดออกซิเดชัน

คุณสมบัติประสิทธิภาพขั้นสูง

การออกแบบอุปนัยต่ำสำหรับแอปพลิเคชันการสลับความถี่สูง
การจัดการความร้อนที่มีประสิทธิภาพสำหรับการทำงาน 3W ที่เสถียร
โครงสร้างที่แข็งแกร่งป้องกันจุดร้อน

แอปพลิเคชันทั่วไป

การตรวจจับกระแสไฟที่แม่นยำในหน่วยควบคุมมอเตอร์และตัวแปลง DC-DC
วงจรป้องกันกระแสเกินในแหล่งจ่ายไฟ
ระบบจัดการแบตเตอรี่สำหรับรถยนต์ไฟฟ้า
เครื่องขยายเสียงและอุปกรณ์เครื่องเสียง

การปฏิบัติตามและคุณภาพ

HTE2512M3W0R009F เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และ REACH โดยใช้วัสดุและกระบวนการที่ปราศจากสารตะกั่วสำหรับมาตรฐานสิ่งแวดล้อมระดับโลก

ตัวต้านทานที่ออกแบบมาอย่างแม่นยำนี้ผสมผสานความต้านทานต่ำพิเศษ การจัดการพลังงานสูง และความเสถียรเป็นพิเศษสำหรับแอปพลิเคชันกระแสไฟสูงที่ต้องการ ซึ่งความแม่นยำและความน่าเชื่อถือเป็นสิ่งสำคัญ

แท็ก :