Ультранизкоомный резистор с широкими выводами 1225, токовый датчик для базовых станций 5G

Name: Ультранизкоомный резистор с широкими выводами 1225, токовый датчик для базовых станций 5G
Brand: Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.
SKU: HTE2512M3W0R009F
Price: Negotiable USD
Availability: InStock

Место происхождения: Сделано в Китае

Название бренда: Walter

Номер модели: HTE2512M3W0R009F

Детали продукта

Место происхождения:

Сделано в Китае

Название бренда:

Walter

Номер модели:

HTE2512M3W0R009F

Минимальное количество заказа:

4000

Срок поставки:

3-5 рабочих дней

Условия оплаты:

Т/Т

Спецификации

Manufacturer:

Уолтер

Series:

HTE

Size:

1225(6,4мм*3,2мм)

Resistance Range:

9 м Ом (0,009 Ом)

Tolerance:

±1%

Power Rating:

Operating Temperature Range:

-55°C до +155°C

Temperature Coefficient:

±100 частей на миллион/°C

Material:

Сплав MnCu

Per Reel:

4000

Features:

Высокая точность, высокая мощность, низкая температура, низкая индуктивность.

Applications:

Измерение тока, источник питания, управление двигателем, управление аккумулятором, преобразователь ч

Выделить:

Ультранизкоомный резистор с широкими выводами

Токовый датчик 1225

Токовый датчик для базовых станций 5G

Характер продукции

Резистор с ультранизким сопротивлением и широкими выводами типоразмера 1225 для применения в базовых станциях 5G

В требовательных электронных приложениях, требующих эффективности, точности и надежности, силовой резистор HTE2512M3W0R009F серии HTE обеспечивает исключительную производительность для приложений с высоким током и высокой точностью.

Основные характеристики

Код продукта HTE2512M3W0R009F раскрывает ключевые технические характеристики:

1225/HTE2512: Стандартный для отрасли чип-компонент 2512 (6,4 мм x 3,2 мм) для эффективного отвода тепла
0,009Ω (9 мОм): Сверхнизкое сопротивление для минимального падения напряжения в приложениях измерения тока
Мощность 3 Вт: Высокая рассеиваемая мощность для сред с высокой плотностью мощности
Допуск 1%: Высокая точность изготовления для точного измерения и управления током

Технические характеристики

Параметр	Спецификация
Номер детали	HTE2512M3W0R009F
Значение сопротивления	0,009Ω (9 мΩ)
Допуск	±1%
Мощность	3 Вт
Размер корпуса	1225 (6,4 мм * 3,2 мм)
Температурный коэффициент (TCR)	±100 ppm/°C
Материал сопротивления	Сплав марганец-медь (MnCu)
Рабочая температура	-55°C to +125°C

Преимущества материала: сплав манганин (MnCu)

В HTE2512M3W0R009F используется сплав манганин для превосходной производительности:

Низкий температурный коэффициент сопротивления (TCR) для стабильной работы в диапазоне температур
Низкий термоэлектродвижущий эффект (ЭДС) по сравнению с медью для точного измерения постоянного тока
Отличная долговременная стабильность и устойчивость к окислению

Расширенные функциональные возможности

Конструкция с низкой индуктивностью для высокочастотных коммутационных приложений
Эффективное управление тепловым режимом для стабильной работы при 3 Вт
Прочная конструкция предотвращает образование горячих точек

Типичные области применения

Точное измерение тока в блоках управления двигателем и DC-DC преобразователях
Схемы защиты от перегрузки по току в источниках питания
Системы управления батареями для электромобилей
Усилители мощности и аудиооборудование

Соответствие и качество

HTE2512M3W0R009F соответствует требованиям RoHS и REACH, используя бессвинцовые материалы и процессы в соответствии с мировыми экологическими стандартами.

Этот прецизионный резистор сочетает в себе сверхнизкое сопротивление, высокую мощность и исключительную стабильность для требовательных приложений с высоким током, где важны точность и надежность.

Бирки :