CRH1206J750KP05Z 1206 ชิปต่อรอง 750 kΩ 0.5W พลังงานสูง ชิปต่อรองแผ่นหนา
ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูง 750 kΩ
,ตัวต้านทานชิป 0.5W 1206
,ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูงแพ็คเกจ 1206
CRH1206J750KP05Z 1206 750K 0.5W ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนาพลังงานสูง Ever Ohms ข้อมูลจำเพาะ
1. การแยกส่วนหมายเลขชิ้นส่วน
Ever Ohms ใช้ระบบหมายเลขชิ้นส่วนที่ตรงไปตรงมาซึ่งเป็นที่ยอมรับอย่างกว้างขวางในชุมชนวิศวกรรม สำหรับ CRH1206J750KP05Z, แต่ละส่วนจะถูกตีความดังนี้:
| ส่วน | ความหมาย |
|---|---|
| CRH | ซีรีส์ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนาพลังงานสูง |
| 1206 | ขนาดแพ็คเกจ EIA 1206 (เมตริก 3216), ตัวเครื่อง 3.2 มม. × 1.6 มม. |
| J | ความคลาดเคลื่อนของความต้านทาน ±5% |
| 750K | ความต้านทานที่กำหนด 750 kΩ |
| P05 | กำลังไฟที่กำหนด 0.5 W (1/2 W) |
| Z | บรรจุภัณฑ์แบบเทปและม้วน |
กล่าวโดยสรุป นี่คือ แพ็คเกจ 1206, 750 kΩ, ±5%, 0.5 W ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนาพลังงานสูง
2. พารามิเตอร์ทางไฟฟ้าหลัก
| พารามิเตอร์ | ข้อมูลจำเพาะ |
|---|---|
| แพ็คเกจ | 1206 (3.2 มม. × 1.6 มม.) |
| ความต้านทาน | 750 kΩ |
| ความคลาดเคลื่อน | ±5% |
| กำลังไฟที่กำหนด | 0.5 W (1/2 W) |
| TCR | ±100 ppm/°C ~ ±200 ppm/°C |
| แรงดันไฟฟ้าทำงานสูงสุด | 200 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55 °C ~ +155 °C |
| การบัดกรี | เข้ากันได้กับการบัดกรีแบบ Reflow และ Wave |
3. คุณสมบัติกระบวนการและโครงสร้าง
ตัวต้านทานฟิล์มหนามาตรฐาน 1206 โดยทั่วไปมีอัตรากำลัง 1/4 W (0.25 W) ซีรีส์ CRH เพิ่มความหนาแน่นกำลังเป็นสองเท่าในพื้นที่เดียวกัน ผ่านการอัปเกรดในสามด้าน:
-
ซับสเตรต: เซรามิกอลูมินา 96% (Al₂O₃) ให้การนำความร้อนสูงกว่าซับสเตรตที่เติมสารทั่วไป นำพาความร้อนจากชั้นความต้านทานไปยังแผ่น PCB และระนาบทองแดงได้อย่างรวดเร็ว
-
ชั้นความต้านทาน: เพสต์ฟิล์มหนาที่ใช้รูทีเนียมออกไซด์ (RuO₂-based) ถูกเผาที่อุณหภูมิประมาณ 850 °C ความหนาของชั้นได้รับการปรับให้เหมาะสมสำหรับการกระจายความร้อน ทำให้มีความหนาแน่นกำลังสูง
-
ขั้วต่อ: ขั้วต่อด้านข้างที่ขยายออกพร้อมการออกแบบป้องกันการเกิดซัลเฟอร์ ช่วยลดความเสี่ยงของจุดร้อนเฉพาะที่และรักษาเสถียรภาพในบรรยากาศที่มีกำมะถัน
-
สารเคลือบป้องกัน: สารเคลือบแก้วที่หุ้มองค์ประกอบความต้านทานจากความชื้นและก๊าซกัดกร่อน ช่วยเพิ่มความน่าเชื่อถือต่อสิ่งแวดล้อมในระยะยาว
4. การใช้งานทั่วไปสำหรับ 750 kΩ
ค่า 750 kΩ อยู่ในช่วงความต้านทานปานกลางถึงสูง และมักใช้ใน:
-
ตัวแบ่งแรงดันไฟฟ้า: ตัวต้านทานแขนบนหรือแขนล่างในวงจรป้อนกลับแหล่งจ่ายไฟและเครือข่ายการวัดแรงดันไฟฟ้า จับคู่กับ Op-amp ความแม่นยำ
-
ตัวต้านทาน Bleeder: การคายประจุที่ปลอดภัยของประจุที่ตกค้างในตัวเก็บประจุขนาดใหญ่หลังปิดเครื่อง; 750 kΩ สร้างสมดุลระหว่างความเร็วในการคายประจุกับการกระจายกำลัง
-
เครือข่าย Bias: การสร้างจุดทำงาน DC ที่เสถียรสำหรับทรานซิสเตอร์, MOSFET หรืออินพุต Op-amp
-
การตั้งเวลา / การกรอง RC: รวมกับตัวเก็บประจุเพื่อสร้างตัวกรองความถี่ต่ำหรือวงจรหน่วงเวลาเปิดเครื่อง; ความต้านทานสูงช่วยให้ใช้ค่าตัวเก็บประจุขนาดเล็กสำหรับการหน่วงเวลาที่ยาวนาน
ด้วย อัตรากำลัง 0.5 W, อุปกรณ์จะรักษาอุณหภูมิพื้นผิวที่เพิ่มขึ้นต่ำ แม้ภายใต้สภาวะกระแสไฟกระชากระยะสั้นหรือสภาวะแวดล้อมที่สูงขึ้น ลดความเสี่ยงของการเปลี่ยนแปลงค่าหรือการหลุดลอกของแผ่นรอง
5. คำแนะนำในการเลือกและจัดซื้อ
เมื่อวงจรของคุณต้องการ ตัวต้านทาน 1206 750K 0.5W, ให้ทำตามขั้นตอนเหล่านี้:
-
ตรวจสอบกราฟการลดทอนกำลัง: ซีรีส์ CRH ต้องการการลดทอนกำลังเชิงเส้นที่อุณหภูมิสูงกว่า 70 °C หากอุปกรณ์ทำงานที่อุณหภูมิสูงกว่า 85 °C อย่างต่อเนื่อง กำลังที่ใช้งานได้จะลดลงเหลือประมาณ 70% ของอัตราที่กำหนดไว้ - ควรเผื่อพื้นที่เพียงพอ
-
ตรวจสอบการจัดวางแผ่นรอง: ขนาดของแผ่นรองและจำนวนรูระบายความร้อนส่งผลโดยตรงต่อการกระจายความร้อนจริง - ปฏิบัติตามแนวทางการจัดวาง PCB อย่างเป็นทางการของ Ever Ohms
-
การตรวจสอบปริมาณน้อย: สำหรับการนำไปใช้ครั้งแรกหรือแพลตฟอร์มใหม่ ให้ทำการผลิตนำร่องและตรวจสอบเสถียรภาพระยะยาวภายใต้ภาระงานจริงและการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิ
สำหรับเอกสารข้อมูลอย่างเป็นทางการ การสนับสนุนตัวอย่าง หรือใบเสนอราคาจำนวนมาก ให้ซื้อผ่านตัวแทนจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต Shenzhen Shunhai Technology Co., Ltd. เป็นตัวแทนจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต Tier-1 สำหรับ Ever Ohms ในจีนแผ่นดินใหญ่ โดยให้บริการจัดส่งโดยตรงจากโรงงาน เอกสารรับรองครบถ้วน และการจัดส่งที่รวดเร็ว HuaNian Mall ให้บริการเลือกซื้อออนไลน์ ตรวจสอบสินค้าคงคลังแบบเรียลไทม์ และบริการจัดซื้อแบบครบวงจร ช่วยให้วิศวกรสามารถสั่งซื้อได้อย่างรวดเร็ว
ส่งข้อสอบของคุณตรงมาหาเรา