คุณภาพ 2m ohm (0.002 ohm) 1225 ตัวต้านทานชิป 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD เป็นไปตาม RoHS โรงงาน

2m ohm (0.002 ohm) 1225 ตัวต้านทานชิป 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD เป็นไปตาม RoHS

Name: 2m ohm (0.002 ohm) 1225 ตัวต้านทานชิป 3W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD เป็นไปตาม RoHS
Brand: Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.
SKU: HTE2512M3W0R002F
Price: negotiable USD
Availability: InStock

สถานที่ผลิต: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Walter

การรับรอง: RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น: HTE2512M3W0R002F

รายละเอียดสินค้า

สถานที่ผลิต:

ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์:

Walter

การรับรอง:

RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น:

HTE2512M3W0R002F

ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:

4000

ราคา:

negotiable

บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน:

4000

เวลาการส่งมอบ:

5-8 วันทำการ

เงื่อนไขการชำระเงิน:

ที/ที

Supply Ability:

มีปริมาณมาก

รายละเอียด

Name:

ตัวต้านทานชิป SMD

Manufacturer:

วอลเตอร์

Series:

HTE

Size:

1225

Resistance Range:

2 ม. โอห์ม (0.002 โอห์ม)

Tolerance:

±1%

Power Rating:

3ว

Operating Temperature Range:

-55°ซ ถึง +155°ซ

Temperature Coefficient:

±100 ppm/°C

Material:

โลหะผสม MnCu

Termination Style:

เอสเอ็มดี

Per Reel:

4000

Type:

ที่ตายตัว

Features:

กำลังสูง, ตัวเหนี่ยวนำต่ำ

Mounting Type:

ติดพื้นผิว

Package:

ถาดแพ็ค

Applications:

การตรวจจับกระแสไฟฟ้า แหล่งจ่ายไฟ การควบคุมมอเตอร์ การจัดการแบตเตอรี่

เน้น:

เครื่องต่อรองชิป 1225 2m Ohm

ตัวต้านทาน HTE Walter SMD 3W

ตัวต้านทานเทอร์มินัลกว้างความแม่นยำสูง

คําอธิบายสินค้า

ตัวต้านทานชิป SMD ขนาด 1225 0.002 โอห์ม ตัวต้านทานฟอยล์โลหะ 3W

ตัวต้านทานชิปขนาด 1225 นี้จากซีรีส์ HTE ของ Walter ให้ค่าความต้านทาน 2 มิลลิโอห์ม (0.002 โอห์ม) ด้วยความคลาดเคลื่อน ±1% และกำลังไฟ 3W ทำให้ผู้ออกแบบมีส่วนประกอบแบบติดตั้งบนพื้นผิวขนาดกะทัดรัดที่คงประสิทธิภาพที่เสถียรภายใต้ภาระงานและการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิ

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

ชื่อ	ตัวต้านทานชิป SMD
ผู้ผลิต	Walter
ซีรีส์	HTE
ขนาด	1225
ช่วงความต้านทาน	2 มิลลิโอห์ม (0.002 โอห์ม)
ความคลาดเคลื่อน	±1%
กำลังไฟ	3W
ช่วงอุณหภูมิการทำงาน	-55°C ถึง +155°C
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ	±100 ppm/°C

คุณสมบัติหลัก

การจัดการกำลังไฟ 3W ที่เสถียรสำหรับวงจรที่ต้องการ
ความคลาดเคลื่อน ±1% เพื่อความแม่นยำในการวัดที่เชื่อถือได้
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิต่ำ ±100 ppm/°C ที่รักษาความเสถียรของค่าระหว่างการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิ
วัสดุแกนอัลลอยด์ MnCu เพื่อประสิทธิภาพที่สม่ำเสมอและทำซ้ำได้
ขนาดกะทัดรัด 1225 SMD เหมาะสำหรับการประกอบแบบรีโฟลว์ความหนาแน่นสูง
โครงสร้างที่สอดคล้องกับ RoHS / REACH สำหรับการผลิตแบบไร้สารตะกั่ว

การใช้งาน

ตัวต้านทานชิปนี้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการตรวจจับกระแส, แหล่งจ่ายไฟ, การควบคุมมอเตอร์ และระบบจัดการแบตเตอรี่ โครงสร้างอัลลอยด์ MnCu และพฤติกรรมทางไฟฟ้าที่เสถียรช่วยให้ผู้ออกแบบบรรลุความคลาดเคลื่อนที่เข้มงวดในการตรวจจับกระแส, การแปลงพลังงาน และวงจรป้องกัน ในขณะที่แพ็คเกจ 1225 ยังคงการจัดวางที่กะทัดรัด

คุณภาพและความน่าเชื่อถือ

จัดหาโดยตรงจากผู้ผลิต ซีรีส์ HTE นำเสนอราคาที่แข่งขันได้พร้อมระยะเวลารอคอยสั้นๆ ทุกชุดจะผ่านการทดสอบทางไฟฟ้าอย่างครอบคลุมก่อนบรรจุภัณฑ์ เพื่อให้มั่นใจว่าค่าความต้านทานและความคลาดเคลื่อนที่ระบุจะถูกส่งมอบอย่างแม่นยำ

การบรรจุภัณฑ์และการปฏิบัติตามข้อกำหนด

จัดส่งบนเทปและม้วนสำหรับการประกอบแบบ pick-and-place อัตโนมัติในปริมาณม้วนมาตรฐานสำหรับสายการผลิต SMT การจัดส่งทั้งหมดเป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และ REACH พร้อมใบรับรองการปฏิบัติตามข้อกำหนดตามคำขอ