คุณภาพ 4 ม. โอห์ม (0.004 โอห์ม) 0508 (1.2 มม. * 2.0 มม.) ตัวต้านทานชิป 1W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD โรงงาน

4 ม. โอห์ม (0.004 โอห์ม) 0508 (1.2 มม. * 2.0 มม.) ตัวต้านทานชิป 1W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD

Name: 4 ม. โอห์ม (0.004 โอห์ม) 0508 (1.2 มม. * 2.0 มม.) ตัวต้านทานชิป 1W ± 1% HTE Walter ความแม่นยำสูง SMD
Brand: Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.
SKU: HTE0805M1W0R004F
Price: negotiable USD
Availability: InStock

สถานที่ผลิต: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Walter

การรับรอง: RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น: HTE0805M1W0R004F

รายละเอียดสินค้า

สถานที่ผลิต:

ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์:

Walter

การรับรอง:

RoHS / REACH

หมายเลขรุ่น:

HTE0805M1W0R004F

ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ:

5,000

ราคา:

negotiable

บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน:

5,000

เวลาการส่งมอบ:

3-5 วันทำการ

เงื่อนไขการชำระเงิน:

ที/ที

Supply Ability:

มีปริมาณมาก

รายละเอียด

Name:

ตัวต้านทาน SMD 1W

Manufacturer:

วอลเตอร์

Series:

HTE

Size:

0508(1.2มม.*2.0มม.)

Resistance Range:

4 ม. โอห์ม (0.004 โอห์ม)

Tolerance:

±1%

Power Rating:

Operating Temperature Range:

-55°ซ ถึง +155°ซ

Temperature Coefficient:

±100 ppm/°C

Material:

โลหะผสม MnCu

Per Reel:

5,000

Features:

ความแม่นยำสูง พลังงานสูง ตั๋วอุณหภูมิต่ำ ความเหนี่ยวนำต่ำ

Applications:

การตรวจจับกระแสไฟฟ้า, แหล่งจ่ายไฟ, การควบคุมมอเตอร์, การจัดการแบตเตอรี่, ตัวแปลงความถี่, สถานีฐาน 5G

เน้น:

เครื่องต่อรองชิปความแม่นยําสูง 1W

ขนาด 0508 ความต้านทาน SMD

ความกว้าง 4m ohm ทอมมิเนล resistor

คําอธิบายสินค้า

4mΩ (0.004Ω) 0508 ตัวต้านทานชิป - 1W ±1% ซีรีส์ HTE

ตัวต้านทาน SMD โลหะผสม MnCu 1W กำลังสูง 4mΩ ออกแบบมาสำหรับสถานีฐาน 5G ตัวต้านทานชิป 0508 (1.2 มม. × 2.0 มม.) จากซีรีส์ Walter HTE ให้ค่าความต้านทาน 4mΩ (0.004Ω) ด้วยความคลาดเคลื่อน ±1% และกำลังไฟพิกัด 1W ทำให้ผู้ออกแบบมีส่วนประกอบแบบติดตั้งบนพื้นผิวขนาดกะทัดรัดที่รักษาประสิทธิภาพที่เสถียรภายใต้ภาระและการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิ

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

ชื่อผลิตภัณฑ์	ตัวต้านทาน SMD 1W
ผู้ผลิต	Walter
ซีรีส์	HTE
ขนาด	0508 (1.2 มม. × 2.0 มม.)
ช่วงความต้านทาน	4mΩ (0.004Ω)
ความคลาดเคลื่อน	±1%
กำลังไฟพิกัด	1W
อุณหภูมิใช้งาน	-55°C ถึง +155°C
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ	±100 ppm/°C

คุณสมบัติหลัก

การจัดการกำลังไฟพิกัด 1W ที่เสถียรสำหรับวงจรที่ต้องการ
±1% ความคลาดเคลื่อนสำหรับความแม่นยำในการวัดที่เชื่อถือได้
สัมประสิทธิ์อุณหภูมิต่ำ ±100 ppm/°C รักษาค่าที่เสถียรระหว่างการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิ
วัสดุองค์ประกอบโลหะผสม MnCu รับประกันประสิทธิภาพที่สม่ำเสมอและทำซ้ำได้
พื้นที่ผิวสัมผัส SMD 0508 (1.2 มม. × 2.0 มม.) ขนาดกะทัดรัด เหมาะสำหรับการประกอบแบบรีโฟลว์ความหนาแน่นสูง
โครงสร้างที่สอดคล้องกับ RoHS / REACH สำหรับการผลิตแบบไร้สารตะกั่ว

การใช้งาน

ตัวต้านทานชิปนี้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการตรวจจับกระแส, ระบบจ่ายไฟ, การควบคุมมอเตอร์, การจัดการแบตเตอรี่, ตัวแปลงความถี่, สถานีฐาน 5G และการใช้งานไฟ LED โครงสร้างโลหะผสม MnCu และคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่เสถียรช่วยให้ผู้ออกแบบเป็นไปตามความคลาดเคลื่อนที่เข้มงวดในการตรวจจับกระแส, การแปลงกำลังไฟ และวงจรป้องกัน ในขณะที่พื้นที่ผิวสัมผัส 0508 ขนาดกะทัดรัดช่วยรักษาการใช้พื้นที่บอร์ดอย่างมีประสิทธิภาพ

ข้อได้เปรียบด้านคุณภาพและการผลิต

ซีรีส์ HTE จัดหาโดยตรงจากผู้ผลิต เสนอราคาที่แข่งขันได้พร้อมระยะเวลารอคอยสั้นๆ ทุกชุดจะผ่านการทดสอบทางไฟฟ้าอย่างครอบคลุมก่อนบรรจุภัณฑ์ เพื่อให้มั่นใจว่าค่าความต้านทานและความคลาดเคลื่อนที่ระบุจะถูกส่งมอบอย่างสม่ำเสมอ

บรรจุภัณฑ์และการปฏิบัติตามข้อกำหนด

จัดส่งบนเทปและม้วนสำหรับการประกอบแบบ pick-and-place อัตโนมัติในปริมาณม้วนมาตรฐานสำหรับสายการผลิต SMT การจัดส่งทั้งหมดเป็นไปตามข้อกำหนด RoHS และ REACH พร้อมใบรับรองการปฏิบัติตามข้อกำหนดตามคำขอ ติดต่อเราเพื่อขอตัวอย่าง, เอกสารข้อมูล และราคาขายส่งที่ปรับให้เหมาะกับความต้องการของโครงการของคุณ