ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูง ผู้ผลิตจากจีน ของหน้า 11

CRH2512F6R80E04S 2512 6.8Ω 2W ตัวต้านทานกำลังสูงพร้อมค่าเผื่อ ± 1% สำหรับ BMS และพาวเวอร์ซัพพลาย

ความต้านทาน: 6.8Ω

ระดับพลังงาน: 2W

ความอดทน: ±1%

สถานที่กำเนิด: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Ever Ohms

หมายเลขรุ่น: CRH2512F6R80E04S
CRH2512F750RE04Z 2512 เครื่องต่อรองชิปผนังหนาที่มีความต้านทาน 750Ω ชื่อเสียง ปริมาณการทํางาน 2W และความอดทน ± 1%

ค่าความต้านทาน: 750Ω

ระดับพลังงาน: 2W

ความอดทน: ±1%

สถานที่กำเนิด: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Ever Ohms

หมายเลขรุ่น: CRH2512F750RE04Z
CRH2512F68R0E04Z 2512 68Ω 2W พลังงานสูง ชิปผนังหนาสําหรับอุตสาหกรรมและอุตสาหกรรมรถยนต์

ขนาดบรรจุภัณฑ์: 2512 (2.5 × 1.25 มม.)

ความต้านทาน: 68 โอห์ม

กำลังไฟพิกัด: 2W

สถานที่กำเนิด: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Ever Ohms

หมายเลขรุ่น: CRH2512F68R0E04Z
EVER OHMS CRH2512F62R0E04Z 2512 62R 2W พลังงานสูง ชิปผนังหนาต่อต้านกับการสิ้นสุดแอนติซัลเฟอร์

ความต้านทาน: 62 โอห์ม

ความอดทน: ±1 %

กำลังไฟพิกัด: 2 วัตต์ @ 70 ℃

สถานที่กำเนิด: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Ever Ohms

หมายเลขรุ่น: CRH2512F62R0E04Z
CRH2512F680RE04Z พลังงานสูง ชิปผนังหนา พลังงานระดับ 2W ความต้านทาน 680 โอห์ม และขนาดแพ็คเกจ 2512

ขนาดแพ็คเกจ: 6.35มม.×3.2มม.×0.55มม

ความอดทน: ±1%

ความต้านทานที่กำหนด: 680 โอม

สถานที่กำเนิด: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Ever Ohms

หมายเลขรุ่น: CRH2512F680RE04Z
Ever Ohms CRH2512F62K0E04Z 2512 แพคเกจ 62K Ω 2W High-Powerหนาฟิล์มตัวต้านทานชิป

ความต้านทาน: 62K โอห์ม

ความอดทน: ±1%

ระดับพลังงาน: 2W

สถานที่กำเนิด: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Ever Ohms

หมายเลขรุ่น: CRH2512F62K0E04Z
2512 60.4 Ω 2W พลังงานสูง ชิปผนังหนา ทนทาน ± 1% และ AEC-Q200 ความเหมาะสม

ขนาดบรรจุภัณฑ์: 2512 (6432)

ค่าความต้านทาน: 60.4 โอห์ม

ความอดทน: ±1%

สถานที่กำเนิด: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Ever Ohms

หมายเลขรุ่น: CRH2512F60R4E04Z
CRH2512F5R60E04Z ตัวต้านทานชิปฟิล์มหนากำลังสูงพร้อมกำลังไฟพิกัด 2W, ความต้านทาน 5.6Ω ในแพ็คเกจ 2512

ขนาดบรรจุภัณฑ์: 2512 (6.4×3.2×0.55มม.)

ความต้านทาน: 5.6Ω

ความอดทน: ±1%

สถานที่กำเนิด: ผลิตในประเทศจีน

ชื่อแบรนด์: Ever Ohms

หมายเลขรุ่น: CRH2512F5R60E04Z

7 8 9 10 11 ต่อไป